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Uso de diodos epitaxiais de Si em dosimetria de fótons (2013)

  • Authors:
  • USP affiliated authors: PEREIRA, LILIAN NUNES - IPEN
  • USP Schools: IPEN
  • Subjects: TOMOGRAFIA; IMAGEM DIGITAL; RAIOS X; DOSIMETRIA; FOTÔNICA; COMPUTAÇÃO APLICADA
  • Language: Português
  • Abstract: Neste trabalho são apresentados os resultados da caracterização dosimétrica de dois diodos especiais de silício, resistentes a danos de radiação, crescidos pelo método epitaxial com vistas a sua aplicação na monitoração em tempo real de feixes de fótons de qualidades de radiodiagnóstico convencional, mamografia e tomografia computadorizada, no intervalo de tensão de 28 kV a 150 kV. Os dispositivos utilizados, um submetido à pré-dose de 200 kGy de raios gama do 60Co no Centro de Tecnologia das Radiações (CTR) do IPENCNEN/ SP, e outro sem qualquer irradiação prévia, foram processados na Universidade de Hamburgo a partir de uma camada epitaxial com 50 μm de espessura. Apenas para comparação, um diodo de Si crescido por fusão zonal padrão foi também estudado. As irradiações foram realizadas no Laboratório de Calibração de Instrumentos (LCI) do IPEN/CNEN-SP, onde está instalado um gerador de radiação X, Pantak-Seifert, Isovolt 160 HS, cujas qualidades de radiação foram verificadas por câmaras de ionização padronizadas. Os diodos foram ligados a um eletrômetro Keithley 6517B em modo fotovoltaico, com a distância do ponto focal do gerador aos diodos mantida em 1 m. Os principais parâmetros dosimétricos das amostras foram avaliados de acordo com a norma IEC61674. Os coeficientes de calibração dos diodos em termos do kerma no ar também foram determinados. Os diodos apresentaram excelente estabilidade de resposta em curto prazo para as qualidades estudadas, com coeficientes devariação em corrente equivalentes e não superiores a 0,3%. O comportamento das fotocorrentes em função da taxa de dose foi linear para os três dispositivos no intervalo de 0,8 a 77,2 mGy/min. As curvas carga-dose obtidas pela integração dos sinais de corrente tornaram evidente a ausência de dependência energética para feixes de mamografia e de radiodiagnóstico até 70 kV. O diodo epitaxial sem pré-dose apresentou maior sensibilidade em corrente e em carga em relação aos demais, com queda neste parâmetro de 8% após receber dose acumulada de 49 Gy. Até este limite de dose, as correntes de fuga dos dispositivos mantiveram-se estáveis em cerca de 0,4 pA ao longo das irradiações, sendo menores por um fator até 104 em relação às correntes em condição de irradiação. A variação da resposta direcional de ambos diodos para o intervalo de ± 5° foi inferior a 0,1 % e seus coeficientes de calibração para os feixes estudados foram determinados a partir dos padrões de referência do LCI. As alterações das características elétricas das amostras em função de danos de radiação foram também estudadas e não revelaram alteração significativa para tensão de polarização nula. Com base nos resultados obtidos até o presente e considerando as recomendações da norma IEC 61674, pode-se afirmar que diodos epitaxiais sem pré-dose e com pré-dose podem ser empregados de forma confiável na dosimetria de feixes de radiação eletromagnética para imagens médicas até o limite de dose acumulada de 10 Gy e acima de206 kGy, respectivamente
  • Imprenta:
  • Data da defesa: 11.12.2013
  • Acesso online ao documento

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    Exemplares físicos disponíveis nas Bibliotecas da USP
    BibliotecaCód. de barrasNúm. de chamada
    IPEN2476565-10T615.849: P436u
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    • ABNT

      PEREIRA, ^Lilian^Nunes; GONÇALVES, Josemary Angélica Corrêa. Uso de diodos epitaxiais de Si em dosimetria de fótons. 2013.Universidade de São Paulo, São Paulo, 2013. Disponível em: < http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/85/85131/tde-28012014-081211/ >.
    • APA

      Pereira, ^L. ^N., & Gonçalves, J. A. C. (2013). Uso de diodos epitaxiais de Si em dosimetria de fótons. Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/85/85131/tde-28012014-081211/
    • NLM

      Pereira ^L^N, Gonçalves JAC. Uso de diodos epitaxiais de Si em dosimetria de fótons [Internet]. 2013 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/85/85131/tde-28012014-081211/
    • Vancouver

      Pereira ^L^N, Gonçalves JAC. Uso de diodos epitaxiais de Si em dosimetria de fótons [Internet]. 2013 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/85/85131/tde-28012014-081211/

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