PECVD silicon oxynitrite as insulator for MDMO-PPV thin-film transistors (2010)
- Authors:
- USP affiliated authors: PEREYRA, INES - EP ; FONSECA, FERNANDO JOSEPETTI - EP ; ANDRADE, ADNEI MELGES DE - IEE
- Unidades: EP; IEE
- Subjects: TRANSISTORES; SEMICONDUTORES
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher place: Porto Alegre
- Date published: 2010
- Source:
- Título do periódico: Journal of Integrated Circuits and Systems
- ISSN: 1807-1953
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.5, n.2, p. 116-124, 2010
-
ABNT
CAVALLARI, Marco Roberto et al. PECVD silicon oxynitrite as insulator for MDMO-PPV thin-film transistors. Journal of Integrated Circuits and Systems, v. 5, n. 2, p. 116-124, 2010Tradução . . Acesso em: 24 abr. 2024. -
APA
Cavallari, M. R., Albertin, K. F., Santos, G. dos, Ramos, C. A. S., Pereyra, I., Fonseca, F. J., & Andrade, A. M. de. (2010). PECVD silicon oxynitrite as insulator for MDMO-PPV thin-film transistors. Journal of Integrated Circuits and Systems, 5( 2), 116-124. -
NLM
Cavallari MR, Albertin KF, Santos G dos, Ramos CAS, Pereyra I, Fonseca FJ, Andrade AM de. PECVD silicon oxynitrite as insulator for MDMO-PPV thin-film transistors. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2010 ;5( 2): 116-124.[citado 2024 abr. 24 ] -
Vancouver
Cavallari MR, Albertin KF, Santos G dos, Ramos CAS, Pereyra I, Fonseca FJ, Andrade AM de. PECVD silicon oxynitrite as insulator for MDMO-PPV thin-film transistors. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2010 ;5( 2): 116-124.[citado 2024 abr. 24 ] - Improved backside hydrogenation on semicrystalline silicon solar cells by rf plasma
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