TCAD Strain Calibration Versus Nanobeam Diffraction of Source/Drain Stressors for Ge MOSFETs (2015)
- Authors:
- Autor USP: MARTINO, JOÃO ANTONIO - EP
- Unidade: EP
- DOI: 10.1109/ted.2015.2397441
- Assunto: NANOTECNOLOGIA
- Language: Inglês
- Source:
- Título do periódico: IEEE Transactions on Electron Devices
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 62, n. 4, p. 1079-1084, April 2015
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo é de acesso aberto
- URL de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: green
-
ABNT
BÜHLER, Rudolf Theoderich et al. TCAD Strain Calibration Versus Nanobeam Diffraction of Source/Drain Stressors for Ge MOSFETs. IEEE Transactions on Electron Devices, v. 62, n. 4, p. 1079-1084, 2015Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1109/ted.2015.2397441. Acesso em: 24 abr. 2024. -
APA
Bühler, R. T., Vincent, B., Witters, L. J., Favia, P., Eneman, G., & Martino, J. A. (2015). TCAD Strain Calibration Versus Nanobeam Diffraction of Source/Drain Stressors for Ge MOSFETs. IEEE Transactions on Electron Devices, 62( 4), 1079-1084. doi:10.1109/ted.2015.2397441 -
NLM
Bühler RT, Vincent B, Witters LJ, Favia P, Eneman G, Martino JA. TCAD Strain Calibration Versus Nanobeam Diffraction of Source/Drain Stressors for Ge MOSFETs [Internet]. IEEE Transactions on Electron Devices. 2015 ; 62( 4): 1079-1084.[citado 2024 abr. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1109/ted.2015.2397441 -
Vancouver
Bühler RT, Vincent B, Witters LJ, Favia P, Eneman G, Martino JA. TCAD Strain Calibration Versus Nanobeam Diffraction of Source/Drain Stressors for Ge MOSFETs [Internet]. IEEE Transactions on Electron Devices. 2015 ; 62( 4): 1079-1084.[citado 2024 abr. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1109/ted.2015.2397441 - Temperature influences on the drain leakage current behavior in graded-channel SOI nMOSFETs
- Projeto de processos de fabricação avançados aplicáveis nas tecnologias CMOS micrométricas
- Analysis of the linear kink effect in partially depleted SOI nMOSFETs
- Simple method to extract the length dependent mobility degradation factor at 77 K
- Mobility degradation influence on the SOI MOSFET channel length extraction at 77K
- Low temperature and channel engineering influence on harmonic distortion of soi nmosfets for analog applications
- Analysis of the capacitance vs. voltage in graded channel SOI capacitor
- A simple technique to reduce the influence of the series resistance on the BULK and SOI MOSFET parameter extraction
- Metodo simples para a obtencao da densidade de armadilhas na primeira e segunda interface em soi-mosfet
- Simple method for the determination of the interface trap density at 77k in fully depleted acumulation mode soi mosfets
Informações sobre o DOI: 10.1109/ted.2015.2397441 (Fonte: oaDOI API)
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
