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  • Tese

    Unidades USP: EP

    Estudo comparativo do efeito de autoaquecimento em transistores FinFET e SOI UTBB (2018)

    Subjects: MICROELETRÔNICA TRANSISTORES

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  • Performance of differential pair circuits designed with line tunnel FET devices at different temperatures (2018)

    In: Semiconductor Science and Technology

    Subjects: SEMICONDUTORES

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  • Analysis of proton irradiated n- and p-type strained FinFETs at low temperatures down to 100 K (2018)

    In: Semiconductor Science and Technology

    Subjects: TEMPERATURA SEMICONDUTORES

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  • The impact of the temperature on In0.53Ga0.47As nTFETs (2018)

    In: Composants nanoélectroniques

    Subjects: SEMICONDUTORES

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  • Tese

    Unidades USP: EP

    Estudo, caracterização elétrica e modelagem de transistores BE (Back Enhanced) SOI MOSFET (2018)

    Subjects: MICROELETRÔNICA TRANSISTORES

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  • Tese

    Unidades USP: EP

    Influência da tensão de substrato em transistores SOI de camada de silício ultrafina em estruturas planares (UTBB) e de nanofio (NW) (2018)

    Subjects: TRANSISTORES SILÍCIO

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  • Tese

    Unidades USP: EP

    Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI-FInFETS tensionados e radiados (2017)

    Subjects: TRANSISTORES SEMICONDUTORES SILÍCIO

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  • Tese

    Unidades USP: EP

    Efeito da radiação em transistores 3D em baixas temperaturas (2017)

    Subjects: TRANSISTORES SILÍCIO BAIXA TEMPERATURA

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  • Tese

    Unidades USP: EP

    Estudo do comportamento de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) operando em diferentes temperaturas (2017)

    Subjects: TRANSISTORES TEMPERATURA NANOTECNOLOGIA

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  • The Influence of Oxide Thickness and Indium Amount on the Analog Parameters of InxGa1–xAs nTFETs (2017)

    In: IEEE Transactions on Electron Devices

    Subjects: MICROELETRÔNICA SEMICONDUTORES

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  • Ground Plane Influence on Analog Parameters of Different UTBB nMOSFET Technologies (2017)

    In: Journal of Integrated Circuits and Systems

    Subjects: SEMICONDUTORES

  • Analysis of current mirror circuits designed with line tunnel FET devices at different temperatures (2017)

    In: Semiconductor Science and Technology

    Subjects: TRANSISTORES SEMICONDUTORES

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  • Tese

    Unidades USP: EP

    Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em UTBB SOI nMOSFETs (2017)

    Subjects: TRANSISTORES SILÍCIO TEMPERATURA

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  • Study of line-TFET analog performance comparing with other TFET and MOSFET architectures (2017)

    In: Solid-State Electronics Volume 128, February 2017, Pages 43-47

    Subjects: SEMICONDUTORES

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  • Tese

    Unidades USP: EP

    Efeitos da radiação de prótons em FinFET's de porta tripla de corpo (Bulk-FinFET) (2016)

    Subjects: MICROELETRÔNICA RADIAÇÃO IONIZANTE TRANSISTORES

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  • GR-Noise Characterization of Ge pFinFETs With STI First and STI Last Processes (2016)

    In: IEEE Electron Device Letters

    Subjects: SEMICONDUTORES SILÍCIO

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  • Tese

    Unidades USP: EP

    Estudo de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) construídos em nanofio (2016)

    Subjects: TRANSISTORES SEMICONDUTORES

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  • Tese

    Unidades USP: EP

    Estudo de transistores de porta tripla (FinFETs) de silício e de germânio (2016)

    Subjects: MICROELETRÔNICA TRANSISTORES SILÍCIO GERMÂNIO

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  • Impact of the NW-TFET Diameter on the Efficiency and the Intrinsic Voltage Gain From a Conduction Regime Perspective (2016)

    In: IEEE Transactions on Electron Devices

    Subjects: TRANSISTORES SILÍCIO

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  • Comparative analysis of the intrinsic voltage gain and unit gain frequency between SOI and bulk FinFETs up to high temperatures (2016)

    In: Solid-State Electronics

    Subjects: SEMICONDUTORES MICROELETRÔNICA

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