Determinação de parâmetros de massa efetiva em semicondutores III-V a partir de simulações ab initio (2012)
- Authors:
- Autor USP: SIPAHI, GUILHERME MATOS - IFSC
- Unidade: IFSC
- Subjects: SEMICONDUTORES; FÍSICA COMPUTACIONAL
- Language: Português
- Imprenta:
- Publisher: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC
- Publisher place: São Carlos
- Date published: 2012
- ISBN: 9788561958022
- Source:
- Título do periódico: Livro de Resumos
- Conference titles: Semana do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC
-
ABNT
BASTOS, Carlos Maciel de Oliveira e SIPAHI, Guilherme Matos. Determinação de parâmetros de massa efetiva em semicondutores III-V a partir de simulações ab initio. 2012, Anais.. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2012. . Acesso em: 19 abr. 2024. -
APA
Bastos, C. M. de O., & Sipahi, G. M. (2012). Determinação de parâmetros de massa efetiva em semicondutores III-V a partir de simulações ab initio. In Livro de Resumos. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC. -
NLM
Bastos CM de O, Sipahi GM. Determinação de parâmetros de massa efetiva em semicondutores III-V a partir de simulações ab initio. Livro de Resumos. 2012 ;[citado 2024 abr. 19 ] -
Vancouver
Bastos CM de O, Sipahi GM. Determinação de parâmetros de massa efetiva em semicondutores III-V a partir de simulações ab initio. Livro de Resumos. 2012 ;[citado 2024 abr. 19 ] - Paralelização do cálculo de estrutura de bandas usando o Portland HPF
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