Photoreflectance analysis of periodically delta-doped GaAs (1990)
- Authors:
- USP affiliated authors: LI, MAXIMO SIU - IFQSC ; HIPOLITO, OSCAR - IFQSC
- Unidade: IFQSC
- Assunto: FÍSICA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher: International Society for Optical Engineering - SPIE
- Publisher place: Bellingham
- Date published: 1990
- Source:
- Título do periódico: Abstracts
- Conference titles: Symposium on Advances in Semiconductors and Superconductors : Physics Toward Device Application
-
ABNT
BERNUSSI, Ayrton A. et al. Photoreflectance analysis of periodically delta-doped GaAs. 1990, Anais.. Bellingham: International Society for Optical Engineering - SPIE, 1990. . Acesso em: 24 abr. 2024. -
APA
Bernussi, A. A., Motisuke, P., Basmaji, P., Notari, A. C., Siu Li, M., & Hipólito, O. (1990). Photoreflectance analysis of periodically delta-doped GaAs. In Abstracts. Bellingham: International Society for Optical Engineering - SPIE. -
NLM
Bernussi AA, Motisuke P, Basmaji P, Notari AC, Siu Li M, Hipólito O. Photoreflectance analysis of periodically delta-doped GaAs. Abstracts. 1990 ;[citado 2024 abr. 24 ] -
Vancouver
Bernussi AA, Motisuke P, Basmaji P, Notari AC, Siu Li M, Hipólito O. Photoreflectance analysis of periodically delta-doped GaAs. Abstracts. 1990 ;[citado 2024 abr. 24 ] - Photoreflectance spectroscopy on periodically 'SI' delta-doped 'GA' 'AS'
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