Analysis of confinement potential fluctuation and band-gap renormalization effects on excitonic transition in GaAs/AlGaAs multiquantum wells grown on (1 0 0) and (3 1 1)A GaAs surfaces (2012)
- Authors:
- Lourenço, S. A. - Universidade Tecnológica Federal do Paraná (UTFPR)
- Teodoro, M. D. - Universidade Estadual de Londrina (UEL)
- González-Borrero, P. P.
- Dias, I. F. L. - Universidade Estadual de Londrina (UEL)
- Duarte, J. L. - Universidade Estadual de Londrina (UEL)
- Marega Júnior, Euclydes
- Salamo, G. J. - University of Arkansas (UARK)
- Autor USP: MAREGA JUNIOR, EUCLYDES - IFSC
- Unidade: IFSC
- DOI: 10.1016/j.physb.2012.02.020
- Subjects: POÇOS QUÂNTICOS; FOTOLUMINESCÊNCIA; SEMICONDUTORES
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
LOURENÇO, S. A. et al. Analysis of confinement potential fluctuation and band-gap renormalization effects on excitonic transition in GaAs/AlGaAs multiquantum wells grown on (1 0 0) and (3 1 1)A GaAs surfaces. Physica B, v. 407, n. 12, p. 2131-2135, 2012Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.physb.2012.02.020. Acesso em: 19 abr. 2024. -
APA
Lourenço, S. A., Teodoro, M. D., González-Borrero, P. P., Dias, I. F. L., Duarte, J. L., Marega Júnior, E., & Salamo, G. J. (2012). Analysis of confinement potential fluctuation and band-gap renormalization effects on excitonic transition in GaAs/AlGaAs multiquantum wells grown on (1 0 0) and (3 1 1)A GaAs surfaces. Physica B, 407( 12), 2131-2135. doi:10.1016/j.physb.2012.02.020 -
NLM
Lourenço SA, Teodoro MD, González-Borrero PP, Dias IFL, Duarte JL, Marega Júnior E, Salamo GJ. Analysis of confinement potential fluctuation and band-gap renormalization effects on excitonic transition in GaAs/AlGaAs multiquantum wells grown on (1 0 0) and (3 1 1)A GaAs surfaces [Internet]. Physica B. 2012 ; 407( 12): 2131-2135.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2012.02.020 -
Vancouver
Lourenço SA, Teodoro MD, González-Borrero PP, Dias IFL, Duarte JL, Marega Júnior E, Salamo GJ. Analysis of confinement potential fluctuation and band-gap renormalization effects on excitonic transition in GaAs/AlGaAs multiquantum wells grown on (1 0 0) and (3 1 1)A GaAs surfaces [Internet]. Physica B. 2012 ; 407( 12): 2131-2135.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2012.02.020 - Uma proposta curricular para o ensino de mecânica em cursos de licenciatura de matemática e biologia
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Informações sobre o DOI: 10.1016/j.physb.2012.02.020 (Fonte: oaDOI API)
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