Mimicking nanoribbon behavior using a graphene layer on SiC (2010)
- Authors:
- USP affiliated authors: SILVA, ANTONIO JOSE ROQUE DA - IF ; FAZZIO, ADALBERTO - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1103/physrevb.82.153402
- Subjects: PROPRIEDADES DOS MATERIAIS; NANOTECNOLOGIA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Physical Review B
- ISSN: 1098-0121
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 82, n. 15, p. 1534023/1-153402/4, 2010
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo é de acesso aberto
- URL de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: green
-
ABNT
LIMA, Matheus P et al. Mimicking nanoribbon behavior using a graphene layer on SiC. Physical Review B, v. 82, n. 15, p. 1534023/1-153402/4, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.82.153402. Acesso em: 20 abr. 2024. -
APA
Lima, M. P., Rocha, A. R., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2010). Mimicking nanoribbon behavior using a graphene layer on SiC. Physical Review B, 82( 15), 1534023/1-153402/4. doi:10.1103/physrevb.82.153402 -
NLM
Lima MP, Rocha AR, Silva AJR da, Fazzio A. Mimicking nanoribbon behavior using a graphene layer on SiC [Internet]. Physical Review B. 2010 ; 82( 15): 1534023/1-153402/4.[citado 2024 abr. 20 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.82.153402 -
Vancouver
Lima MP, Rocha AR, Silva AJR da, Fazzio A. Mimicking nanoribbon behavior using a graphene layer on SiC [Internet]. Physical Review B. 2010 ; 82( 15): 1534023/1-153402/4.[citado 2024 abr. 20 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.82.153402 - Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'
- Influence of surface degrees of freedom on the adsorption of Ge ad-atoms on Si(100)
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Informações sobre o DOI: 10.1103/physrevb.82.153402 (Fonte: oaDOI API)
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