Effect of As flux on InAs submonolayer quantum dot formation for infrared photodetectors (2022)
- Authors:
- USP affiliated authors: QUIVY, ALAIN ANDRE - IF ; CANTALICE, TIAGO FERNANDES DE - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1016/j.sna.2021.113357
- Subjects: FÍSICA MODERNA; NANOTECNOLOGIA; MICROSCOPIA DE FORÇA ATÔMICA; RADIAÇÃO INFRAVERMELHA; FOTODETECTORES
- Keywords: Submonolayer quantum dots; Infrared photodetector; Segregation; InAs; Scanning tunneling microscopy; Molecular beam epitaxy
- Agências de fomento:
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Sensors and Actuators A: Physical
- ISSN: 0924-4247
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 334, fevereiro de 2022, número do artigo: 113357
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo é de acesso aberto
- URL de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: green
- Licença: other-oa
-
ABNT
ALZEIDAN, A. et al. Effect of As flux on InAs submonolayer quantum dot formation for infrared photodetectors. Sensors and Actuators A: Physical, v. 334, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sna.2021.113357. Acesso em: 21 maio 2024. -
APA
Alzeidan, A., Cantalice, T. F., Vallejo, K. D., Gajjela, R. S. R., Hendriks, A. L., Simmonds, P. J., et al. (2022). Effect of As flux on InAs submonolayer quantum dot formation for infrared photodetectors. Sensors and Actuators A: Physical, 334. doi:10.1016/j.sna.2021.113357 -
NLM
Alzeidan A, Cantalice TF, Vallejo KD, Gajjela RSR, Hendriks AL, Simmonds PJ, Koenraad PM, Quivy AA. Effect of As flux on InAs submonolayer quantum dot formation for infrared photodetectors [Internet]. Sensors and Actuators A: Physical. 2022 ; 334[citado 2024 maio 21 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sna.2021.113357 -
Vancouver
Alzeidan A, Cantalice TF, Vallejo KD, Gajjela RSR, Hendriks AL, Simmonds PJ, Koenraad PM, Quivy AA. Effect of As flux on InAs submonolayer quantum dot formation for infrared photodetectors [Internet]. Sensors and Actuators A: Physical. 2022 ; 334[citado 2024 maio 21 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sna.2021.113357 - Influence of the InAs coverage on the performance of submonolayer-quantum-dot infrared photodetectors grown with a (2×4) surface reconstruction
- Cross-sectional scanning tunneling microscopy of InAs/GaAs(001) submonolayer quantum dots
- INFLUENCE OF THE ARSENIC FLUX ON THE PERFORMANCE OF INFRARED PHOTODETECTORS BASED ON InAs SUBMONOLAYER QUANTUM DOTS
- Growth of a submonolayer quantum dot infrared photodetector in the presence of a c(4x4) surface reconstruction
- Cross-sectional scanning tunneling microscopy of InAs/GaAs(001) submonolayer quantum dots
- Influence of rapid thermal annealing on Stranski-Krastanov and submonolayer quantum dots
- In-situ measurement of indium segregation in InAs/GaAs submonolayer quantum dots
- Investigation of the quantum confinement anisotropy in a submonolayer quantum dot infrared photodetector
- Influência da segregação dos átomos de Índio sobre o desempenho de fotodetectores de radiação infravermelha baseados em pontos quânticos de submonocamadas de InAs/GaAs
- Viability of intermediate band solar cells based on InAs/GaAs submonolayer quantum dots and the role of surface reconstruction
Informações sobre o DOI: 10.1016/j.sna.2021.113357 (Fonte: oaDOI API)
Download do texto completo
| Tipo | Nome | Link | |
|---|---|---|---|
 | 1-s2.0-S0924424721008207-... | Direct link |
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
