Análise dos efeitos de tensão em espectros de fotoluminescência teóricos em nanoestruturas de GaAs/GaAsN (2014)
- Authors:
- Autor USP: SIPAHI, GUILHERME MATOS - IFSC
- Unidade: IFSC
- Subjects: SEMICONDUTORES; FOTOLUMINESCÊNCIA; MATERIAIS NANOESTRUTURADOS
- Language: Português
- Imprenta:
- Publisher: Sociedade Brasileira de Física - SBF
- Publisher place: São Paulo
- Date published: 2014
- Source:
- Título do periódico: Resumos
- Conference titles: Encontro de Físicos do Norte e Nordeste
-
ABNT
OLIVEIRA, Thiago F. et al. Análise dos efeitos de tensão em espectros de fotoluminescência teóricos em nanoestruturas de GaAs/GaAsN. 2014, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2014. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxxi/sys/resumos/R0544-1.pdf. Acesso em: 23 abr. 2024. -
APA
Oliveira, T. F., Rodrigues, S. C. P., Sipahi, G. M., & Silva Júnior, E. F. (2014). Análise dos efeitos de tensão em espectros de fotoluminescência teóricos em nanoestruturas de GaAs/GaAsN. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxxi/sys/resumos/R0544-1.pdf -
NLM
Oliveira TF, Rodrigues SCP, Sipahi GM, Silva Júnior EF. Análise dos efeitos de tensão em espectros de fotoluminescência teóricos em nanoestruturas de GaAs/GaAsN [Internet]. Resumos. 2014 ;[citado 2024 abr. 23 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxxi/sys/resumos/R0544-1.pdf -
Vancouver
Oliveira TF, Rodrigues SCP, Sipahi GM, Silva Júnior EF. Análise dos efeitos de tensão em espectros de fotoluminescência teóricos em nanoestruturas de GaAs/GaAsN [Internet]. Resumos. 2014 ;[citado 2024 abr. 23 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxxi/sys/resumos/R0544-1.pdf - Paralelização do cálculo de estrutura de bandas usando o Portland HPF
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