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Trabalho de evento
TiO2 nanotubes production and characterization (2012)
Fraga, Tiago Marques; Albertin, Katia Franklin ; Pereyra, Inés
Source: Microelectronics technology and devices, SBMicro. Conference titles: International Symposium on Microelectronics Technology and Devices. Unidade: EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
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ABNT
FRAGA, Tiago Marques e ALBERTIN, Katia Franklin e PEREYRA, Inés. TiO2 nanotubes production and characterization. 2012, Anais.. Pennington: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo, 2012. Disponível em: https://doi.org/10.1149/04901.0199ecst. Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Fraga, T. M., Albertin, K. F., & Pereyra, I. (2012). TiO2 nanotubes production and characterization. In Microelectronics technology and devices, SBMicro. Pennington: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo. doi:10.1149/04901.0199ecst
NLM
Fraga TM, Albertin KF, Pereyra I. TiO2 nanotubes production and characterization [Internet]. Microelectronics technology and devices, SBMicro. 2012 ;[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.1149/04901.0199ecst
Vancouver
Fraga TM, Albertin KF, Pereyra I. TiO2 nanotubes production and characterization [Internet]. Microelectronics technology and devices, SBMicro. 2012 ;[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.1149/04901.0199ecst
Artigo de periodico
Study of metal-oxide-semiconductor capacitors with r.f. magnetron sputtering TiOxNy films dielectric layer (2010)
Albertin, Katia Franklin ; Pereyra, Inés
Source: Physica Status Solidi (C). Unidade: EP
Subjects: FILMES FINOS, SEMICONDUTORES, DIELÉTRICOS
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ABNT
ALBERTIN, Katia Franklin e PEREYRA, Inés. Study of metal-oxide-semiconductor capacitors with r.f. magnetron sputtering TiOxNy films dielectric layer. Physica Status Solidi (C), v. 7, n. 3-4, p. 937-940, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1002/pssc.200982656. Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Albertin, K. F., & Pereyra, I. (2010). Study of metal-oxide-semiconductor capacitors with r.f. magnetron sputtering TiOxNy films dielectric layer. Physica Status Solidi (C), 7( 3-4), 937-940. doi:10.1002/pssc.200982656
NLM
Albertin KF, Pereyra I. Study of metal-oxide-semiconductor capacitors with r.f. magnetron sputtering TiOxNy films dielectric layer [Internet]. Physica Status Solidi (C). 2010 ; 7( 3-4): 937-940.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.1002/pssc.200982656
Vancouver
Albertin KF, Pereyra I. Study of metal-oxide-semiconductor capacitors with r.f. magnetron sputtering TiOxNy films dielectric layer [Internet]. Physica Status Solidi (C). 2010 ; 7( 3-4): 937-940.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.1002/pssc.200982656
Artigo de periodico
Voltage-dependent mobility characterization of MDMO-PPV thin-film transistors for flexible sensor applications (2010)
Cavallari, Marco Roberto ; Albertin, Katia Franklin ; Santos, Gerson dos; Ramos, Carlos Alberto Santos; Pereyra, Inés ; Fonseca, Fernando Josepetti ; Andrade, Adnei Melges de
Source: Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. Unidades: EP, IEE
Assunto: ELETROQUÍMICA
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ABNT
CAVALLARI, Marco Roberto et al. Voltage-dependent mobility characterization of MDMO-PPV thin-film transistors for flexible sensor applications. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010, v. 31, n. 1, p. 425-432, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1149/1.3474188. Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Cavallari, M. R., Albertin, K. F., Santos, G. dos, Ramos, C. A. S., Pereyra, I., Fonseca, F. J., & Andrade, A. M. de. (2010). Voltage-dependent mobility characterization of MDMO-PPV thin-film transistors for flexible sensor applications. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010, 31( 1), 425-432. doi:10.1149/1.3474188
NLM
Cavallari MR, Albertin KF, Santos G dos, Ramos CAS, Pereyra I, Fonseca FJ, Andrade AM de. Voltage-dependent mobility characterization of MDMO-PPV thin-film transistors for flexible sensor applications [Internet]. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. 2010 ;31( 1): 425-432.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.3474188
Vancouver
Cavallari MR, Albertin KF, Santos G dos, Ramos CAS, Pereyra I, Fonseca FJ, Andrade AM de. Voltage-dependent mobility characterization of MDMO-PPV thin-film transistors for flexible sensor applications [Internet]. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. 2010 ;31( 1): 425-432.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.3474188
Artigo de periodico
PECVD silicon oxynitrite as insulator for MDMO-PPV thin-film transistors (2010)
Cavallari, Marco Roberto ; Albertin, Katia Franklin ; Santos, Gerson dos; Ramos, Carlos Alberto Santos; Pereyra, Inés ; Fonseca, Fernando Josepetti ; Andrade, Adnei Melges de
Source: Journal of Integrated Circuits and Systems. Unidades: EP, IEE
Subjects: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES
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ABNT
CAVALLARI, Marco Roberto et al. PECVD silicon oxynitrite as insulator for MDMO-PPV thin-film transistors. Journal of Integrated Circuits and Systems, v. 5, n. 2, p. 116-124, 2010Tradução . . Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Cavallari, M. R., Albertin, K. F., Santos, G. dos, Ramos, C. A. S., Pereyra, I., Fonseca, F. J., & Andrade, A. M. de. (2010). PECVD silicon oxynitrite as insulator for MDMO-PPV thin-film transistors. Journal of Integrated Circuits and Systems, 5( 2), 116-124.
NLM
Cavallari MR, Albertin KF, Santos G dos, Ramos CAS, Pereyra I, Fonseca FJ, Andrade AM de. PECVD silicon oxynitrite as insulator for MDMO-PPV thin-film transistors. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2010 ;5( 2): 116-124.[citado 2024 maio 23 ]
Vancouver
Cavallari MR, Albertin KF, Santos G dos, Ramos CAS, Pereyra I, Fonseca FJ, Andrade AM de. PECVD silicon oxynitrite as insulator for MDMO-PPV thin-film transistors. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2010 ;5( 2): 116-124.[citado 2024 maio 23 ]
Artigo de periodico
TiOxNy anti-resonant layer ARROW waveguides (2010)
Carvalho, Daniel Orquiza de ; Albertin, Katia Franklin ; Alayo Chávez, Marco Isaías
Source: Physica Status Solidi (c). Unidade: EP
Assunto: PROCESSOS DE MICROELETRÔNICA
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ABNT
CARVALHO, Daniel Orquiza de e ALBERTIN, Katia Franklin e ALAYO CHÁVEZ, Marco Isaías. TiOxNy anti-resonant layer ARROW waveguides. Physica Status Solidi (c), v. 7, n. 3-4, p. 960-963, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1002/pssc.200982878. Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Carvalho, D. O. de, Albertin, K. F., & Alayo Chávez, M. I. (2010). TiOxNy anti-resonant layer ARROW waveguides. Physica Status Solidi (c), 7( 3-4), 960-963. doi:10.1002/pssc.200982878
NLM
Carvalho DO de, Albertin KF, Alayo Chávez MI. TiOxNy anti-resonant layer ARROW waveguides [Internet]. Physica Status Solidi (c). 2010 ; 7( 3-4): 960-963.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.1002/pssc.200982878
Vancouver
Carvalho DO de, Albertin KF, Alayo Chávez MI. TiOxNy anti-resonant layer ARROW waveguides [Internet]. Physica Status Solidi (c). 2010 ; 7( 3-4): 960-963.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.1002/pssc.200982878
Artigo de periodico
Optimized-geometry ARROW waveguides using TiO2 as anti-resonant layer (2010)
Carvalho, Daniel Orquiza de ; Albertin, Katia Franklin ; Alayo Chávez, Marco Isaías
Source: Physica Status Solidi (c). Unidade: EP
Assunto: PROCESSOS DE MICROELETRÔNICA
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ABNT
CARVALHO, Daniel Orquiza de e ALBERTIN, Katia Franklin e ALAYO CHÁVEZ, Marco Isaías. Optimized-geometry ARROW waveguides using TiO2 as anti-resonant layer. Physica Status Solidi (c), v. 7, n. 3-4, p. 719-719, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1002/pssc.200982795. Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Carvalho, D. O. de, Albertin, K. F., & Alayo Chávez, M. I. (2010). Optimized-geometry ARROW waveguides using TiO2 as anti-resonant layer. Physica Status Solidi (c), 7( 3-4), 719-719. doi:10.1002/pssc.200982795
NLM
Carvalho DO de, Albertin KF, Alayo Chávez MI. Optimized-geometry ARROW waveguides using TiO2 as anti-resonant layer [Internet]. Physica Status Solidi (c). 2010 ; 7( 3-4): 719-719.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.1002/pssc.200982795
Vancouver
Carvalho DO de, Albertin KF, Alayo Chávez MI. Optimized-geometry ARROW waveguides using TiO2 as anti-resonant layer [Internet]. Physica Status Solidi (c). 2010 ; 7( 3-4): 719-719.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.1002/pssc.200982795
Artigo de periodico
Study of TiOxNy MOS capacitors (2010)
Albertin, Katia Franklin ; Souza, Denise Criado Pereira de ; Zuñiga Paez, Alejandro A.; Pereyra, Inés
Source: Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. Unidade: EP
Subjects: CAPACITORES, MICROSCOPIA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ALBERTIN, Katia Franklin et al. Study of TiOxNy MOS capacitors. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010, v. 31, n. 1, p. 349-358, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1149/1.3183707. Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Albertin, K. F., Souza, D. C. P. de, Zuñiga Paez, A. A., & Pereyra, I. (2010). Study of TiOxNy MOS capacitors. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010, 31( 1), 349-358. doi:10.1149/1.3183707
NLM
Albertin KF, Souza DCP de, Zuñiga Paez AA, Pereyra I. Study of TiOxNy MOS capacitors [Internet]. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. 2010 ; 31( 1): 349-358.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.3183707
Vancouver
Albertin KF, Souza DCP de, Zuñiga Paez AA, Pereyra I. Study of TiOxNy MOS capacitors [Internet]. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. 2010 ; 31( 1): 349-358.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.3183707
Artigo de periodico
Study of metal oxide-semiconductor capacitors with rf magnetron sputtering TiOx and TiOxNy gate dielectric layer (2009)
Albertin, Katia Franklin ; Pereyra, Inés
Source: Journal of Vacuum Science and Technology B. Unidade: EP
Assunto: DIELÉTRICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ALBERTIN, Katia Franklin e PEREYRA, Inés. Study of metal oxide-semiconductor capacitors with rf magnetron sputtering TiOx and TiOxNy gate dielectric layer. Journal of Vacuum Science and Technology B, v. 27, n. ja/feb. 2009, p. 236-245, 2009Tradução . . Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Albertin, K. F., & Pereyra, I. (2009). Study of metal oxide-semiconductor capacitors with rf magnetron sputtering TiOx and TiOxNy gate dielectric layer. Journal of Vacuum Science and Technology B, 27( ja/feb. 2009), 236-245.
NLM
Albertin KF, Pereyra I. Study of metal oxide-semiconductor capacitors with rf magnetron sputtering TiOx and TiOxNy gate dielectric layer. Journal of Vacuum Science and Technology B. 2009 ; 27( ja/feb. 2009): 236-245.[citado 2024 maio 23 ]
Vancouver
Albertin KF, Pereyra I. Study of metal oxide-semiconductor capacitors with rf magnetron sputtering TiOx and TiOxNy gate dielectric layer. Journal of Vacuum Science and Technology B. 2009 ; 27( ja/feb. 2009): 236-245.[citado 2024 maio 23 ]
Trabalho de evento
Improved density of states and effective charge density in SI/PECVD Si/OxNy interface (2008)
Albertin, Katia Franklin ; Pereyra, Inés
Source: SBMICRO 2008: Anais. Conference titles: International Symposium on Microelectronics Technology and Devices SBMICRO. Unidade: EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ALBERTIN, Katia Franklin e PEREYRA, Inés. Improved density of states and effective charge density in SI/PECVD Si/OxNy interface. 2008, Anais.. Pennington: The Electrochemical Society, 2008. . Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Albertin, K. F., & Pereyra, I. (2008). Improved density of states and effective charge density in SI/PECVD Si/OxNy interface. In SBMICRO 2008: Anais. Pennington: The Electrochemical Society.
NLM
Albertin KF, Pereyra I. Improved density of states and effective charge density in SI/PECVD Si/OxNy interface. SBMICRO 2008: Anais. 2008 ;[citado 2024 maio 23 ]
Vancouver
Albertin KF, Pereyra I. Improved density of states and effective charge density in SI/PECVD Si/OxNy interface. SBMICRO 2008: Anais. 2008 ;[citado 2024 maio 23 ]
Tese (Doutorado)
Estudo de camadas dielétricas para aplicação em capacitores MOS (2007)
Albertin, Katia Franklin ; Pereyra, Inés (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: DIELÉTRICOS (PROPRIEDADES), DISPOSITIVOS SUPERCONDUTORES, CAPACITORES, ESTRUTURA DOS MATERIAIS, SILÍCIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ALBERTIN, Katia Franklin. Estudo de camadas dielétricas para aplicação em capacitores MOS. 2007. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2007. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08012008-144158/. Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Albertin, K. F. (2007). Estudo de camadas dielétricas para aplicação em capacitores MOS (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08012008-144158/
NLM
Albertin KF. Estudo de camadas dielétricas para aplicação em capacitores MOS [Internet]. 2007 ;[citado 2024 maio 23 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08012008-144158/
Vancouver
Albertin KF. Estudo de camadas dielétricas para aplicação em capacitores MOS [Internet]. 2007 ;[citado 2024 maio 23 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08012008-144158/
Artigo de periodico
Study of MOS capacitor with TiO2 and SiO2 and SiO2/TiO2 gate dielectric (2007)
Albertin, Katia Franklin ; Valle, M A; Pereyra, Inés
Source: Journal of Integrated Circuits and Systems. Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, CIÊNCIA DA COMPUTAÇÃO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ALBERTIN, Katia Franklin e VALLE, M A e PEREYRA, Inés. Study of MOS capacitor with TiO2 and SiO2 and SiO2/TiO2 gate dielectric. Journal of Integrated Circuits and Systems, v. 2, n. 2, 2007Tradução . . Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Albertin, K. F., Valle, M. A., & Pereyra, I. (2007). Study of MOS capacitor with TiO2 and SiO2 and SiO2/TiO2 gate dielectric. Journal of Integrated Circuits and Systems, 2( 2).
NLM
Albertin KF, Valle MA, Pereyra I. Study of MOS capacitor with TiO2 and SiO2 and SiO2/TiO2 gate dielectric. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2007 ;2( 2):[citado 2024 maio 23 ]
Vancouver
Albertin KF, Valle MA, Pereyra I. Study of MOS capacitor with TiO2 and SiO2 and SiO2/TiO2 gate dielectric. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2007 ;2( 2):[citado 2024 maio 23 ]
Trabalho de evento
Study of MOS capacitors with annealed TiO2 gate dielectric layer (2007)
Albertin, Katia Franklin ; Valle, Marcio A; Pereyra, Inés
Source: SBMicro 2007. Conference titles: International Symposium on Microelectronics Technology and Devices SBMICRO. Unidade: EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ALBERTIN, Katia Franklin e VALLE, Marcio A e PEREYRA, Inés. Study of MOS capacitors with annealed TiO2 gate dielectric layer. 2007, Anais.. Pennington: The Electrochemical Society, 2007. Disponível em: https://doi.org/10.1149/1.2766918. Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Albertin, K. F., Valle, M. A., & Pereyra, I. (2007). Study of MOS capacitors with annealed TiO2 gate dielectric layer. In SBMicro 2007. Pennington: The Electrochemical Society. doi:10.1149/1.2766918
NLM
Albertin KF, Valle MA, Pereyra I. Study of MOS capacitors with annealed TiO2 gate dielectric layer [Internet]. SBMicro 2007. 2007 ;[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.2766918
Vancouver
Albertin KF, Valle MA, Pereyra I. Study of MOS capacitors with annealed TiO2 gate dielectric layer [Internet]. SBMicro 2007. 2007 ;[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.2766918
Trabalho de evento-resumo
Study of the structural properties of the PECVD SiOxNy dielectric layers obtained with different RF powers by XANES and EXAFS analysis (2006)
Albertin, Katia Franklin ; Fantini, Márcia Carvalho de Abreu ; Pereyra, Inés
Source: Abstracts. Conference titles: Brazilian MRS Meeting. Unidades: IF, EP
Assunto: MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ALBERTIN, Katia Franklin e FANTINI, Márcia Carvalho de Abreu e PEREYRA, Inés. Study of the structural properties of the PECVD SiOxNy dielectric layers obtained with different RF powers by XANES and EXAFS analysis. 2006, Anais.. Florianópolis: SBPMat - Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais, 2006. . Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Albertin, K. F., Fantini, M. C. de A., & Pereyra, I. (2006). Study of the structural properties of the PECVD SiOxNy dielectric layers obtained with different RF powers by XANES and EXAFS analysis. In Abstracts. Florianópolis: SBPMat - Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais.
NLM
Albertin KF, Fantini MC de A, Pereyra I. Study of the structural properties of the PECVD SiOxNy dielectric layers obtained with different RF powers by XANES and EXAFS analysis. Abstracts. 2006 ;[citado 2024 maio 23 ]
Vancouver
Albertin KF, Fantini MC de A, Pereyra I. Study of the structural properties of the PECVD SiOxNy dielectric layers obtained with different RF powers by XANES and EXAFS analysis. Abstracts. 2006 ;[citado 2024 maio 23 ]
Trabalho de evento
Polycrystallization of a-SiC:H layers by excimer laser annealing for TFT fabrication (2005)
Garcia, B.; Estrada, M.; Albertin, Katia Franklin ; Páez Carreño, Marcelo Nelson
Source: Proceedings v. 2005-08. Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2005. Conference titles: International Symposium on Microelectronics Technology and Devices SBMICRO. Unidade: EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GARCIA, B. et al. Polycrystallization of a-SiC:H layers by excimer laser annealing for TFT fabrication. 2005, Anais.. Pennington: The Electrochemical Society, 2005. . Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Garcia, B., Estrada, M., Albertin, K. F., & Páez Carreño, M. N. (2005). Polycrystallization of a-SiC:H layers by excimer laser annealing for TFT fabrication. In Proceedings v. 2005-08. Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2005. Pennington: The Electrochemical Society.
NLM
Garcia B, Estrada M, Albertin KF, Páez Carreño MN. Polycrystallization of a-SiC:H layers by excimer laser annealing for TFT fabrication. Proceedings v. 2005-08. Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2005. 2005 ;[citado 2024 maio 23 ]
Vancouver
Garcia B, Estrada M, Albertin KF, Páez Carreño MN. Polycrystallization of a-SiC:H layers by excimer laser annealing for TFT fabrication. Proceedings v. 2005-08. Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2005. 2005 ;[citado 2024 maio 23 ]
Trabalho de evento-resumo
Comparison of the structural properties of the PECVD SIOXNY dielectric layer with the interface electrical properties in SI/SIOXNY/AL capacitors (2004)
Albertin, Katia Franklin ; Fantini, Márcia Carvalho de Abreu ; Pereyra, Inés
Source: Program. Conference titles: Encontro da SBPMat. Unidades: IF, EP
Subjects: MATERIAIS, FILMES FINOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ALBERTIN, Katia Franklin e FANTINI, Márcia Carvalho de Abreu e PEREYRA, Inés. Comparison of the structural properties of the PECVD SIOXNY dielectric layer with the interface electrical properties in SI/SIOXNY/AL capacitors. 2004, Anais.. São Carlos: SBPMat, 2004. Disponível em: http://www.sbpmat.org.br/3meeting/simposio_%20c.pdf. Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Albertin, K. F., Fantini, M. C. de A., & Pereyra, I. (2004). Comparison of the structural properties of the PECVD SIOXNY dielectric layer with the interface electrical properties in SI/SIOXNY/AL capacitors. In Program. São Carlos: SBPMat. Recuperado de http://www.sbpmat.org.br/3meeting/simposio_%20c.pdf
NLM
Albertin KF, Fantini MC de A, Pereyra I. Comparison of the structural properties of the PECVD SIOXNY dielectric layer with the interface electrical properties in SI/SIOXNY/AL capacitors [Internet]. Program. 2004 ;[citado 2024 maio 23 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/3meeting/simposio_%20c.pdf
Vancouver
Albertin KF, Fantini MC de A, Pereyra I. Comparison of the structural properties of the PECVD SIOXNY dielectric layer with the interface electrical properties in SI/SIOXNY/AL capacitors [Internet]. Program. 2004 ;[citado 2024 maio 23 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/3meeting/simposio_%20c.pdf
Trabalho de evento
One mask step a-Si:H/a-SiOxNy thin film transistor (2004)
Albertin, Katia Franklin ; Pereyra, Inés
Source: Microelectronics technology and devices SBMicro 2004. Proceedings, v. 2004-03. Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology and Devices SBMICRO. Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, CAPACITORES, FILMES FINOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ALBERTIN, Katia Franklin e PEREYRA, Inés. One mask step a-Si:H/a-SiOxNy thin film transistor. 2004, Anais.. Pennington: The Electrochemical Society, 2004. . Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Albertin, K. F., & Pereyra, I. (2004). One mask step a-Si:H/a-SiOxNy thin film transistor. In Microelectronics technology and devices SBMicro 2004. Proceedings, v. 2004-03. Pennington: The Electrochemical Society.
NLM
Albertin KF, Pereyra I. One mask step a-Si:H/a-SiOxNy thin film transistor. Microelectronics technology and devices SBMicro 2004. Proceedings, v. 2004-03. 2004 ;[citado 2024 maio 23 ]
Vancouver
Albertin KF, Pereyra I. One mask step a-Si:H/a-SiOxNy thin film transistor. Microelectronics technology and devices SBMicro 2004. Proceedings, v. 2004-03. 2004 ;[citado 2024 maio 23 ]
Dissertação (Mestrado)
Estudo e fabricação de capacitores MOS com camada isolante de SiOxNy depositada por PECVD (2003)
Albertin, Katia Franklin ; Pereyra, Inés (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: CAPACITORES, SILÍCIO, DIELÉTRICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ALBERTIN, Katia Franklin. Estudo e fabricação de capacitores MOS com camada isolante de SiOxNy depositada por PECVD. 2003. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2003. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07052003-144030. Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Albertin, K. F. (2003). Estudo e fabricação de capacitores MOS com camada isolante de SiOxNy depositada por PECVD (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07052003-144030
NLM
Albertin KF. Estudo e fabricação de capacitores MOS com camada isolante de SiOxNy depositada por PECVD [Internet]. 2003 ;[citado 2024 maio 23 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07052003-144030
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Albertin KF. Estudo e fabricação de capacitores MOS com camada isolante de SiOxNy depositada por PECVD [Internet]. 2003 ;[citado 2024 maio 23 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07052003-144030

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