Broadband NIR emission in novel sol-gel 'Er POT.3+' -doped Si'O IND.2'-'Nb IND.2''O IND.5' glass ceramic planar waveguides for photonic applications (2013)
- Authors:
- Autor USP: GONÇALVES, ROGÉRIA ROCHA - FFCLRP
- Unidade: FFCLRP
- DOI: 10.1016/j.optmat.2012.09.029
- Subjects: FOTÔNICA; PROCESSO SOL-GEL; NIÓBIO; ÓPTICA (PROPRIEDADES)
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Optical Materials
- ISSN: 0925-3467
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 35, n. 3, p. 387-396, 2013
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
AQUINO, Felipe Thomaz et al. Broadband NIR emission in novel sol-gel 'Er POT.3+' -doped Si'O IND.2'-'Nb IND.2''O IND.5' glass ceramic planar waveguides for photonic applications. Optical Materials, v. 35, n. 3, p. 387-396, 2013Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.optmat.2012.09.029. Acesso em: 16 abr. 2024. -
APA
Aquino, F. T., Ferrari, J. L., Ribeiro, S. J. L., Ferrier, A., Goldner, P., & Gonçalves, R. R. (2013). Broadband NIR emission in novel sol-gel 'Er POT.3+' -doped Si'O IND.2'-'Nb IND.2''O IND.5' glass ceramic planar waveguides for photonic applications. Optical Materials, 35( 3), 387-396. doi:10.1016/j.optmat.2012.09.029 -
NLM
Aquino FT, Ferrari JL, Ribeiro SJL, Ferrier A, Goldner P, Gonçalves RR. Broadband NIR emission in novel sol-gel 'Er POT.3+' -doped Si'O IND.2'-'Nb IND.2''O IND.5' glass ceramic planar waveguides for photonic applications [Internet]. Optical Materials. 2013 ; 35( 3): 387-396.[citado 2024 abr. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.optmat.2012.09.029 -
Vancouver
Aquino FT, Ferrari JL, Ribeiro SJL, Ferrier A, Goldner P, Gonçalves RR. Broadband NIR emission in novel sol-gel 'Er POT.3+' -doped Si'O IND.2'-'Nb IND.2''O IND.5' glass ceramic planar waveguides for photonic applications [Internet]. Optical Materials. 2013 ; 35( 3): 387-396.[citado 2024 abr. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.optmat.2012.09.029 - Guia de luz planar de Si'O IND. 2'-Zr'O IND. 2' dopado com íons 'Er POT. 3+' para aplicação em fotônica
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Informações sobre o DOI: 10.1016/j.optmat.2012.09.029 (Fonte: oaDOI API)
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