Excitons in undoped AlGaAs/GaAs wide parabolic quantum wells (2010)
- Authors:
- Autor USP: SILVA, EUZI CONCEICAO FERNANDES DA - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1088/1742-6596/210/1/012052
- Assunto: SEMICONDUTORES
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Journal Physics - Conference Series
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 210, n. 1, p. 012052-1 - 012052-4, 2010
- Este periódico é de acesso aberto
- Este artigo é de acesso aberto
- URL de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: gold
-
ABNT
TABATA, A et al. Excitons in undoped AlGaAs/GaAs wide parabolic quantum wells. Journal Physics - Conference Series, v. 210, n. 1, p. 012052-1 - 012052-4, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/1742-6596/210/1/012052. Acesso em: 24 abr. 2024. -
APA
Tabata, A., Oliveira, J. B. B., Silva, E. C. F., Lamas, T. E., Duarte, C. A., & Gusev, G. M. (2010). Excitons in undoped AlGaAs/GaAs wide parabolic quantum wells. Journal Physics - Conference Series, 210( 1), 012052-1 - 012052-4. doi:10.1088/1742-6596/210/1/012052 -
NLM
Tabata A, Oliveira JBB, Silva ECF, Lamas TE, Duarte CA, Gusev GM. Excitons in undoped AlGaAs/GaAs wide parabolic quantum wells [Internet]. Journal Physics - Conference Series. 2010 ; 210( 1): 012052-1 - 012052-4.[citado 2024 abr. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1742-6596/210/1/012052 -
Vancouver
Tabata A, Oliveira JBB, Silva ECF, Lamas TE, Duarte CA, Gusev GM. Excitons in undoped AlGaAs/GaAs wide parabolic quantum wells [Internet]. Journal Physics - Conference Series. 2010 ; 210( 1): 012052-1 - 012052-4.[citado 2024 abr. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1742-6596/210/1/012052 - Estudo das propriedades de interfaces em poços quânticos de GaAs/GaAlAs
- Novos resultados para excitons ligados em pocos quanticos
- Optical studies of the correlation between interface disorder and the photoluminescence line shape in GaAs/InGaP quantum wells
- Magneto-optical studies of the correlation between interface microroughness parameters and the photoluminescence line shape in GaAs/'Ga IND.0.7''Al IND.0.3' Al quantum wells
- Propriedades elasticas e momento de dipolo de moleculas diatomicas
- AIA: band structure, energies at symmetry points
- Growth temperature dependent on the optical properties of 'GA''IN''AS'N/'GA''AS' single quantum well
- New results in photoluminescence-excitation measurements from Be single delta-doped GaAs layers
- New results on bound exciton in quantum wells
- Estudo de micro-rugosidades em pocos quanticos
Informações sobre o DOI: 10.1088/1742-6596/210/1/012052 (Fonte: oaDOI API)
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