Determination of mobility edge in presence of metal-to-insulator transition (2017)
- Authors:
- USP affiliated authors: POUSSEP, IOURI - IFSC
- USP Schools: IFSC
- Subjects: POÇOS QUÂNTICOS; ELÉTRONS; FOTOLUMINESCÊNCIA
- Keywords: Metal-to-insulator transition; Interface; Time-resolved photoluminescence
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC
- Publisher place: São Carlos
- Date published: 2017
- Source:
- Título do periódico: Livro de Resumos
- Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC
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ABNT
TITO, M. A.; PUSEP, Yuri A. Determination of mobility edge in presence of metal-to-insulator transition. Anais.. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2017. -
APA
Tito, M. A., & Pusep, Y. A. (2017). Determination of mobility edge in presence of metal-to-insulator transition. In Livro de Resumos. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC. -
NLM
Tito MA, Pusep YA. Determination of mobility edge in presence of metal-to-insulator transition. Livro de Resumos. 2017 ; -
Vancouver
Tito MA, Pusep YA. Determination of mobility edge in presence of metal-to-insulator transition. Livro de Resumos. 2017 ; - Influence of energy structure on recombination lifetime in GaAs/AlGaAs multilayers
- Is there inter-valley Auger recombination in InGaAs/InP quantum wells?
- Recombination kinetics of photogenerated electrons in InGaAs/InP quantum wells
- Influence of energy structure on recombination lifetime in GaAs/AlGaAs multilayers
- Valence band spin-splitting detuning with tilting magnetic field in multiple quantum wells
- The Scientific World Journal: condensed matter physics
- Circularly polarized photoluminescence of GaAs/AlGaAs quantum hall bilayers
- Localização e coerência de excitações elementares em sistemas eletrônicos desordenados: ligas AlGaAs e Super-redes GaAs/AlGaAs intencionalmente desordenadas
- Propriedades de sistemas eletrônicos desordenados formados em nano-heteroestrututas [i.e. nano-heteroestruturas] semicondutores
- Delocalization-localization transition of plasmons in disordered superlattices
Biblioteca | Cód. de barras | Núm. de chamada |
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IFSC | 89026613 | PROD026613 |
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