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Artigo de periodico
High-throughput inverse design and Bayesian optimization of functionalities: spin splitting in two-dimensional compounds (2022)
Nascimento, Gabriel M. ; Ogoshi, Elton ; Fazzio, Adalberto ; Acosta, Carlos Augusto Mera ; Dalpian, G. M.
Source: Scientific Data. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA MATEMÁTICA, INFERÊNCIA BAYESIANA, SPINTRÔNICA
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ABNT
NASCIMENTO, Gabriel M. et al. High-throughput inverse design and Bayesian optimization of functionalities: spin splitting in two-dimensional compounds. Scientific Data, v. 9, n. 1, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1038/s41597-022-01292-8. Acesso em: 09 jun. 2024.
APA
Nascimento, G. M., Ogoshi, E., Fazzio, A., Acosta, C. A. M., & Dalpian, G. M. (2022). High-throughput inverse design and Bayesian optimization of functionalities: spin splitting in two-dimensional compounds. Scientific Data, 9( 1). doi:10.1038/s41597-022-01292-8
NLM
Nascimento GM, Ogoshi E, Fazzio A, Acosta CAM, Dalpian GM. High-throughput inverse design and Bayesian optimization of functionalities: spin splitting in two-dimensional compounds [Internet]. Scientific Data. 2022 ; 9( 1):[citado 2024 jun. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1038/s41597-022-01292-8
Vancouver
Nascimento GM, Ogoshi E, Fazzio A, Acosta CAM, Dalpian GM. High-throughput inverse design and Bayesian optimization of functionalities: spin splitting in two-dimensional compounds [Internet]. Scientific Data. 2022 ; 9( 1):[citado 2024 jun. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1038/s41597-022-01292-8
Trabalho de evento-resumo
Structure and dynamics of water adsorbed on the gypsum (010) surface (2018)
Santos, J. C. C.; Negreiros, F. R.; Pedroza, L. S.; Dalpian, G. M.; Miranda, Paulo Barbeitas
Source: Abstract Book. Conference titles: Brazilian-German Workshop on Applied Surface Science - BGW. Unidade: IFSC
Subjects: POLÍMEROS (MATERIAIS), FILMES FINOS
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ABNT
SANTOS, J. C. C. et al. Structure and dynamics of water adsorbed on the gypsum (010) surface. 2018, Anais.. Eggenstein-Leopoldshafen: Institut für Funktionelle Grenzflächen - IFG, 2018. Disponível em: http://10bgw.org/Abstract_Book_BGW_2018.pdf. Acesso em: 09 jun. 2024.
APA
Santos, J. C. C., Negreiros, F. R., Pedroza, L. S., Dalpian, G. M., & Miranda, P. B. (2018). Structure and dynamics of water adsorbed on the gypsum (010) surface. In Abstract Book. Eggenstein-Leopoldshafen: Institut für Funktionelle Grenzflächen - IFG. Recuperado de http://10bgw.org/Abstract_Book_BGW_2018.pdf
NLM
Santos JCC, Negreiros FR, Pedroza LS, Dalpian GM, Miranda PB. Structure and dynamics of water adsorbed on the gypsum (010) surface [Internet]. Abstract Book. 2018 ;[citado 2024 jun. 09 ] Available from: http://10bgw.org/Abstract_Book_BGW_2018.pdf
Vancouver
Santos JCC, Negreiros FR, Pedroza LS, Dalpian GM, Miranda PB. Structure and dynamics of water adsorbed on the gypsum (010) surface [Internet]. Abstract Book. 2018 ;[citado 2024 jun. 09 ] Available from: http://10bgw.org/Abstract_Book_BGW_2018.pdf
Trabalho de evento-resumo
Anisotropic water adsorption on gypsum (010) from a combination of SFG vibrational spectroscopy and molecular dynamics simulations (2016)
Santos, J. C. C.; Negreiros, F. R.; Dalpian, G. M.; Pedroza, L. S.; Miranda, Paulo Barbeitas
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Subjects: ESPECTROSCOPIA, POLÍMEROS (MATERIAIS), ÁGUA (PROPRIEDADES)
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ABNT
SANTOS, J. C. C. et al. Anisotropic water adsorption on gypsum (010) from a combination of SFG vibrational spectroscopy and molecular dynamics simulations. 2016, Anais.. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2016. Disponível em: http://sifsc.ifsc.usp.br/2016/livro_de_resumos_2016.pdf. Acesso em: 09 jun. 2024.
APA
Santos, J. C. C., Negreiros, F. R., Dalpian, G. M., Pedroza, L. S., & Miranda, P. B. (2016). Anisotropic water adsorption on gypsum (010) from a combination of SFG vibrational spectroscopy and molecular dynamics simulations. In Livro de Resumos. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de http://sifsc.ifsc.usp.br/2016/livro_de_resumos_2016.pdf
NLM
Santos JCC, Negreiros FR, Dalpian GM, Pedroza LS, Miranda PB. Anisotropic water adsorption on gypsum (010) from a combination of SFG vibrational spectroscopy and molecular dynamics simulations [Internet]. Livro de Resumos. 2016 ;[citado 2024 jun. 09 ] Available from: http://sifsc.ifsc.usp.br/2016/livro_de_resumos_2016.pdf
Vancouver
Santos JCC, Negreiros FR, Dalpian GM, Pedroza LS, Miranda PB. Anisotropic water adsorption on gypsum (010) from a combination of SFG vibrational spectroscopy and molecular dynamics simulations [Internet]. Livro de Resumos. 2016 ;[citado 2024 jun. 09 ] Available from: http://sifsc.ifsc.usp.br/2016/livro_de_resumos_2016.pdf
Artigo de periodico
Effects of side-chain and electron exchange correlation on the band structure of perylene diimide liquid crystals: a density functional study (2009)
Arantes, José Tadeu; Lima, M P; Fazzio, Adalberto; Xiang, H; Wei, Su-Huai; Dalpian, G. M.
Source: Journal of Physical Chemistry B. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, FILMES FINOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
ARANTES, José Tadeu et al. Effects of side-chain and electron exchange correlation on the band structure of perylene diimide liquid crystals: a density functional study. Journal of Physical Chemistry B, v. 113, n. 16, p. 5376-5380, 2009Tradução . . Disponível em: http://pubs.acs.org/doi/pdfplus/10.1021/jp8101018. Acesso em: 09 jun. 2024.
APA
Arantes, J. T., Lima, M. P., Fazzio, A., Xiang, H., Wei, S. -H., & Dalpian, G. M. (2009). Effects of side-chain and electron exchange correlation on the band structure of perylene diimide liquid crystals: a density functional study. Journal of Physical Chemistry B, 113( 16), 5376-5380. Recuperado de http://pubs.acs.org/doi/pdfplus/10.1021/jp8101018
NLM
Arantes JT, Lima MP, Fazzio A, Xiang H, Wei S-H, Dalpian GM. Effects of side-chain and electron exchange correlation on the band structure of perylene diimide liquid crystals: a density functional study [Internet]. Journal of Physical Chemistry B. 2009 ; 113( 16): 5376-5380.[citado 2024 jun. 09 ] Available from: http://pubs.acs.org/doi/pdfplus/10.1021/jp8101018
Vancouver
Arantes JT, Lima MP, Fazzio A, Xiang H, Wei S-H, Dalpian GM. Effects of side-chain and electron exchange correlation on the band structure of perylene diimide liquid crystals: a density functional study [Internet]. Journal of Physical Chemistry B. 2009 ; 113( 16): 5376-5380.[citado 2024 jun. 09 ] Available from: http://pubs.acs.org/doi/pdfplus/10.1021/jp8101018
Artigo de periodico
Barrier-free substitutional doping of graphene sheets with boron atoms: Ab initio calculations (2009)
Pontes, Renato Borges; Fazzio, Adalberto; Dalpian, G. M.
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
PONTES, Renato Borges e FAZZIO, Adalberto e DALPIAN, G. M. Barrier-free substitutional doping of graphene sheets with boron atoms: Ab initio calculations. Physical Review B, v. 79, n. 3, p. 033412-1/033412-4, 2009Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.79.033412. Acesso em: 09 jun. 2024.
APA
Pontes, R. B., Fazzio, A., & Dalpian, G. M. (2009). Barrier-free substitutional doping of graphene sheets with boron atoms: Ab initio calculations. Physical Review B, 79( 3), 033412-1/033412-4. doi:10.1103/physrevb.79.033412
NLM
Pontes RB, Fazzio A, Dalpian GM. Barrier-free substitutional doping of graphene sheets with boron atoms: Ab initio calculations [Internet]. Physical Review B. 2009 ; 79( 3): 033412-1/033412-4.[citado 2024 jun. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.79.033412
Vancouver
Pontes RB, Fazzio A, Dalpian GM. Barrier-free substitutional doping of graphene sheets with boron atoms: Ab initio calculations [Internet]. Physical Review B. 2009 ; 79( 3): 033412-1/033412-4.[citado 2024 jun. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.79.033412
Artigo de periodico
Quantum confinement effects on Mn-doped InAs nanocrystals: a first-principles study (2008)
Arantes, José Tadeu; Dalpian, G. M.; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
ARANTES, José Tadeu e DALPIAN, G. M. e FAZZIO, Adalberto. Quantum confinement effects on Mn-doped InAs nanocrystals: a first-principles study. Physical Review B, v. 78, n. 4, p. 045402/1-045402/5, 2008Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.78.045402. Acesso em: 09 jun. 2024.
APA
Arantes, J. T., Dalpian, G. M., & Fazzio, A. (2008). Quantum confinement effects on Mn-doped InAs nanocrystals: a first-principles study. Physical Review B, 78( 4), 045402/1-045402/5. doi:10.1103/physrevb.78.045402
NLM
Arantes JT, Dalpian GM, Fazzio A. Quantum confinement effects on Mn-doped InAs nanocrystals: a first-principles study [Internet]. Physical Review B. 2008 ; 78( 4): 045402/1-045402/5.[citado 2024 jun. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.78.045402
Vancouver
Arantes JT, Dalpian GM, Fazzio A. Quantum confinement effects on Mn-doped InAs nanocrystals: a first-principles study [Internet]. Physical Review B. 2008 ; 78( 4): 045402/1-045402/5.[citado 2024 jun. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.78.045402
Artigo de periodico
Adsorption of Mn atoms on the Si(100) surface (2004)
Dalpian, G. M.; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: Surface Science. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DALPIAN, G. M. e SILVA, Antonio Jose Roque da e FAZZIO, Adalberto. Adsorption of Mn atoms on the Si(100) surface. Surface Science, v. 566-568, p. 688-692, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.susc.2004.05.132. Acesso em: 09 jun. 2024.
APA
Dalpian, G. M., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2004). Adsorption of Mn atoms on the Si(100) surface. Surface Science, 566-568, 688-692. doi:10.1016/j.susc.2004.05.132
NLM
Dalpian GM, Silva AJR da, Fazzio A. Adsorption of Mn atoms on the Si(100) surface [Internet]. Surface Science. 2004 ; 566-568 688-692.[citado 2024 jun. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.susc.2004.05.132
Vancouver
Dalpian GM, Silva AJR da, Fazzio A. Adsorption of Mn atoms on the Si(100) surface [Internet]. Surface Science. 2004 ; 566-568 688-692.[citado 2024 jun. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.susc.2004.05.132
Artigo de periodico
Initial stages of Ge and si growth neas "S IND.B" monoatomic steps on Si(100) (2004)
Dalpian, G. M.; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ATÔMICA (FÍSICA MODERNA), SUPERFÍCIE FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DALPIAN, G. M. e SILVA, Antonio Jose Roque da e FAZZIO, Adalberto. Initial stages of Ge and si growth neas "S IND.B" monoatomic steps on Si(100). Physical Review B, v. 70, p. 193306/1-193306/4, 2004Tradução . . Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000070000019193306000001&idtype=cvips. Acesso em: 09 jun. 2024.
APA
Dalpian, G. M., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2004). Initial stages of Ge and si growth neas "S IND.B" monoatomic steps on Si(100). Physical Review B, 70, 193306/1-193306/4. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000070000019193306000001&idtype=cvips
NLM
Dalpian GM, Silva AJR da, Fazzio A. Initial stages of Ge and si growth neas "S IND.B" monoatomic steps on Si(100) [Internet]. Physical Review B. 2004 ; 70 193306/1-193306/4.[citado 2024 jun. 09 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000070000019193306000001&idtype=cvips
Vancouver
Dalpian GM, Silva AJR da, Fazzio A. Initial stages of Ge and si growth neas "S IND.B" monoatomic steps on Si(100) [Internet]. Physical Review B. 2004 ; 70 193306/1-193306/4.[citado 2024 jun. 09 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000070000019193306000001&idtype=cvips
Trabalho de evento-resumo
Adsorption and incorporation of Mn on Si(100) (2003)
Dalpian, G. M.; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: Book of Abstracts. Conference titles: European Conference on Surface Science. Unidade: IF
Assunto: SUPERFÍCIE FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DALPIAN, G. M. e SILVA, Antonio Jose Roque da e FAZZIO, Adalberto. Adsorption and incorporation of Mn on Si(100). 2003, Anais.. Amsterdam: Elsevier Science, 2003. . Acesso em: 09 jun. 2024.
APA
Dalpian, G. M., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2003). Adsorption and incorporation of Mn on Si(100). In Book of Abstracts. Amsterdam: Elsevier Science.
NLM
Dalpian GM, Silva AJR da, Fazzio A. Adsorption and incorporation of Mn on Si(100). Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2024 jun. 09 ]
Vancouver
Dalpian GM, Silva AJR da, Fazzio A. Adsorption and incorporation of Mn on Si(100). Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2024 jun. 09 ]
Trabalho de evento
Adsorption and incorporation of Mn on Si(100) (2003)
Dalpian, G. M.; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Conference titles: European Conference on Surface Science. Unidade: IF
Assunto: SUPERFÍCIE FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DALPIAN, G. M. e SILVA, Antonio Jose Roque da e FAZZIO, Adalberto. Adsorption and incorporation of Mn on Si(100). 2003, Anais.. S.L: l.n, 2003. . Acesso em: 09 jun. 2024.
APA
Dalpian, G. M., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2003). Adsorption and incorporation of Mn on Si(100). In . S.L: l.n.
NLM
Dalpian GM, Silva AJR da, Fazzio A. Adsorption and incorporation of Mn on Si(100). 2003 ;(S.L. : l.):[citado 2024 jun. 09 ]
Vancouver
Dalpian GM, Silva AJR da, Fazzio A. Adsorption and incorporation of Mn on Si(100). 2003 ;(S.L. : l.):[citado 2024 jun. 09 ]
Trabalho de evento-resumo
Mn adsorption on Si(100): structural, electronic and magnetic properties (2003)
Dalpian, G. M.; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada 26. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, ESTRUTURA DOS MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DALPIAN, G. M. e SILVA, Antonio Jose Roque da e FAZZIO, Adalberto. Mn adsorption on Si(100): structural, electronic and magnetic properties. 2003, Anais.. São Paulo: SBF, 2003. . Acesso em: 09 jun. 2024.
APA
Dalpian, G. M., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2003). Mn adsorption on Si(100): structural, electronic and magnetic properties. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Dalpian GM, Silva AJR da, Fazzio A. Mn adsorption on Si(100): structural, electronic and magnetic properties. Resumos. 2003 ;[citado 2024 jun. 09 ]
Vancouver
Dalpian GM, Silva AJR da, Fazzio A. Mn adsorption on Si(100): structural, electronic and magnetic properties. Resumos. 2003 ;[citado 2024 jun. 09 ]
Trabalho de evento-resumo
Mn impurities in Si: stability on bulk and on surface (2003)
Dalpian, G. M.; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: Book of Abstracts II (Poster). Conference titles: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, FERROMAGNETISMO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DALPIAN, G. M. e SILVA, Antonio Jose Roque da e FAZZIO, Adalberto. Mn impurities in Si: stability on bulk and on surface. 2003, Anais.. Amsterdam: Elsevier Science, 2003. . Acesso em: 09 jun. 2024.
APA
Dalpian, G. M., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2003). Mn impurities in Si: stability on bulk and on surface. In Book of Abstracts II (Poster). Amsterdam: Elsevier Science.
NLM
Dalpian GM, Silva AJR da, Fazzio A. Mn impurities in Si: stability on bulk and on surface. Book of Abstracts II (Poster). 2003 ;[citado 2024 jun. 09 ]
Vancouver
Dalpian GM, Silva AJR da, Fazzio A. Mn impurities in Si: stability on bulk and on surface. Book of Abstracts II (Poster). 2003 ;[citado 2024 jun. 09 ]
Trabalho de evento-resumo
Adsorption of Si and Ge in monoatomic Si(100) steps (2003)
Dalpian, G. M.; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: Book of Abstracts. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, MICROSCOPIA ELETRÔNICA DE VARREDURA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DALPIAN, G. M. e SILVA, Antonio Jose Roque da e FAZZIO, Adalberto. Adsorption of Si and Ge in monoatomic Si(100) steps. 2003, Anais.. Fortaleza: DF/UFC, 2003. . Acesso em: 09 jun. 2024.
APA
Dalpian, G. M., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2003). Adsorption of Si and Ge in monoatomic Si(100) steps. In Book of Abstracts. Fortaleza: DF/UFC.
NLM
Dalpian GM, Silva AJR da, Fazzio A. Adsorption of Si and Ge in monoatomic Si(100) steps. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2024 jun. 09 ]
Vancouver
Dalpian GM, Silva AJR da, Fazzio A. Adsorption of Si and Ge in monoatomic Si(100) steps. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2024 jun. 09 ]
Trabalho de evento-resumo
Theoretical study of vancancies in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X' (2002)
Dalpian, G. M.; Venezuela, Pedro; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DALPIAN, G. M. et al. Theoretical study of vancancies in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 09 jun. 2024.
APA
Dalpian, G. M., Venezuela, P., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2002). Theoretical study of vancancies in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Dalpian GM, Venezuela P, Silva AJR da, Fazzio A. Theoretical study of vancancies in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. Resumos. 2002 ;[citado 2024 jun. 09 ]
Vancouver
Dalpian GM, Venezuela P, Silva AJR da, Fazzio A. Theoretical study of vancancies in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. Resumos. 2002 ;[citado 2024 jun. 09 ]
Artigo de periodico
Ab initio calculations of vacancies in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X' (2002)
Dalpian, G. M.; Venezuela, Pedro; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DALPIAN, G. M. et al. Ab initio calculations of vacancies in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X'. Applied Physics Letters, v. 81, n. 8, p. 3383-3385, 2002Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000081000018003383000001&idtype=cvips. Acesso em: 09 jun. 2024.
APA
Dalpian, G. M., Venezuela, P., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2002). Ab initio calculations of vacancies in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X'. Applied Physics Letters, 81( 8), 3383-3385. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000081000018003383000001&idtype=cvips
NLM
Dalpian GM, Venezuela P, Silva AJR da, Fazzio A. Ab initio calculations of vacancies in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X' [Internet]. Applied Physics Letters. 2002 ; 81( 8): 3383-3385.[citado 2024 jun. 09 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000081000018003383000001&idtype=cvips
Vancouver
Dalpian GM, Venezuela P, Silva AJR da, Fazzio A. Ab initio calculations of vacancies in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X' [Internet]. Applied Physics Letters. 2002 ; 81( 8): 3383-3385.[citado 2024 jun. 09 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000081000018003383000001&idtype=cvips
Trabalho de evento-resumo
Theoretical STM images of Ge adsorption on Si(100) (2002)
Dalpian, G. M.; Fazzio, Adalberto; Silva, Antonio Jose Roque da
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: SUPERFÍCIE FÍSICA, FILMES FINOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DALPIAN, G. M. e FAZZIO, Adalberto e SILVA, Antonio Jose Roque da. Theoretical STM images of Ge adsorption on Si(100). 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 09 jun. 2024.
APA
Dalpian, G. M., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2002). Theoretical STM images of Ge adsorption on Si(100). In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Dalpian GM, Fazzio A, Silva AJR da. Theoretical STM images of Ge adsorption on Si(100). Resumos. 2002 ;[citado 2024 jun. 09 ]
Vancouver
Dalpian GM, Fazzio A, Silva AJR da. Theoretical STM images of Ge adsorption on Si(100). Resumos. 2002 ;[citado 2024 jun. 09 ]
Trabalho de evento-resumo
Si incorporation in Si(100) steps (2002)
Dalpian, G. M.; Silva, Antonio Jose Roque da; Venezuela, Pedro; Fazzio, Adalberto
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: SUPERFÍCIE FÍSICA, FILMES FINOS
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ABNT
DALPIAN, G. M. et al. Si incorporation in Si(100) steps. 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 09 jun. 2024.
APA
Dalpian, G. M., Silva, A. J. R. da, Venezuela, P., & Fazzio, A. (2002). Si incorporation in Si(100) steps. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Dalpian GM, Silva AJR da, Venezuela P, Fazzio A. Si incorporation in Si(100) steps. Resumos. 2002 ;[citado 2024 jun. 09 ]
Vancouver
Dalpian GM, Silva AJR da, Venezuela P, Fazzio A. Si incorporation in Si(100) steps. Resumos. 2002 ;[citado 2024 jun. 09 ]
Artigo de periodico
Adsorption of monomers on semiconductors and the importance of surface degrees of freedom (2001)
Dalpian, G. M.; Fazzio, A; Silva, Antonio Jose Roque da
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
DALPIAN, G. M. e FAZZIO, A e SILVA, Antonio Jose Roque da. Adsorption of monomers on semiconductors and the importance of surface degrees of freedom. Physical Review B, v. 63, n. 20, p. 5303/1-5303/4, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.63.205303. Acesso em: 09 jun. 2024.
APA
Dalpian, G. M., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2001). Adsorption of monomers on semiconductors and the importance of surface degrees of freedom. Physical Review B, 63( 20), 5303/1-5303/4. doi:10.1103/physrevb.63.205303
NLM
Dalpian GM, Fazzio A, Silva AJR da. Adsorption of monomers on semiconductors and the importance of surface degrees of freedom [Internet]. Physical Review B. 2001 ; 63( 20): 5303/1-5303/4.[citado 2024 jun. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.63.205303
Vancouver
Dalpian GM, Fazzio A, Silva AJR da. Adsorption of monomers on semiconductors and the importance of surface degrees of freedom [Internet]. Physical Review B. 2001 ; 63( 20): 5303/1-5303/4.[citado 2024 jun. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.63.205303
Artigo de periodico
Ab initio studies of the 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X' alloy and its intrinsic defects (2001)
Venezuela, P; Silva, Antonio Jose Roque da; Silva, Cesar da; Dalpian, G. M.; Fazzio, Adalberto
Source: Computational Materials Science. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, SISTEMAS DINÂMICOS, ESTABILIDADE DE SISTEMAS
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ABNT
VENEZUELA, P et al. Ab initio studies of the 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X' alloy and its intrinsic defects. Computational Materials Science, v. 22, n. 1-2, p. 62-66, 2001Tradução . . Acesso em: 09 jun. 2024.
APA
Venezuela, P., Silva, A. J. R. da, Silva, C. da, Dalpian, G. M., & Fazzio, A. (2001). Ab initio studies of the 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X' alloy and its intrinsic defects. Computational Materials Science, 22( 1-2), 62-66.
NLM
Venezuela P, Silva AJR da, Silva C da, Dalpian GM, Fazzio A. Ab initio studies of the 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X' alloy and its intrinsic defects. Computational Materials Science. 2001 ; 22( 1-2): 62-66.[citado 2024 jun. 09 ]
Vancouver
Venezuela P, Silva AJR da, Silva C da, Dalpian GM, Fazzio A. Ab initio studies of the 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X' alloy and its intrinsic defects. Computational Materials Science. 2001 ; 22( 1-2): 62-66.[citado 2024 jun. 09 ]
Artigo de periodico
Influence of surface degrees of freedom on the adsorption of Ge ad-atoms on Si(100) (2001)
Dalpian, G. M.; Fazzio, Adalberto; Silva, Antonio Jose Roque da
Source: Computational Materials Science. Unidade: IF
Subjects: MATERIAIS, DENSIDADE, SUPERFÍCIE FÍSICA, MICROSCOPIA ELETRÔNICA DE VARREDURA, ABSORÇÃO
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ABNT
DALPIAN, G. M. e FAZZIO, Adalberto e SILVA, Antonio Jose Roque da. Influence of surface degrees of freedom on the adsorption of Ge ad-atoms on Si(100). Computational Materials Science, v. 22, n. 1-2, p. 19-23, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0927-0256(01)00158-6. Acesso em: 09 jun. 2024.
APA
Dalpian, G. M., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2001). Influence of surface degrees of freedom on the adsorption of Ge ad-atoms on Si(100). Computational Materials Science, 22( 1-2), 19-23. doi:10.1016/s0927-0256(01)00158-6
NLM
Dalpian GM, Fazzio A, Silva AJR da. Influence of surface degrees of freedom on the adsorption of Ge ad-atoms on Si(100) [Internet]. Computational Materials Science. 2001 ; 22( 1-2): 19-23.[citado 2024 jun. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0927-0256(01)00158-6
Vancouver
Dalpian GM, Fazzio A, Silva AJR da. Influence of surface degrees of freedom on the adsorption of Ge ad-atoms on Si(100) [Internet]. Computational Materials Science. 2001 ; 22( 1-2): 19-23.[citado 2024 jun. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0927-0256(01)00158-6

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