MBE growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI' (1989)
- Authors:
- USP affiliated authors: HIPOLITO, OSCAR - IFQSC ; LI, MAXIMO SIU - IFQSC
- Unidade: IFQSC
- Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher: Universidade de Brasilia
- Publisher place: Brasília
- Date published: 1989
- Source:
- Título do periódico: Program and Abstracts
- Conference titles: Conference on Superlattices, Quantum Wells, and Mbe Technology
-
ABNT
BASMAJI, Pierre et al. MBE growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'. 1989, Anais.. Brasília: Universidade de Brasilia, 1989. . Acesso em: 06 maio 2024. -
APA
Basmaji, P., Ceschin, A. M., Siu Li, M., Hipólito, O., Bernussi, A. A., Iikawa, F., & Motisuke, P. (1989). MBE growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'. In Program and Abstracts. Brasília: Universidade de Brasilia. -
NLM
Basmaji P, Ceschin AM, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P. MBE growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'. Program and Abstracts. 1989 ;[citado 2024 maio 06 ] -
Vancouver
Basmaji P, Ceschin AM, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P. MBE growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'. Program and Abstracts. 1989 ;[citado 2024 maio 06 ] - Photoreflectance spectroscopy on periodically 'SI' delta-doped 'GA' 'AS'
- Photoreflectance analysis of periodically delta-doped GaAs
- Análise termodinâmica da deformação em 'GA''AS'/'SI' crescidos pela técnica de epitaxia por feixe molecular
- Photoreflectance characterization of 'gama'-doped p-GaAs
- Photoreflectance characterization of silicon Delta-doping p-'GA''AS' layer grown by MBE
- Photoreflectance characterization of silicon delta-doped p-'GA''AS'
- Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'
- Implementação e estudo de um sistema de capacitância-voltagem para caracterização de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE)
- Dopagem planar ('gama' - doping): 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE)
- Mbe growth and characterization of periodically 'DELTA'-doped 'GA''AS'
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
