Propriedades optoeletrôncias de interfaces híbridas metal/semicondutor orgânico preparadas por deposição assistida por feixes de íons (IBAD) (2010)
- Authors:
- USP affiliated authors: FARIA, ROBERTO MENDONÇA - IFSC ; GUIMARAES, FRANCISCO EDUARDO GONTIJO - IFSC ; MATSUOKA, MASAO - IF ; CHUBACI, JOSE FERNANDO DINIZ - IF
- Unidades: IFSC; IF
- Subjects: ÓPTICA ELETRÔNICA (PROPRIEDADES); DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS; FILMES FINOS (PROPRIEDADES ELÉTRICAS); POLÍMEROS (QUÍMICA ORGÂNICA)
- Language: Português
- Imprenta:
- Publisher: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC
- Publisher place: São Carlos
- Date published: 2010
- Source:
- Título do periódico: Livro de Resumos
- Conference titles: Workshop da Pós-Graduação do IFSC
-
ABNT
DIONYSIO, Danilo Olzon et al. Propriedades optoeletrôncias de interfaces híbridas metal/semicondutor orgânico preparadas por deposição assistida por feixes de íons (IBAD). 2010, Anais.. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2010. . Acesso em: 24 abr. 2024. -
APA
Dionysio, D. O., Faria, R. M., Guimarães, F. E. G., Matsuoka, M., & Chubaci, J. F. D. (2010). Propriedades optoeletrôncias de interfaces híbridas metal/semicondutor orgânico preparadas por deposição assistida por feixes de íons (IBAD). In Livro de Resumos. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC. -
NLM
Dionysio DO, Faria RM, Guimarães FEG, Matsuoka M, Chubaci JFD. Propriedades optoeletrôncias de interfaces híbridas metal/semicondutor orgânico preparadas por deposição assistida por feixes de íons (IBAD). Livro de Resumos. 2010 ;[citado 2024 abr. 24 ] -
Vancouver
Dionysio DO, Faria RM, Guimarães FEG, Matsuoka M, Chubaci JFD. Propriedades optoeletrôncias de interfaces híbridas metal/semicondutor orgânico preparadas por deposição assistida por feixes de íons (IBAD). Livro de Resumos. 2010 ;[citado 2024 abr. 24 ] - Ion beam assisted deposition of an organic light emitting diode electrode
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- Non-abrupt metal/organic interfaces prepared by ion beam assisted deposition (IBAD) for organic devices
- Propriedades optoeletrônicas de interfaces híbridas metal/semicondutor orgânico preparadas por deposição assistida por feixes de íons (IBAD)
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