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Modelos de circuitos equivalentes para explicar espectros de impedância de dispositivos de efeito de campo (2013)

  • Authors:
  • Autor USP: SOUSA, MARCOS ANTONIO MOURA DE - IFSC
  • Unidade: IFSC
  • Sigla do Departamento: FCM
  • Subjects: ESPECTROSCOPIA; SENSORES BIOMÉDICOS; SEMICONDUTORES (FÍSICO-QUÍMICA)
  • Keywords: Bicamadas de PAMAM/SWNT; Circuitos equivalentes; Dispositivos de efeito de campo; EIS sensors; Equivalent circuits; Espectroscopia de impedância; Field-effect devices; Impedance spectroscopy; PAMAM/SWNT bilayers; Sensores EIS
  • Language: Português
  • Abstract: Biossensores que empregam dispositivos de efeitos de campo podem ser obtidos em diversas arquiteturas, incluindo dispositivos Eletrólito-Isolante-Semicondutor (EIS), que são capacitores em que o eletrodo metálico é substituí­do por um filme e uma solução. Medindo-se a capacitância em função do potencial aplicado, é possível detectar variações de pH oriundas de reações ou interações entre o filme e o analito. Nesta dissertação, sensores foram produzidos com a adsorção de filmes automontados de dendrímero (PAMAM) e nanotubos de carbono (SWNT) num chip. Medidas de espectroscopia de impedância foram realizadas para investigar o crescimento de cada bicamada do filme automontado, e os dados foram analisados com circuitos equivalentes que continham uma capacitância de dupla camada, um elemento de fase constante e uma capacitância para a região de depleção. Para o chip, os melhores ajustes foram obtidos na frequência de 2 kHz, em que a concentração de dopantes foi 6,6x1020 m-3 para o chip com isolante de SiO2 e de 1,1x1021 m-3 para o chip com isolante de SiO2/Ta2O5. O potencial de banda plana foi -0,2 V e -0,06V, respectivamente. Para os chips recobertos com os filmes de PAMAM/SWNT, observamos que a região de depleção é causada pelas cargas positivas do PAMAM. Com relação às implicações para biossensores, verificamos que o desempenho ótimo deve ser obtido com 3 bicamadas de PAMAM/SWNT. Isso pode explicar a observação empírica na literatura de que existe uma espessura ideal dos filmespara um desempenho otimizado
  • Imprenta:
  • Data da defesa: 17.04.2013
  • Acesso à fonte
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    • ABNT

      SOUSA, Marcos Antonio Moura de. Modelos de circuitos equivalentes para explicar espectros de impedância de dispositivos de efeito de campo. 2013. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Carlos, 2013. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-19062013-080945/. Acesso em: 19 abr. 2024.
    • APA

      Sousa, M. A. M. de. (2013). Modelos de circuitos equivalentes para explicar espectros de impedância de dispositivos de efeito de campo (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-19062013-080945/
    • NLM

      Sousa MAM de. Modelos de circuitos equivalentes para explicar espectros de impedância de dispositivos de efeito de campo [Internet]. 2013 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-19062013-080945/
    • Vancouver

      Sousa MAM de. Modelos de circuitos equivalentes para explicar espectros de impedância de dispositivos de efeito de campo [Internet]. 2013 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-19062013-080945/

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