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  • Source: Journal of Luminescence. Unidade: IF

    Subjects: FOTOLUMINESCÊNCIA, MAGNETISMO

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    • ABNT

      LOPES, E M et al. Magnetophotoluminescence study of 'GA''AS'/'AL''GA''AS' coupled double quantum wells with bimodal heterointerface roughness. Journal of Luminescence, v. 132, n. 5, p. 1183-1187, 2012Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022231311007344. Acesso em: 07 jun. 2024.
    • APA

      Lopes, E. M., Menezes, J. C. M., Duarte, J. L., Dias, I. F. L., Laureto, E., Guimarães, P. S. S., et al. (2012). Magnetophotoluminescence study of 'GA''AS'/'AL''GA''AS' coupled double quantum wells with bimodal heterointerface roughness. Journal of Luminescence, 132( 5), 1183-1187. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022231311007344
    • NLM

      Lopes EM, Menezes JCM, Duarte JL, Dias IFL, Laureto E, Guimarães PSS, Subtil AGS, Quivy AA. Magnetophotoluminescence study of 'GA''AS'/'AL''GA''AS' coupled double quantum wells with bimodal heterointerface roughness [Internet]. Journal of Luminescence. 2012 ;132( 5): 1183-1187.[citado 2024 jun. 07 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022231311007344
    • Vancouver

      Lopes EM, Menezes JCM, Duarte JL, Dias IFL, Laureto E, Guimarães PSS, Subtil AGS, Quivy AA. Magnetophotoluminescence study of 'GA''AS'/'AL''GA''AS' coupled double quantum wells with bimodal heterointerface roughness [Internet]. Journal of Luminescence. 2012 ;132( 5): 1183-1187.[citado 2024 jun. 07 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022231311007344
  • Source: Resumo. Conference titles: Econtro de Física. Unidade: IF

    Assunto: SEMICONDUTORES (FÍSICO-QUÍMICA)

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    • ABNT

      LOPES, E M et al. Behavior of excitonic binding energy in single and double 'GA''AS'/'AL''GA''AS' quantum wells. 2011, Anais.. Foz do Iguaçu: SBF, 2011. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R1570-1.pdf. Acesso em: 07 jun. 2024.
    • APA

      Lopes, E. M., Quivy, A. A., César, D. F., Franchello, F., Duarte, J. L., Dias, I. F. L., et al. (2011). Behavior of excitonic binding energy in single and double 'GA''AS'/'AL''GA''AS' quantum wells. In Resumo. Foz do Iguaçu: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R1570-1.pdf
    • NLM

      Lopes EM, Quivy AA, César DF, Franchello F, Duarte JL, Dias IFL, Laureto E, Guimarães PSS, Tanaka RY. Behavior of excitonic binding energy in single and double 'GA''AS'/'AL''GA''AS' quantum wells [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 jun. 07 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R1570-1.pdf
    • Vancouver

      Lopes EM, Quivy AA, César DF, Franchello F, Duarte JL, Dias IFL, Laureto E, Guimarães PSS, Tanaka RY. Behavior of excitonic binding energy in single and double 'GA''AS'/'AL''GA''AS' quantum wells [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 jun. 07 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R1570-1.pdf
  • Source: JournalofLuminescence. Unidade: IF

    Assunto: FOTOLUMINESCÊNCIA

    PrivadoAcesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      LOPES, E M et al. Exciton behavior in GaAs/AlGaAs coupled double quantum wells with interface disorder. JournalofLuminescence, v. 130, n. 3, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.jlumin.2009.10.013. Acesso em: 07 jun. 2024.
    • APA

      Lopes, E. M., Duarte, J. L., Poças, L. C., Dias, I. F. L., Laureto, E., Quivy, A. A., & Lamas, T. E. (2010). Exciton behavior in GaAs/AlGaAs coupled double quantum wells with interface disorder. JournalofLuminescence, 130( 3). doi:10.1016/j.jlumin.2009.10.013
    • NLM

      Lopes EM, Duarte JL, Poças LC, Dias IFL, Laureto E, Quivy AA, Lamas TE. Exciton behavior in GaAs/AlGaAs coupled double quantum wells with interface disorder [Internet]. JournalofLuminescence. 2010 ;130( 3):[citado 2024 jun. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.jlumin.2009.10.013
    • Vancouver

      Lopes EM, Duarte JL, Poças LC, Dias IFL, Laureto E, Quivy AA, Lamas TE. Exciton behavior in GaAs/AlGaAs coupled double quantum wells with interface disorder [Internet]. JournalofLuminescence. 2010 ;130( 3):[citado 2024 jun. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.jlumin.2009.10.013
  • Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF

    Subjects: SEMICONDUTORES, POÇOS QUÂNTICOS

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    • ABNT

      CESAR, D F et al. Comportamento da energia de ligação excitônica em poços quânticos duplos de AlGaAs/GaAs em função da largura do "spike. 2007, Anais.. São Paulo: SBF, 2007. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0810-1.pdf. Acesso em: 07 jun. 2024.
    • APA

      Cesar, D. F., Duarte, J. L., Dias, I. F. L., Laureto, E., Lopes, E. M., Frachello, F., & Lamas, T. E. (2007). Comportamento da energia de ligação excitônica em poços quânticos duplos de AlGaAs/GaAs em função da largura do "spike. In . São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0810-1.pdf
    • NLM

      Cesar DF, Duarte JL, Dias IFL, Laureto E, Lopes EM, Frachello F, Lamas TE. Comportamento da energia de ligação excitônica em poços quânticos duplos de AlGaAs/GaAs em função da largura do "spike [Internet]. 2007 ;[citado 2024 jun. 07 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0810-1.pdf
    • Vancouver

      Cesar DF, Duarte JL, Dias IFL, Laureto E, Lopes EM, Frachello F, Lamas TE. Comportamento da energia de ligação excitônica em poços quânticos duplos de AlGaAs/GaAs em função da largura do "spike [Internet]. 2007 ;[citado 2024 jun. 07 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0810-1.pdf
  • Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF

    Subjects: SEMICONDUTORES, POÇOS QUÂNTICOS

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    • ABNT

      LOPES, E M et al. Behavior of excitonic transitions in AlGaAs/GaAs coupled double quantum wells as a function of temperature and excitation power. 2007, Anais.. São Paulo: SBF, 2007. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0183-1.pdf. Acesso em: 07 jun. 2024.
    • APA

      Lopes, E. M., Duarte, J. L., Dias, I. F. L., Poças, L. C., Laureto, E., Cesar, D. F., & Lamas, T. E. (2007). Behavior of excitonic transitions in AlGaAs/GaAs coupled double quantum wells as a function of temperature and excitation power. In . São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0183-1.pdf
    • NLM

      Lopes EM, Duarte JL, Dias IFL, Poças LC, Laureto E, Cesar DF, Lamas TE. Behavior of excitonic transitions in AlGaAs/GaAs coupled double quantum wells as a function of temperature and excitation power [Internet]. 2007 ;[citado 2024 jun. 07 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0183-1.pdf
    • Vancouver

      Lopes EM, Duarte JL, Dias IFL, Poças LC, Laureto E, Cesar DF, Lamas TE. Behavior of excitonic transitions in AlGaAs/GaAs coupled double quantum wells as a function of temperature and excitation power [Internet]. 2007 ;[citado 2024 jun. 07 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0183-1.pdf
  • Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF

    Assunto: MATÉRIA CONDENSADA

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    • ABNT

      LOPES, E M et al. Influence of barrier height and thickness on temperature dependence of excitonic transitions in coupled double quantum wells of 'Al IND.x' 'Ga IND.1-x' As/GaAs. 2006, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 2006. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0537-1.pdf. Acesso em: 07 jun. 2024.
    • APA

      Lopes, E. M., Duarte, J. L., César, D. F., Poças, L. C., Dias, I. F. L., Laureto, E., et al. (2006). Influence of barrier height and thickness on temperature dependence of excitonic transitions in coupled double quantum wells of 'Al IND.x' 'Ga IND.1-x' As/GaAs. In . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0537-1.pdf
    • NLM

      Lopes EM, Duarte JL, César DF, Poças LC, Dias IFL, Laureto E, Lamas TE, Quivy AA. Influence of barrier height and thickness on temperature dependence of excitonic transitions in coupled double quantum wells of 'Al IND.x' 'Ga IND.1-x' As/GaAs [Internet]. 2006 ;[citado 2024 jun. 07 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0537-1.pdf
    • Vancouver

      Lopes EM, Duarte JL, César DF, Poças LC, Dias IFL, Laureto E, Lamas TE, Quivy AA. Influence of barrier height and thickness on temperature dependence of excitonic transitions in coupled double quantum wells of 'Al IND.x' 'Ga IND.1-x' As/GaAs [Internet]. 2006 ;[citado 2024 jun. 07 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0537-1.pdf

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