Growth temperature dependent on the optical properties of 'GA''IN''AS'N/'GA''AS' single quantum well (2011)
- Authors:
- Cavalcante, J S - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho (UNESP)
- Silva, E C F da
- Bassetto Jr, C A Z - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho (UNESP)
- Oliveira, J B B de - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho (UNESP)
- Tabata, A - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho (UNESP)
- Autor USP: SILVA, EUZI CONCEICAO FERNANDES DA - IF
- Unidade: IF
- Assunto: SEMICONDUTORES (FÍSICO-QUÍMICA)
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher: SBF
- Publisher place: Foz do Iguaçu
- Date published: 2011
- Source:
- Título do periódico: Resumo
- Conference titles: Econtro de Física
-
ABNT
CAVALCANTE, J S et al. Growth temperature dependent on the optical properties of 'GA''IN''AS'N/'GA''AS' single quantum well. 2011, Anais.. Foz do Iguaçu: SBF, 2011. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R1381-1.pdf. Acesso em: 18 abr. 2024. -
APA
Cavalcante, J. S., Silva, E. C. F. da, Bassetto Jr, C. A. Z., Oliveira, J. B. B. de, & Tabata, A. (2011). Growth temperature dependent on the optical properties of 'GA''IN''AS'N/'GA''AS' single quantum well. In Resumo. Foz do Iguaçu: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R1381-1.pdf -
NLM
Cavalcante JS, Silva ECF da, Bassetto Jr CAZ, Oliveira JBB de, Tabata A. Growth temperature dependent on the optical properties of 'GA''IN''AS'N/'GA''AS' single quantum well [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 abr. 18 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R1381-1.pdf -
Vancouver
Cavalcante JS, Silva ECF da, Bassetto Jr CAZ, Oliveira JBB de, Tabata A. Growth temperature dependent on the optical properties of 'GA''IN''AS'N/'GA''AS' single quantum well [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 abr. 18 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R1381-1.pdf - Estudo das propriedades de interfaces em poços quânticos de GaAs/GaAlAs
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