On the importance of atom probe tomography for the development of new nanoscale devices (2022)
- Authors:
- USP affiliated authors: QUIVY, ALAIN ANDRE - IF ; SANTOS, THALES BORRELY DOS - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1109/SBMICRO55822.2022.9881039
- Subjects: TOMOGRAFIA; SEMICONDUTORES
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro)
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
SANTOS, Thales Borrely dos et al. On the importance of atom probe tomography for the development of new nanoscale devices. 2022, Anais.. New York: IEEE, 2022. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881039. Acesso em: 03 jun. 2024. -
APA
Santos, T. B. dos, Huang, T. -Y., Yang, Y. -C., Goldman, R. S., & Quivy, A. A. (2022). On the importance of atom probe tomography for the development of new nanoscale devices. In . New York: IEEE. doi:10.1109/SBMICRO55822.2022.9881039 -
NLM
Santos TB dos, Huang T-Y, Yang Y-C, Goldman RS, Quivy AA. On the importance of atom probe tomography for the development of new nanoscale devices [Internet]. 2022 ;[citado 2024 jun. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881039 -
Vancouver
Santos TB dos, Huang T-Y, Yang Y-C, Goldman RS, Quivy AA. On the importance of atom probe tomography for the development of new nanoscale devices [Internet]. 2022 ;[citado 2024 jun. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881039 - ON THE RELATION BETWEEN GROWTH, QUANTUM-DOT MORPHOLOGY, OPTOELECTRONIC PROPERTIES, AND PERFORMANCE IN InAs/GaAs QUANTUM DOT INTERMEDIATE BAND SOLAR CELL
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Informações sobre o DOI: 10.1109/SBMICRO55822.2022.9881039 (Fonte: oaDOI API)
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