Two-dimensional van der Waals p-n junction of 'IN''SE'/phosphorene (2017)
- Authors:
- USP affiliated authors: FAZZIO, ADALBERTO - IF ; SILVA, ANTONIO JOSE ROQUE DA - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1103/PhysRevB.95.195143
- Subjects: NANOTECNOLOGIA; SEMICONDUTORES
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher place: College, PK.
- Date published: 2017
- Source:
- Título do periódico: PHYSICAL REVIEW B
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 95, n. 19, p. 195143, mai. 2017
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
PADILHA, J. E. et al. Two-dimensional van der Waals p-n junction of 'IN''SE'/phosphorene. PHYSICAL REVIEW B, v. 95, n. 19, p. 195143, 2017Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.95.195143. Acesso em: 06 maio 2024. -
APA
Padilha, J. E., Miwa, R. H., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2017). Two-dimensional van der Waals p-n junction of 'IN''SE'/phosphorene. PHYSICAL REVIEW B, 95( 19), 195143. doi:10.1103/PhysRevB.95.195143 -
NLM
Padilha JE, Miwa RH, Fazzio A, Silva AJR da. Two-dimensional van der Waals p-n junction of 'IN''SE'/phosphorene [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2017 ; 95( 19): 195143.[citado 2024 maio 06 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.95.195143 -
Vancouver
Padilha JE, Miwa RH, Fazzio A, Silva AJR da. Two-dimensional van der Waals p-n junction of 'IN''SE'/phosphorene [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2017 ; 95( 19): 195143.[citado 2024 maio 06 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.95.195143 - Dinâmica molecular de primeiros princípios da transição de fase zincblend -'beta'-Sn na liga ordenada 'Si IND.0.5' 'Ge IND.0.5'
- Ge monomers and dimers adsorbed on the Si(100) surface
- Theoretical STM images of Ge monomers and trimers on Si(100)
- Ab initio determination of the atomistic structure of 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X' alloy
- Estudo ab initio da liga 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X' sob pressão
- Spin effects on the oxidation process in 'SiO IND.2'
- Theoretical study of vancancies in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'
- Ab initio calculations of vacancies in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X'
- Theoretical STM images of Ge adsorption on Si(100)
- Si incorporation in Si(100) steps
Informações sobre o DOI: 10.1103/PhysRevB.95.195143 (Fonte: oaDOI API)
Download do texto completo
| Tipo | Nome | Link | |
|---|---|---|---|
 | PhysRevB.95.195143.pdf |
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
