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Artigo de periodico
Theoretical and experimental study of the excitonic binding energy in 'GA''AS'/'AL''GA''AS' single and coupled double quantum wells (2013)
Lopes, E. M.; Cesar, D. F.); Franchello, F.; Duarte, J. L.; Dias, I. F. L.; Laureto, E.; Elias, D. C.; Pereira, M. V. M.; Guimaraes, P. S. S.; Quivy, Alain Andre
Source: JOURNAL OF LUMINESCENCE. Unidade: IF
Subjects: CAMPO MAGNÉTICO, FOTOLUMINESCÊNCIA, MAGNETISMO
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ABNT
LOPES, E. M. et al. Theoretical and experimental study of the excitonic binding energy in 'GA''AS'/'AL''GA''AS' single and coupled double quantum wells. JOURNAL OF LUMINESCENCE, v. 144, p. 98-104, 2013Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S002223131300375X. Acesso em: 03 jun. 2024.
APA
Lopes, E. M., Cesar, D. F. ), Franchello, F., Duarte, J. L., Dias, I. F. L., Laureto, E., et al. (2013). Theoretical and experimental study of the excitonic binding energy in 'GA''AS'/'AL''GA''AS' single and coupled double quantum wells. JOURNAL OF LUMINESCENCE, 144, 98-104. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S002223131300375X
NLM
Lopes EM, Cesar DF), Franchello F, Duarte JL, Dias IFL, Laureto E, Elias DC, Pereira MVM, Guimaraes PSS, Quivy AA. Theoretical and experimental study of the excitonic binding energy in 'GA''AS'/'AL''GA''AS' single and coupled double quantum wells [Internet]. JOURNAL OF LUMINESCENCE. 2013 ; 144 98-104.[citado 2024 jun. 03 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S002223131300375X
Vancouver
Lopes EM, Cesar DF), Franchello F, Duarte JL, Dias IFL, Laureto E, Elias DC, Pereira MVM, Guimaraes PSS, Quivy AA. Theoretical and experimental study of the excitonic binding energy in 'GA''AS'/'AL''GA''AS' single and coupled double quantum wells [Internet]. JOURNAL OF LUMINESCENCE. 2013 ; 144 98-104.[citado 2024 jun. 03 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S002223131300375X
Artigo de periodico
Simulation of the electronic properties of 'IN' IND. x''GA' IND. 1−x' 'AS' quantum dots and their wetting layer under the influence of indium segregation (2013)
Maia, Álvaro Diego Bernardino; Aquino, V. M. de; Dias, I. F. L.; Silva, Euzi Conceição Fernandes da; Quivy, Alain Andre; Bindilatti, Valdir
Source: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. Unidade: IF
Subjects: FOTODETECTORES, ÁTOMOS
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ABNT
MAIA, Álvaro Diego Bernardino et al. Simulation of the electronic properties of 'IN' IND. x''GA' IND. 1−x' 'AS' quantum dots and their wetting layer under the influence of indium segregation. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, v. 114, n. 8, p. 083708, 2013Tradução . . Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/431f6fc1-75d5-4f3e-b13e-0af926fa3796/1.4818610.pdf. Acesso em: 03 jun. 2024.
APA
Maia, Á. D. B., Aquino, V. M. de, Dias, I. F. L., Silva, E. C. F. da, Quivy, A. A., & Bindilatti, V. (2013). Simulation of the electronic properties of 'IN' IND. x''GA' IND. 1−x' 'AS' quantum dots and their wetting layer under the influence of indium segregation. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 114( 8), 083708. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/431f6fc1-75d5-4f3e-b13e-0af926fa3796/1.4818610.pdf
NLM
Maia ÁDB, Aquino VM de, Dias IFL, Silva ECF da, Quivy AA, Bindilatti V. Simulation of the electronic properties of 'IN' IND. x''GA' IND. 1−x' 'AS' quantum dots and their wetting layer under the influence of indium segregation [Internet]. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2013 ; 114( 8): 083708.[citado 2024 jun. 03 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/431f6fc1-75d5-4f3e-b13e-0af926fa3796/1.4818610.pdf
Vancouver
Maia ÁDB, Aquino VM de, Dias IFL, Silva ECF da, Quivy AA, Bindilatti V. Simulation of the electronic properties of 'IN' IND. x''GA' IND. 1−x' 'AS' quantum dots and their wetting layer under the influence of indium segregation [Internet]. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2013 ; 114( 8): 083708.[citado 2024 jun. 03 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/431f6fc1-75d5-4f3e-b13e-0af926fa3796/1.4818610.pdf
Artigo de periodico
Analysis of confinement potential fluctuation and band-gap renormalization effects on excitonic transition in GaAs/AlGaAs multiquantum wells grown on (1 0 0) and (3 1 1)A GaAs surfaces (2012)
Lourenço, S. A.; Teodoro, M. D.; González-Borrero, P. P.; Dias, I. F. L.; Duarte, J. L.; Marega Júnior, Euclydes; Salamo, G. J.
Source: Physica B. Unidade: IFSC
Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, FOTOLUMINESCÊNCIA, SEMICONDUTORES
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ABNT
LOURENÇO, S. A. et al. Analysis of confinement potential fluctuation and band-gap renormalization effects on excitonic transition in GaAs/AlGaAs multiquantum wells grown on (1 0 0) and (3 1 1)A GaAs surfaces. Physica B, v. 407, n. 12, p. 2131-2135, 2012Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.physb.2012.02.020. Acesso em: 03 jun. 2024.
APA
Lourenço, S. A., Teodoro, M. D., González-Borrero, P. P., Dias, I. F. L., Duarte, J. L., Marega Júnior, E., & Salamo, G. J. (2012). Analysis of confinement potential fluctuation and band-gap renormalization effects on excitonic transition in GaAs/AlGaAs multiquantum wells grown on (1 0 0) and (3 1 1)A GaAs surfaces. Physica B, 407( 12), 2131-2135. doi:10.1016/j.physb.2012.02.020
NLM
Lourenço SA, Teodoro MD, González-Borrero PP, Dias IFL, Duarte JL, Marega Júnior E, Salamo GJ. Analysis of confinement potential fluctuation and band-gap renormalization effects on excitonic transition in GaAs/AlGaAs multiquantum wells grown on (1 0 0) and (3 1 1)A GaAs surfaces [Internet]. Physica B. 2012 ; 407( 12): 2131-2135.[citado 2024 jun. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2012.02.020
Vancouver
Lourenço SA, Teodoro MD, González-Borrero PP, Dias IFL, Duarte JL, Marega Júnior E, Salamo GJ. Analysis of confinement potential fluctuation and band-gap renormalization effects on excitonic transition in GaAs/AlGaAs multiquantum wells grown on (1 0 0) and (3 1 1)A GaAs surfaces [Internet]. Physica B. 2012 ; 407( 12): 2131-2135.[citado 2024 jun. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2012.02.020
Trabalho de evento-resumo
Energy levels for lens-shaped self-assembled quantum dots heterostructures (2012)
Laureto, E.; Aquino, V. M. de; Iwamoto, H.; Silva, M. A. T. da; Fernandes, R. V.; Franchello, F.; Dias, I. F. L.; Duarte, J. L.; Maia, A. D. B.; Silva, E. C. F. da; Quivy, A. A.
Source: Resumo. Conference titles: XXXV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUORES
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ABNT
LAURETO, E. et al. Energy levels for lens-shaped self-assembled quantum dots heterostructures. 2012, Anais.. Águas de Lindóia: SBF, 2012. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0082-1.pdf. Acesso em: 03 jun. 2024.
APA
Laureto, E., Aquino, V. M. de, Iwamoto, H., Silva, M. A. T. da, Fernandes, R. V., Franchello, F., et al. (2012). Energy levels for lens-shaped self-assembled quantum dots heterostructures. In Resumo. Águas de Lindóia: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0082-1.pdf
NLM
Laureto E, Aquino VM de, Iwamoto H, Silva MAT da, Fernandes RV, Franchello F, Dias IFL, Duarte JL, Maia ADB, Silva ECF da, Quivy AA. Energy levels for lens-shaped self-assembled quantum dots heterostructures [Internet]. Resumo. 2012 ;[citado 2024 jun. 03 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0082-1.pdf
Vancouver
Laureto E, Aquino VM de, Iwamoto H, Silva MAT da, Fernandes RV, Franchello F, Dias IFL, Duarte JL, Maia ADB, Silva ECF da, Quivy AA. Energy levels for lens-shaped self-assembled quantum dots heterostructures [Internet]. Resumo. 2012 ;[citado 2024 jun. 03 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0082-1.pdf
Artigo de periodico
Contrasting LH-HH subband splitting of strained quantum wells grown along [001] and [113] directions (2010)
Cesar, D. F.; Teodoro, M. D.; Tsuzuki, H.; Richard, V. Lopez; Marques, G. E.; Rino, J. P.; Lourenço, S. A.; Marega Júnior, Euclydes; Dias, I. F. L.; Duarte, J. L.; Borrero, P. P. González; Salamo, G. J.
Source: Physical Review B. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, POÇOS QUÂNTICOS, ESPECTROSCOPIA RAMAN
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ABNT
CESAR, D. F. et al. Contrasting LH-HH subband splitting of strained quantum wells grown along [001] and [113] directions. Physical Review B, v. 81, n. Ju 2010, p. 233301-1-233301-4, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.81.233301. Acesso em: 03 jun. 2024.
APA
Cesar, D. F., Teodoro, M. D., Tsuzuki, H., Richard, V. L., Marques, G. E., Rino, J. P., et al. (2010). Contrasting LH-HH subband splitting of strained quantum wells grown along [001] and [113] directions. Physical Review B, 81( Ju 2010), 233301-1-233301-4. doi:10.1103/PhysRevB.81.233301
NLM
Cesar DF, Teodoro MD, Tsuzuki H, Richard VL, Marques GE, Rino JP, Lourenço SA, Marega Júnior E, Dias IFL, Duarte JL, Borrero PPG, Salamo GJ. Contrasting LH-HH subband splitting of strained quantum wells grown along [001] and [113] directions [Internet]. Physical Review B. 2010 ; 81( Ju 2010): 233301-1-233301-4.[citado 2024 jun. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.81.233301
Vancouver
Cesar DF, Teodoro MD, Tsuzuki H, Richard VL, Marques GE, Rino JP, Lourenço SA, Marega Júnior E, Dias IFL, Duarte JL, Borrero PPG, Salamo GJ. Contrasting LH-HH subband splitting of strained quantum wells grown along [001] and [113] directions [Internet]. Physical Review B. 2010 ; 81( Ju 2010): 233301-1-233301-4.[citado 2024 jun. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.81.233301
Artigo de periodico
Substrate orientation effect on potential fluctuations in multiquantum wells of GaAs/AlGa (2008)
Teodoro, M. D.; Dias, I. F. L.; Laureto, E.; Duarte, J. L.; Borrero, P. P. González; Lourenço, S. A.; Mazzaro, I.; Marega Júnior, Euclydes; Salamo, G. J.
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Subjects: FOTOLUMINESCÊNCIA, SEMICONDUTORES, GASES, TEMPERATURA
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ABNT
TEODORO, M. D. et al. Substrate orientation effect on potential fluctuations in multiquantum wells of GaAs/AlGa. Journal of Applied Physics, v. 103, n. 9, p. 093508-1-093508-7, 2008Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.2913513. Acesso em: 03 jun. 2024.
APA
Teodoro, M. D., Dias, I. F. L., Laureto, E., Duarte, J. L., Borrero, P. P. G., Lourenço, S. A., et al. (2008). Substrate orientation effect on potential fluctuations in multiquantum wells of GaAs/AlGa. Journal of Applied Physics, 103( 9), 093508-1-093508-7. doi:10.1063/1.2913513
NLM
Teodoro MD, Dias IFL, Laureto E, Duarte JL, Borrero PPG, Lourenço SA, Mazzaro I, Marega Júnior E, Salamo GJ. Substrate orientation effect on potential fluctuations in multiquantum wells of GaAs/AlGa [Internet]. Journal of Applied Physics. 2008 ; 103( 9): 093508-1-093508-7.[citado 2024 jun. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2913513
Vancouver
Teodoro MD, Dias IFL, Laureto E, Duarte JL, Borrero PPG, Lourenço SA, Mazzaro I, Marega Júnior E, Salamo GJ. Substrate orientation effect on potential fluctuations in multiquantum wells of GaAs/AlGa [Internet]. Journal of Applied Physics. 2008 ; 103( 9): 093508-1-093508-7.[citado 2024 jun. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2913513
Trabalho de evento
Influence of barrier height and thickness on temperature dependence of excitonic transitions in coupled double quantum wells of 'Al IND.x' 'Ga IND.1-x' As/GaAs (2006)
Lopes, E M; Duarte, J L; César, D F; Poças, L C; Dias, I. F. L.; Laureto, E; Lamas, T. E.; Quivy, A. A.
Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
LOPES, E M et al. Influence of barrier height and thickness on temperature dependence of excitonic transitions in coupled double quantum wells of 'Al IND.x' 'Ga IND.1-x' As/GaAs. 2006, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 2006. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0537-1.pdf. Acesso em: 03 jun. 2024.
APA
Lopes, E. M., Duarte, J. L., César, D. F., Poças, L. C., Dias, I. F. L., Laureto, E., et al. (2006). Influence of barrier height and thickness on temperature dependence of excitonic transitions in coupled double quantum wells of 'Al IND.x' 'Ga IND.1-x' As/GaAs. In . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0537-1.pdf
NLM
Lopes EM, Duarte JL, César DF, Poças LC, Dias IFL, Laureto E, Lamas TE, Quivy AA. Influence of barrier height and thickness on temperature dependence of excitonic transitions in coupled double quantum wells of 'Al IND.x' 'Ga IND.1-x' As/GaAs [Internet]. 2006 ;[citado 2024 jun. 03 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0537-1.pdf
Vancouver
Lopes EM, Duarte JL, César DF, Poças LC, Dias IFL, Laureto E, Lamas TE, Quivy AA. Influence of barrier height and thickness on temperature dependence of excitonic transitions in coupled double quantum wells of 'Al IND.x' 'Ga IND.1-x' As/GaAs [Internet]. 2006 ;[citado 2024 jun. 03 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0537-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Influência da composição da barreira sobre a fotoluminescência dependente da temperatura em poços quânticos de $Al_xGa_{1-x}As/GaAs$ (2005)
Silva, M A T; Lamas, T. E.; Quivy, A. A.; Dias, I. F. L.; Duarte, J L; Laureto, E; Lourenco, S A
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, POÇOS QUÂNTICOS, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
SILVA, M A T et al. Influência da composição da barreira sobre a fotoluminescência dependente da temperatura em poços quânticos de $Al_xGa_{1-x}As/GaAs$. 2005, Anais.. São Paulo: SBF, 2005. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0375-1.pdf. Acesso em: 03 jun. 2024.
APA
Silva, M. A. T., Lamas, T. E., Quivy, A. A., Dias, I. F. L., Duarte, J. L., Laureto, E., & Lourenco, S. A. (2005). Influência da composição da barreira sobre a fotoluminescência dependente da temperatura em poços quânticos de $Al_xGa_{1-x}As/GaAs$. In Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0375-1.pdf
NLM
Silva MAT, Lamas TE, Quivy AA, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Lourenco SA. Influência da composição da barreira sobre a fotoluminescência dependente da temperatura em poços quânticos de $Al_xGa_{1-x}As/GaAs$ [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 jun. 03 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0375-1.pdf
Vancouver
Silva MAT, Lamas TE, Quivy AA, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Lourenco SA. Influência da composição da barreira sobre a fotoluminescência dependente da temperatura em poços quânticos de $Al_xGa_{1-x}As/GaAs$ [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 jun. 03 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0375-1.pdf
Artigo de periodico
Influence of Al content on temperature dependence of excitonic transitions in quantum wells (2001)
Lourenco, S A; Dias, I. F. L.; Laureto, E; Duarte, J L; Toguinho Filho, D O; Meneses, E A; Leite, J. R.
Source: European Physical Journal B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LOURENCO, S A et al. Influence of Al content on temperature dependence of excitonic transitions in quantum wells. European Physical Journal B, v. 21, n. 1, p. 11-17, 2001Tradução . . Disponível em: http://link.springer.de/link/service/journals/10051/papers/1021001/10210011.pdf. Acesso em: 03 jun. 2024.
APA
Lourenco, S. A., Dias, I. F. L., Laureto, E., Duarte, J. L., Toguinho Filho, D. O., Meneses, E. A., & Leite, J. R. (2001). Influence of Al content on temperature dependence of excitonic transitions in quantum wells. European Physical Journal B, 21( 1), 11-17. Recuperado de http://link.springer.de/link/service/journals/10051/papers/1021001/10210011.pdf
NLM
Lourenco SA, Dias IFL, Laureto E, Duarte JL, Toguinho Filho DO, Meneses EA, Leite JR. Influence of Al content on temperature dependence of excitonic transitions in quantum wells [Internet]. European Physical Journal B. 2001 ; 21( 1): 11-17.[citado 2024 jun. 03 ] Available from: http://link.springer.de/link/service/journals/10051/papers/1021001/10210011.pdf
Vancouver
Lourenco SA, Dias IFL, Laureto E, Duarte JL, Toguinho Filho DO, Meneses EA, Leite JR. Influence of Al content on temperature dependence of excitonic transitions in quantum wells [Internet]. European Physical Journal B. 2001 ; 21( 1): 11-17.[citado 2024 jun. 03 ] Available from: http://link.springer.de/link/service/journals/10051/papers/1021001/10210011.pdf
Artigo de periodico
Band-edge modifications due to photogenerated carriers in single p-type delta-doped GaAs layers (1999)
Levine, A.; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Sipahi, Guilherme Matos; Quivy, A. A.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Dias, I. F. L.; Lauretto, E.; Oliveira, J. B. B.; Meneses, E. A.; Oliveira, A. G.
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LEVINE, A. et al. Band-edge modifications due to photogenerated carriers in single p-type delta-doped GaAs layers. Physical Review B, v. 59, n. 7, p. 4634-4637, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.59.4634. Acesso em: 03 jun. 2024.
APA
Levine, A., Silva, E. C. F. da, Sipahi, G. M., Quivy, A. A., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., et al. (1999). Band-edge modifications due to photogenerated carriers in single p-type delta-doped GaAs layers. Physical Review B, 59( 7), 4634-4637. doi:10.1103/physrevb.59.4634
NLM
Levine A, Silva ECF da, Sipahi GM, Quivy AA, Scolfaro LMR, Leite JR, Dias IFL, Lauretto E, Oliveira JBB, Meneses EA, Oliveira AG. Band-edge modifications due to photogenerated carriers in single p-type delta-doped GaAs layers [Internet]. Physical Review B. 1999 ; 59( 7): 4634-4637.[citado 2024 jun. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.59.4634
Vancouver
Levine A, Silva ECF da, Sipahi GM, Quivy AA, Scolfaro LMR, Leite JR, Dias IFL, Lauretto E, Oliveira JBB, Meneses EA, Oliveira AG. Band-edge modifications due to photogenerated carriers in single p-type delta-doped GaAs layers [Internet]. Physical Review B. 1999 ; 59( 7): 4634-4637.[citado 2024 jun. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.59.4634
Trabalho de evento-resumo
New results in photoluminescence-excitation measurements from Be single delta-doped GaAs layers (1997)
Levine, A; Silva, Euzi Conceição Fernandes da; Dias, I. F. L.; Lauretto, D; Oliveira, J. B. B.; Meneses, E A; Oliveira, A. G.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LEVINE, A et al. New results in photoluminescence-excitation measurements from Be single delta-doped GaAs layers. 1997, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1997. . Acesso em: 03 jun. 2024.
APA
Levine, A., Silva, E. C. F. da, Dias, I. F. L., Lauretto, D., Oliveira, J. B. B., Meneses, E. A., & Oliveira, A. G. (1997). New results in photoluminescence-excitation measurements from Be single delta-doped GaAs layers. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Levine A, Silva ECF da, Dias IFL, Lauretto D, Oliveira JBB, Meneses EA, Oliveira AG. New results in photoluminescence-excitation measurements from Be single delta-doped GaAs layers. Resumos. 1997 ;[citado 2024 jun. 03 ]
Vancouver
Levine A, Silva ECF da, Dias IFL, Lauretto D, Oliveira JBB, Meneses EA, Oliveira AG. New results in photoluminescence-excitation measurements from Be single delta-doped GaAs layers. Resumos. 1997 ;[citado 2024 jun. 03 ]
Artigo de periodico
Comparative studies of photoluminescence from n-and p-'GAMA'-doping wells in 'GA''AS' (1995)
Enderlein, R; Sipahi, Guilherme Matos; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.; Dias, I. F. L.
Source: Materials Science & Engineering B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ENDERLEIN, R et al. Comparative studies of photoluminescence from n-and p-'GAMA'-doping wells in 'GA''AS'. Materials Science & Engineering B, v. 35, p. 396-400, 1995Tradução . . Acesso em: 03 jun. 2024.
APA
Enderlein, R., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., & Dias, I. F. L. (1995). Comparative studies of photoluminescence from n-and p-'GAMA'-doping wells in 'GA''AS'. Materials Science & Engineering B, 35, 396-400.
NLM
Enderlein R, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR, Dias IFL. Comparative studies of photoluminescence from n-and p-'GAMA'-doping wells in 'GA''AS'. Materials Science & Engineering B. 1995 ;35 396-400.[citado 2024 jun. 03 ]
Vancouver
Enderlein R, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR, Dias IFL. Comparative studies of photoluminescence from n-and p-'GAMA'-doping wells in 'GA''AS'. Materials Science & Engineering B. 1995 ;35 396-400.[citado 2024 jun. 03 ]
Trabalho de evento-resumo
Studies of the radiative recombination processes in 'BE' - 'GAMA' doped 'GA''AS' structures (1995)
Levine, A; Quivy, A. A.; Silva, E C F; Dias, I. F. L.; Laureto, E; Meneses, E A; Oliveira, J. B. B.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
LEVINE, A et al. Studies of the radiative recombination processes in 'BE' - 'GAMA' doped 'GA''AS' structures. 1995, Anais.. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1995. . Acesso em: 03 jun. 2024.
APA
Levine, A., Quivy, A. A., Silva, E. C. F., Dias, I. F. L., Laureto, E., Meneses, E. A., & Oliveira, J. B. B. (1995). Studies of the radiative recombination processes in 'BE' - 'GAMA' doped 'GA''AS' structures. In Resumos. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Levine A, Quivy AA, Silva ECF, Dias IFL, Laureto E, Meneses EA, Oliveira JBB. Studies of the radiative recombination processes in 'BE' - 'GAMA' doped 'GA''AS' structures. Resumos. 1995 ;[citado 2024 jun. 03 ]
Vancouver
Levine A, Quivy AA, Silva ECF, Dias IFL, Laureto E, Meneses EA, Oliveira JBB. Studies of the radiative recombination processes in 'BE' - 'GAMA' doped 'GA''AS' structures. Resumos. 1995 ;[citado 2024 jun. 03 ]
Parte de monografia/livro
Built-in eletric-field at modulation doped 'GA''AS' / 'GA''AL''AS' heterojunctions and delta-doped 'GA''AS' (1991)
Camata, R P; Scolfaro, L M R; Martins, José Manuel de Vasconcelos; Leite, J. R.; Mendonca, C A C; Meneses, E A; Dias, I. F. L.; Bezerra, J C; Oliveira, A. G.
Source: Festschrift in Honor of R C Leite. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
CAMATA, R P et al. Built-in eletric-field at modulation doped 'GA''AS' / 'GA''AL''AS' heterojunctions and delta-doped 'GA''AS'. Festschrift in Honor of R C Leite. Tradução . Singapura: World Scientific, 1991. . . Acesso em: 03 jun. 2024.
APA
Camata, R. P., Scolfaro, L. M. R., Martins, J. M. de V., Leite, J. R., Mendonca, C. A. C., Meneses, E. A., et al. (1991). Built-in eletric-field at modulation doped 'GA''AS' / 'GA''AL''AS' heterojunctions and delta-doped 'GA''AS'. In Festschrift in Honor of R C Leite. Singapura: World Scientific.
NLM
Camata RP, Scolfaro LMR, Martins JM de V, Leite JR, Mendonca CAC, Meneses EA, Dias IFL, Bezerra JC, Oliveira AG. Built-in eletric-field at modulation doped 'GA''AS' / 'GA''AL''AS' heterojunctions and delta-doped 'GA''AS'. In: Festschrift in Honor of R C Leite. Singapura: World Scientific; 1991. [citado 2024 jun. 03 ]
Vancouver
Camata RP, Scolfaro LMR, Martins JM de V, Leite JR, Mendonca CAC, Meneses EA, Dias IFL, Bezerra JC, Oliveira AG. Built-in eletric-field at modulation doped 'GA''AS' / 'GA''AL''AS' heterojunctions and delta-doped 'GA''AS'. In: Festschrift in Honor of R C Leite. Singapura: World Scientific; 1991. [citado 2024 jun. 03 ]
Artigo de periodico
Broadening of the si doping layer in planar-doped gaas in the limit of high concentrations (1991)
Rodrigues, R; Guimaraes, P S S; Sampaio, J F; Nogueira, R A; Oliveira Junior, A T; Dias, I. F. L.; Bezerra, J C; Oliveira, A. G.; Chaves, A S; Scolfaro, L M R
Source: Solid State Communications. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
RODRIGUES, R et al. Broadening of the si doping layer in planar-doped gaas in the limit of high concentrations. Solid State Communications, v. 78, p. 793-6, 1991Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/0038-1098(91)90622-3. Acesso em: 03 jun. 2024.
APA
Rodrigues, R., Guimaraes, P. S. S., Sampaio, J. F., Nogueira, R. A., Oliveira Junior, A. T., Dias, I. F. L., et al. (1991). Broadening of the si doping layer in planar-doped gaas in the limit of high concentrations. Solid State Communications, 78, 793-6. doi:10.1016/0038-1098(91)90622-3
NLM
Rodrigues R, Guimaraes PSS, Sampaio JF, Nogueira RA, Oliveira Junior AT, Dias IFL, Bezerra JC, Oliveira AG, Chaves AS, Scolfaro LMR. Broadening of the si doping layer in planar-doped gaas in the limit of high concentrations [Internet]. Solid State Communications. 1991 ;78 793-6.[citado 2024 jun. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0038-1098(91)90622-3
Vancouver
Rodrigues R, Guimaraes PSS, Sampaio JF, Nogueira RA, Oliveira Junior AT, Dias IFL, Bezerra JC, Oliveira AG, Chaves AS, Scolfaro LMR. Broadening of the si doping layer in planar-doped gaas in the limit of high concentrations [Internet]. Solid State Communications. 1991 ;78 793-6.[citado 2024 jun. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0038-1098(91)90622-3
Trabalho de evento
Photoreflectance of 2-d electron gas: observation of quantum franz-keldysh effect? (1990)
Bernussi, A A; Mendonca, C A C; Motisuke, P; Meneses, E A; Cerdeira, P; Pollak, F H; Basmaji, Pierre; Dias, I. F. L.
Source: Proceedings. Conference titles: International Conference of the Physics of Semiconductors. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
BERNUSSI, A A et al. Photoreflectance of 2-d electron gas: observation of quantum franz-keldysh effect? 1990, Anais.. Singapore: World Scientific, 1990. . Acesso em: 03 jun. 2024.
APA
Bernussi, A. A., Mendonca, C. A. C., Motisuke, P., Meneses, E. A., Cerdeira, P., Pollak, F. H., et al. (1990). Photoreflectance of 2-d electron gas: observation of quantum franz-keldysh effect? In Proceedings. Singapore: World Scientific.
NLM
Bernussi AA, Mendonca CAC, Motisuke P, Meneses EA, Cerdeira P, Pollak FH, Basmaji P, Dias IFL. Photoreflectance of 2-d electron gas: observation of quantum franz-keldysh effect? Proceedings. 1990 ;[citado 2024 jun. 03 ]
Vancouver
Bernussi AA, Mendonca CAC, Motisuke P, Meneses EA, Cerdeira P, Pollak FH, Basmaji P, Dias IFL. Photoreflectance of 2-d electron gas: observation of quantum franz-keldysh effect? Proceedings. 1990 ;[citado 2024 jun. 03 ]

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