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Sequência simples de fabricação de transistores SOI nMOSFET (2014)

  • Authors:
  • USP affiliated authors: RANGEL, RICARDO CARDOSO - EP
  • USP Schools: EP
  • Subjects: TRANSISTORES; MICROELETRÔNICA; FABRICAÇÃO (MICROELETRÔNICA); DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS; SEMICONDUTORES
  • Language: Português
  • Abstract: Neste trabalho é desenvolvido de forma inédita no Brasil um processo simples de fabricação de transistores FD SOI nMOSFET (Fully-Depleted Silicon-On-Insulator) com porta de silício policristalino, para servir como base para futuros desenvolvimentos e, também, com finalidade de educação em microeletrônica. É proposta uma sequência de etapas de fabricação necessárias para a obtenção do dispositivo FD SOI nMOSFET, usando apenas 3 etapas de fotogravação e usando o óxido enterrado, intrínseco à tecnologia SOI, como região de campo, objetivando a obtenção do processo mais simples possível e eficiente. São apresentados os procedimentos detalhados de todas as etapas de fabricação executadas. Para obtenção da tensão de limiar de 1V foram fabricadas amostras com 2 doses diferentes de implantação iônica, 1,0x10¹³c⁻² e 1,2x10¹³cm⁻². Estas doses resultaram em tensões de limiar (VTH) de 0,72V e 1,08V; respectivamente. Como esperado, a mobilidade independente de campo (µ0) é maior na amostra com dose menor, sendo de 620cm²/Vs e, para a dose maior, 460cm²/Vs. A inclinação de sublimiar é calculada através da obtenção experimental do fator de acoplamento capacitivo (α) 0,22; para as duas doses, e resulta em 73mV/déc. O ganho intrínseco de tensão (AV) mostrou-se maior na amostra com maior dose em função da menor condutância de saída, sendo 28dB contra 26dB para a dose menor, no transistor com L=40µm e W=12µm. Desta forma foi possível implementar uma sequência simples de fabricação de transistores SOI, com resultados elétricos relevantes e com apenas 3 etapas de fotogravação, fato importante para viabilizar seu uso em formação de recursos humanos para microeletrônica.
  • Imprenta:
  • Data da defesa: 10.02.2014
  • Acesso online ao documento

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    EPBC31200043263FD-6302
    How to cite
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    • ABNT

      RANGEL, Ricardo Cardoso; MARTINO, João Antonio. Sequência simples de fabricação de transistores SOI nMOSFET. 2014.Universidade de São Paulo, São Paulo, 2014. Disponível em: < http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12122014-153226/pt-br.php >.
    • APA

      Rangel, R. C., & Martino, J. A. (2014). Sequência simples de fabricação de transistores SOI nMOSFET. Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12122014-153226/pt-br.php
    • NLM

      Rangel RC, Martino JA. Sequência simples de fabricação de transistores SOI nMOSFET [Internet]. 2014 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12122014-153226/pt-br.php
    • Vancouver

      Rangel RC, Martino JA. Sequência simples de fabricação de transistores SOI nMOSFET [Internet]. 2014 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12122014-153226/pt-br.php

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