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Artigo de periodico
'SI'-'SI''O IND.2' electronic interface roughness as a consequence of 'SI'-'SI''O IND.2' topographic interface roughness (1996)
Lopes, M C V; Santos Filho, Sebastião Gomes dos ; Hasenack, Claus Martin; Baranauskas, V
Source: Journal of the Electrochemical Society. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
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ABNT
LOPES, M C V et al. 'SI'-'SI''O IND.2' electronic interface roughness as a consequence of 'SI'-'SI''O IND.2' topographic interface roughness. Journal of the Electrochemical Society, v. 143, n. 3 , p. 1021-5, 1996Tradução . . Acesso em: 04 jun. 2024.
APA
Lopes, M. C. V., Santos Filho, S. G. dos, Hasenack, C. M., & Baranauskas, V. (1996). 'SI'-'SI''O IND.2' electronic interface roughness as a consequence of 'SI'-'SI''O IND.2' topographic interface roughness. Journal of the Electrochemical Society, 143( 3 ), 1021-5.
NLM
Lopes MCV, Santos Filho SG dos, Hasenack CM, Baranauskas V. 'SI'-'SI''O IND.2' electronic interface roughness as a consequence of 'SI'-'SI''O IND.2' topographic interface roughness. Journal of the Electrochemical Society. 1996 ;143( 3 ): 1021-5.[citado 2024 jun. 04 ]
Vancouver
Lopes MCV, Santos Filho SG dos, Hasenack CM, Baranauskas V. 'SI'-'SI''O IND.2' electronic interface roughness as a consequence of 'SI'-'SI''O IND.2' topographic interface roughness. Journal of the Electrochemical Society. 1996 ;143( 3 ): 1021-5.[citado 2024 jun. 04 ]
Artigo de periodico
Characterization of langmuir-blodgett films of parent polyaniline (1996)
Riul Junior, A.; Mattoso, L H C; Telles, G D; Herrmann, P S P; Colnago, L A; Parizotto, N A; Baranauskas, V; Faria, Roberto Mendonça; Oliveira Junior, Osvaldo Novais de
Source: Thin Solid Films. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
RIUL JUNIOR, A. et al. Characterization of langmuir-blodgett films of parent polyaniline. Thin Solid Films, v. 284-5, p. 177-80, 1996Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0040-6090(95)08300-6. Acesso em: 04 jun. 2024.
APA
Riul Junior, A., Mattoso, L. H. C., Telles, G. D., Herrmann, P. S. P., Colnago, L. A., Parizotto, N. A., et al. (1996). Characterization of langmuir-blodgett films of parent polyaniline. Thin Solid Films, 284-5, 177-80. doi:10.1016/s0040-6090(95)08300-6
NLM
Riul Junior A, Mattoso LHC, Telles GD, Herrmann PSP, Colnago LA, Parizotto NA, Baranauskas V, Faria RM, Oliveira Junior ON de. Characterization of langmuir-blodgett films of parent polyaniline [Internet]. Thin Solid Films. 1996 ;284-5 177-80.[citado 2024 jun. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0040-6090(95)08300-6
Vancouver
Riul Junior A, Mattoso LHC, Telles GD, Herrmann PSP, Colnago LA, Parizotto NA, Baranauskas V, Faria RM, Oliveira Junior ON de. Characterization of langmuir-blodgett films of parent polyaniline [Internet]. Thin Solid Films. 1996 ;284-5 177-80.[citado 2024 jun. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0040-6090(95)08300-6
Trabalho de evento
Influence of the 'SI' / 'SI''O IND.2' interface roughness on electronic roughness (1995)
Lopes, M C V; Santos Filho, Sebastião Gomes dos ; Hasenack, Claus Martin; Baranauskas, V
Source: Proceedings. Conference titles: Congress of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
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ABNT
LOPES, M C V et al. Influence of the 'SI' / 'SI''O IND.2' interface roughness on electronic roughness. 1995, Anais.. Porto Alegre: Instituto de Informatica da Ufrgs, 1995. . Acesso em: 04 jun. 2024.
APA
Lopes, M. C. V., Santos Filho, S. G. dos, Hasenack, C. M., & Baranauskas, V. (1995). Influence of the 'SI' / 'SI''O IND.2' interface roughness on electronic roughness. In Proceedings. Porto Alegre: Instituto de Informatica da Ufrgs.
NLM
Lopes MCV, Santos Filho SG dos, Hasenack CM, Baranauskas V. Influence of the 'SI' / 'SI''O IND.2' interface roughness on electronic roughness. Proceedings. 1995 ;[citado 2024 jun. 04 ]
Vancouver
Lopes MCV, Santos Filho SG dos, Hasenack CM, Baranauskas V. Influence of the 'SI' / 'SI''O IND.2' interface roughness on electronic roughness. Proceedings. 1995 ;[citado 2024 jun. 04 ]
Trabalho de evento-resumo
Atomic force microscopy investigation of ultra-thin polyaniline films (1995)
Mattoso, L H C; Riul Junior, A; Herrmann, P S P; Colnago, L A; Parizotto, N A; Baranauskas, V; Oliveira Junior, Osvaldo Novais de
Conference titles: International Conference on Organized Molecular Films. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
MATTOSO, L H C et al. Atomic force microscopy investigation of ultra-thin polyaniline films. 1995, Anais.. Numana: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo, 1995. . Acesso em: 04 jun. 2024.
APA
Mattoso, L. H. C., Riul Junior, A., Herrmann, P. S. P., Colnago, L. A., Parizotto, N. A., Baranauskas, V., & Oliveira Junior, O. N. de. (1995). Atomic force microscopy investigation of ultra-thin polyaniline films. In . Numana: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo.
NLM
Mattoso LHC, Riul Junior A, Herrmann PSP, Colnago LA, Parizotto NA, Baranauskas V, Oliveira Junior ON de. Atomic force microscopy investigation of ultra-thin polyaniline films. 1995 ;[citado 2024 jun. 04 ]
Vancouver
Mattoso LHC, Riul Junior A, Herrmann PSP, Colnago LA, Parizotto NA, Baranauskas V, Oliveira Junior ON de. Atomic force microscopy investigation of ultra-thin polyaniline films. 1995 ;[citado 2024 jun. 04 ]
Trabalho de evento-resumo
'SI' / 'SI'o ind.2' electronic roughness: a consequence of 'SI' / 'SI''O IND.2' interface roughness (1995)
Lopes, M C V; Santos Filho, Sebastião Gomes dos ; Hasenack, Claus Martin; Baranauskas, V
Conference titles: Brazilian/German Workshop on Applied Surface Science. Unidade: EP
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
LOPES, M C V et al. 'SI' / 'SI'o ind.2' electronic roughness: a consequence of 'SI' / 'SI''O IND.2' interface roughness. 1995, Anais.. Rio de Janeiro: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo, 1995. . Acesso em: 04 jun. 2024.
APA
Lopes, M. C. V., Santos Filho, S. G. dos, Hasenack, C. M., & Baranauskas, V. (1995). 'SI' / 'SI'o ind.2' electronic roughness: a consequence of 'SI' / 'SI''O IND.2' interface roughness. In . Rio de Janeiro: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo.
NLM
Lopes MCV, Santos Filho SG dos, Hasenack CM, Baranauskas V. 'SI' / 'SI'o ind.2' electronic roughness: a consequence of 'SI' / 'SI''O IND.2' interface roughness. 1995 ;[citado 2024 jun. 04 ]
Vancouver
Lopes MCV, Santos Filho SG dos, Hasenack CM, Baranauskas V. 'SI' / 'SI'o ind.2' electronic roughness: a consequence of 'SI' / 'SI''O IND.2' interface roughness. 1995 ;[citado 2024 jun. 04 ]
Artigo de periodico
Rapid thermal oxidation of silicon with different thermal annealing cycles in nitrogen: influence on surface microroughness and electrical characteristics (1995)
Santos Filho, Sebastião Gomes dos ; Hasenack, Claus Martin; Lopes, M C V; Baranauskas, V
Source: Semiconductor Science and Technology. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
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ABNT
SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos et al. Rapid thermal oxidation of silicon with different thermal annealing cycles in nitrogen: influence on surface microroughness and electrical characteristics. Semiconductor Science and Technology, v. 10, n. 7 , p. 990-6, 1995Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0268-1242/10/7/015. Acesso em: 04 jun. 2024.
APA
Santos Filho, S. G. dos, Hasenack, C. M., Lopes, M. C. V., & Baranauskas, V. (1995). Rapid thermal oxidation of silicon with different thermal annealing cycles in nitrogen: influence on surface microroughness and electrical characteristics. Semiconductor Science and Technology, 10( 7 ), 990-6. doi:10.1088/0268-1242/10/7/015
NLM
Santos Filho SG dos, Hasenack CM, Lopes MCV, Baranauskas V. Rapid thermal oxidation of silicon with different thermal annealing cycles in nitrogen: influence on surface microroughness and electrical characteristics [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 1995 ;10( 7 ): 990-6.[citado 2024 jun. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/10/7/015
Vancouver
Santos Filho SG dos, Hasenack CM, Lopes MCV, Baranauskas V. Rapid thermal oxidation of silicon with different thermal annealing cycles in nitrogen: influence on surface microroughness and electrical characteristics [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 1995 ;10( 7 ): 990-6.[citado 2024 jun. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/10/7/015
Artigo de periodico
Atomic force microscopy studies on various types of photoluminescent porous silicon (1994)
Grivickas, V; Baranauskas, V; Rodrigues, C R; Basmaji, Pierre; Misoguti, L
Source: International Journal of Optoelectronics. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GRIVICKAS, V et al. Atomic force microscopy studies on various types of photoluminescent porous silicon. International Journal of Optoelectronics, v. 9 , n. 4 , p. 303-9, 1994Tradução . . Acesso em: 04 jun. 2024.
APA
Grivickas, V., Baranauskas, V., Rodrigues, C. R., Basmaji, P., & Misoguti, L. (1994). Atomic force microscopy studies on various types of photoluminescent porous silicon. International Journal of Optoelectronics, 9 ( 4 ), 303-9.
NLM
Grivickas V, Baranauskas V, Rodrigues CR, Basmaji P, Misoguti L. Atomic force microscopy studies on various types of photoluminescent porous silicon. International Journal of Optoelectronics. 1994 ;9 ( 4 ): 303-9.[citado 2024 jun. 04 ]
Vancouver
Grivickas V, Baranauskas V, Rodrigues CR, Basmaji P, Misoguti L. Atomic force microscopy studies on various types of photoluminescent porous silicon. International Journal of Optoelectronics. 1994 ;9 ( 4 ): 303-9.[citado 2024 jun. 04 ]
Trabalho de evento
Effect of the temperature cooling rate on the 'SI' / 'SI''O IND.2' interface roughness after rapid thermal oxidation (1994)
Santos Filho, Sebastião Gomes dos ; Lopes, M C V; Hasenack, Claus Martin; Baranauskas, V
Source: Anais. Conference titles: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos et al. Effect of the temperature cooling rate on the 'SI' / 'SI''O IND.2' interface roughness after rapid thermal oxidation. 1994, Anais.. Rio de Janeiro: Sbmicro/Ufrj, 1994. . Acesso em: 04 jun. 2024.
APA
Santos Filho, S. G. dos, Lopes, M. C. V., Hasenack, C. M., & Baranauskas, V. (1994). Effect of the temperature cooling rate on the 'SI' / 'SI''O IND.2' interface roughness after rapid thermal oxidation. In Anais. Rio de Janeiro: Sbmicro/Ufrj.
NLM
Santos Filho SG dos, Lopes MCV, Hasenack CM, Baranauskas V. Effect of the temperature cooling rate on the 'SI' / 'SI''O IND.2' interface roughness after rapid thermal oxidation. Anais. 1994 ;[citado 2024 jun. 04 ]
Vancouver
Santos Filho SG dos, Lopes MCV, Hasenack CM, Baranauskas V. Effect of the temperature cooling rate on the 'SI' / 'SI''O IND.2' interface roughness after rapid thermal oxidation. Anais. 1994 ;[citado 2024 jun. 04 ]
Artigo de periodico
Numerical calculations of the effects of structural imperfections on mos capacitors (1994)
Lopes, M C V; Hasenack, Claus Martin; Baranauskas, V
Source: Journal of the Electrochemical Society. Unidade: EP
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LOPES, M C V e HASENACK, Claus Martin e BARANAUSKAS, V. Numerical calculations of the effects of structural imperfections on mos capacitors. Journal of the Electrochemical Society, v. 141, n. ju 1994, p. 1621-8, 1994Tradução . . Acesso em: 04 jun. 2024.
APA
Lopes, M. C. V., Hasenack, C. M., & Baranauskas, V. (1994). Numerical calculations of the effects of structural imperfections on mos capacitors. Journal of the Electrochemical Society, 141( ju 1994), 1621-8.
NLM
Lopes MCV, Hasenack CM, Baranauskas V. Numerical calculations of the effects of structural imperfections on mos capacitors. Journal of the Electrochemical Society. 1994 ;141( ju 1994): 1621-8.[citado 2024 jun. 04 ]
Vancouver
Lopes MCV, Hasenack CM, Baranauskas V. Numerical calculations of the effects of structural imperfections on mos capacitors. Journal of the Electrochemical Society. 1994 ;141( ju 1994): 1621-8.[citado 2024 jun. 04 ]
Trabalho de evento
Simulacao numerica dos efeitos eletricos induzidos por imperfeicoes estruturais em capacitadores mos (1993)
Lopes, M C V; Hasenack, Claus Martin; Baranauskas, V
Source: Anais. Conference titles: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidade: EP
Assunto: CAPACITORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LOPES, M C V e HASENACK, Claus Martin e BARANAUSKAS, V. Simulacao numerica dos efeitos eletricos induzidos por imperfeicoes estruturais em capacitadores mos. 1993, Anais.. Campinas: Sbmicro, 1993. . Acesso em: 04 jun. 2024.
APA
Lopes, M. C. V., Hasenack, C. M., & Baranauskas, V. (1993). Simulacao numerica dos efeitos eletricos induzidos por imperfeicoes estruturais em capacitadores mos. In Anais. Campinas: Sbmicro.
NLM
Lopes MCV, Hasenack CM, Baranauskas V. Simulacao numerica dos efeitos eletricos induzidos por imperfeicoes estruturais em capacitadores mos. Anais. 1993 ;[citado 2024 jun. 04 ]
Vancouver
Lopes MCV, Hasenack CM, Baranauskas V. Simulacao numerica dos efeitos eletricos induzidos por imperfeicoes estruturais em capacitadores mos. Anais. 1993 ;[citado 2024 jun. 04 ]

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