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O transistor válvula de spin de AlGaAs/GaAs e outros semicondutores: dirigido a novos dispositivos spintrônicos (2013)

  • Authors:
  • USP affiliated authors: AYLLON, EDGAR FERNANDO ALIAGA - IF
  • USP Schools: IF
  • Sigla do Departamento: FMT
  • Subjects: GÁS DE ELÉTRONS BIDIMENSIONAL; POÇO PARABÓLICO; FATOR G DE LANDÉ; EFEITO HALL; VÁLVULA DE SPIN
  • Language: Português
  • Imprenta:
  • Data da defesa: 26.11.2013
  • Acesso online ao documento

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    Exemplares físicos disponíveis nas Bibliotecas da USP
    BibliotecaCód. de barrasNúm. de chamada
    IF30500055236530.4 A978t M Ex.1
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    • ABNT

      ALIAGA AYLLÓN, Edgar Fernando; GUSEV, Gennady M. O transistor válvula de spin de AlGaAs/GaAs e outros semicondutores: dirigido a novos dispositivos spintrônicos. 2013.Universidade de São Paulo, São Paulo, 2013. Disponível em: < http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-20102014-164755/pt-br.php >.
    • APA

      Aliaga Ayllón, E. F., & Gusev, G. M. (2013). O transistor válvula de spin de AlGaAs/GaAs e outros semicondutores: dirigido a novos dispositivos spintrônicos. Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-20102014-164755/pt-br.php
    • NLM

      Aliaga Ayllón EF, Gusev GM. O transistor válvula de spin de AlGaAs/GaAs e outros semicondutores: dirigido a novos dispositivos spintrônicos [Internet]. 2013 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-20102014-164755/pt-br.php
    • Vancouver

      Aliaga Ayllón EF, Gusev GM. O transistor válvula de spin de AlGaAs/GaAs e outros semicondutores: dirigido a novos dispositivos spintrônicos [Internet]. 2013 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-20102014-164755/pt-br.php

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