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Trabalho de evento-resumo
Radiation effects for high-energy protons and x-ray in integrated circuits (2012)
Silveira, Marcilei Aparecida Guazzelli da ; Santos, R. B. B.; Medina, N. H.; Added, N.; Tabacniks, Manfredo Harri ; Lima, J. A. de; Cirne, Karin Huscher
Source: Resumo. Conference titles: XXXV Reunião de Trabalho sobre Física Nuclear no Brasil. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA NUCLEAR, RAIOS X
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ABNT
SILVEIRA, Marcilei Aparecida Guazzelli da et al. Radiation effects for high-energy protons and x-ray in integrated circuits. 2012, Anais.. Maresias: SBF, 2012. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/rtfnb/xxxv/sys/resumos/R0041-1.pdf. Acesso em: 24 maio 2024.
APA
Silveira, M. A. G. da, Santos, R. B. B., Medina, N. H., Added, N., Tabacniks, M. H., Lima, J. A. de, & Cirne, K. H. (2012). Radiation effects for high-energy protons and x-ray in integrated circuits. In Resumo. Maresias: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/rtfnb/xxxv/sys/resumos/R0041-1.pdf
NLM
Silveira MAG da, Santos RBB, Medina NH, Added N, Tabacniks MH, Lima JA de, Cirne KH. Radiation effects for high-energy protons and x-ray in integrated circuits [Internet]. Resumo. 2012 ;[citado 2024 maio 24 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/rtfnb/xxxv/sys/resumos/R0041-1.pdf
Vancouver
Silveira MAG da, Santos RBB, Medina NH, Added N, Tabacniks MH, Lima JA de, Cirne KH. Radiation effects for high-energy protons and x-ray in integrated circuits [Internet]. Resumo. 2012 ;[citado 2024 maio 24 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/rtfnb/xxxv/sys/resumos/R0041-1.pdf
Artigo de periodico
Comparative study of the proton beam effects between the conventional and circular-gate MOSFETs (2012)
Cirne, Karin Huscher; Silveira, M A G; Santos, R B B; Gimenez, S P; Seixas jr, L E; Melo, W R de; Lima, J A de; Barbosa, M D L; Medina, N. H.; Added, N. ; Tabacniks, Manfredo Harri
Source: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. Unidade: IF
Subjects: RADIAÇÃO IONIZANTE, SEMICONDUTORES
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ABNT
CIRNE, Karin Huscher et al. Comparative study of the proton beam effects between the conventional and circular-gate MOSFETs. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, v. 273, p. 80-82, 2012Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.nimb.2011.07.044. Acesso em: 24 maio 2024.
APA
Cirne, K. H., Silveira, M. A. G., Santos, R. B. B., Gimenez, S. P., Seixas jr, L. E., Melo, W. R. de, et al. (2012). Comparative study of the proton beam effects between the conventional and circular-gate MOSFETs. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, 273, 80-82. doi:10.1016/j.nimb.2011.07.044
NLM
Cirne KH, Silveira MAG, Santos RBB, Gimenez SP, Seixas jr LE, Melo WR de, Lima JA de, Barbosa MDL, Medina NH, Added N, Tabacniks MH. Comparative study of the proton beam effects between the conventional and circular-gate MOSFETs [Internet]. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. 2012 ;273 80-82.[citado 2024 maio 24 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.nimb.2011.07.044
Vancouver
Cirne KH, Silveira MAG, Santos RBB, Gimenez SP, Seixas jr LE, Melo WR de, Lima JA de, Barbosa MDL, Medina NH, Added N, Tabacniks MH. Comparative study of the proton beam effects between the conventional and circular-gate MOSFETs [Internet]. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. 2012 ;273 80-82.[citado 2024 maio 24 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.nimb.2011.07.044

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