Photoluminescence properties of different ZrO2 polymorphs obtained by sol-gel method (2013)
- Authors:
- USP affiliated authors: NUNES, LUIZ ANTONIO DE OLIVEIRA - IFSC ; BRITO, HERMI FELINTO DE - IQ
- Unidades: IFSC; IQ
- Subjects: FOTOLUMINESCÊNCIA; DIFRAÇÃO POR RAIOS X; PROPRIEDADES DOS MATERIAIS; NANOCOMPOSITOS
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat
- Publisher place: Rio de Janeiro
- Date published: 2013
- Source:
- Título do periódico: Program Book
- Conference titles: Brazilian MRS Meeting
-
ABNT
CARVALHO, J. M. et al. Photoluminescence properties of different ZrO2 polymorphs obtained by sol-gel method. 2013, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2013. . Acesso em: 20 abr. 2024. -
APA
Carvalho, J. M., Lastusaari, M., Rodrigues, L. C. V., Nunes, L. A. de O., Felinto, M. C. F. da C., Hölsa, J., & Brito, H. F. de. (2013). Photoluminescence properties of different ZrO2 polymorphs obtained by sol-gel method. In Program Book. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. -
NLM
Carvalho JM, Lastusaari M, Rodrigues LCV, Nunes LA de O, Felinto MCF da C, Hölsa J, Brito HF de. Photoluminescence properties of different ZrO2 polymorphs obtained by sol-gel method. Program Book. 2013 ;[citado 2024 abr. 20 ] -
Vancouver
Carvalho JM, Lastusaari M, Rodrigues LCV, Nunes LA de O, Felinto MCF da C, Hölsa J, Brito HF de. Photoluminescence properties of different ZrO2 polymorphs obtained by sol-gel method. Program Book. 2013 ;[citado 2024 abr. 20 ] - Luminescence persistent from 'Pr POT.3+'-doped silicate phosphor
- Discovery of the persistent luminescence mechanism of CdSi'O IND. 3':'Tb POT. 3+'
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- Influência da temperatura na persistência luminescente verde do fósforo 'CD''SI''O IND. 3' dopado com íons 'TB POT. 3+'
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- Temperature dependent ligand to metal energy transfer rates in lanthanide complexes: theoretical modeling and the first direct experimental observation
- Red light emitting persistent luminescence in 'Pr POT.3+'-doped silicate
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