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Artigo de periodico
A comprehensive study of g-factors, elastic, structural and electronic properties of III-V semiconductors using hybrid-density functional theory (2018)
Bastos, Carlos M. O.; Sabino, Fernando P.; Sipahi, Guilherme Matos; Silva, Juarez Lopes Ferreira da
Source: Journal of Applied Physics. Unidades: IFSC, IQSC
Subjects: SEMICONDUTORES, MAGNETISMO, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
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ABNT
BASTOS, Carlos M. O. et al. A comprehensive study of g-factors, elastic, structural and electronic properties of III-V semiconductors using hybrid-density functional theory. Journal of Applied Physics, v. 123, n. 6, p. 065702-1-065702-13, 2018Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.5018325. Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Bastos, C. M. O., Sabino, F. P., Sipahi, G. M., & Silva, J. L. F. da. (2018). A comprehensive study of g-factors, elastic, structural and electronic properties of III-V semiconductors using hybrid-density functional theory. Journal of Applied Physics, 123( 6), 065702-1-065702-13. doi:10.1063/1.5018325
NLM
Bastos CMO, Sabino FP, Sipahi GM, Silva JLF da. A comprehensive study of g-factors, elastic, structural and electronic properties of III-V semiconductors using hybrid-density functional theory [Internet]. Journal of Applied Physics. 2018 ; 123( 6): 065702-1-065702-13.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.5018325
Vancouver
Bastos CMO, Sabino FP, Sipahi GM, Silva JLF da. A comprehensive study of g-factors, elastic, structural and electronic properties of III-V semiconductors using hybrid-density functional theory [Internet]. Journal of Applied Physics. 2018 ; 123( 6): 065702-1-065702-13.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.5018325
Artigo de periodico
Tuning the optical bandgap in multi-cation compound transparent conducting-oxides: the examples of In2ZnO4 and In4Sn3O12 (2018)
Sabino, Fernando P.; Oliveira, Luiz Nunes de; Wei, Su-Huai; Silva, Juarez Lopes Ferreira da
Source: Journal of Applied Physics. Unidades: IFSC, IQSC
Subjects: ÓPTICA, FÍSICA TEÓRICA
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ABNT
SABINO, Fernando P. et al. Tuning the optical bandgap in multi-cation compound transparent conducting-oxides: the examples of In2ZnO4 and In4Sn3O12. Journal of Applied Physics, v. 123, n. 5, p. 055704-1-055704-9, 2018Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.5018056. Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Sabino, F. P., Oliveira, L. N. de, Wei, S. -H., & Silva, J. L. F. da. (2018). Tuning the optical bandgap in multi-cation compound transparent conducting-oxides: the examples of In2ZnO4 and In4Sn3O12. Journal of Applied Physics, 123( 5), 055704-1-055704-9. doi:10.1063/1.5018056
NLM
Sabino FP, Oliveira LN de, Wei S-H, Silva JLF da. Tuning the optical bandgap in multi-cation compound transparent conducting-oxides: the examples of In2ZnO4 and In4Sn3O12 [Internet]. Journal of Applied Physics. 2018 ; 123( 5): 055704-1-055704-9.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.5018056
Vancouver
Sabino FP, Oliveira LN de, Wei S-H, Silva JLF da. Tuning the optical bandgap in multi-cation compound transparent conducting-oxides: the examples of In2ZnO4 and In4Sn3O12 [Internet]. Journal of Applied Physics. 2018 ; 123( 5): 055704-1-055704-9.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.5018056
Trabalho de evento-resumo
g-factors, elastic, structural and electronic properties of III-V semiconductors using Hybrid-Density Functional Theory (2018)
Bastos, Carlos, M. O.; Sipahi, Guilherme Matos; Sabino, Fernando P.; Silva, Juarez Lopes Ferreira da
Source: Resumos. Conference titles: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física - EOSBF. Unidades: IFSC, IQSC
Subjects: SEMICONDUTORES, MAGNETISMO, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
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ABNT
BASTOS, Carlos et al. g-factors, elastic, structural and electronic properties of III-V semiconductors using Hybrid-Density Functional Theory. 2018, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2018. Disponível em: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xli/sys/resumos/R0259-1.pdf. Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Bastos, C., Sipahi, G. M., Sabino, F. P., & Silva, J. L. F. da. (2018). g-factors, elastic, structural and electronic properties of III-V semiconductors using Hybrid-Density Functional Theory. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xli/sys/resumos/R0259-1.pdf
NLM
Bastos C, Sipahi GM, Sabino FP, Silva JLF da. g-factors, elastic, structural and electronic properties of III-V semiconductors using Hybrid-Density Functional Theory [Internet]. Resumos. 2018 ;[citado 2024 maio 23 ] Available from: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xli/sys/resumos/R0259-1.pdf
Vancouver
Bastos C, Sipahi GM, Sabino FP, Silva JLF da. g-factors, elastic, structural and electronic properties of III-V semiconductors using Hybrid-Density Functional Theory [Internet]. Resumos. 2018 ;[citado 2024 maio 23 ] Available from: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xli/sys/resumos/R0259-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Study of stability and electronic properties of transition metal dichalcogenides using density functional theory (2017)
Bastos, Carlos Maciel O.; Sabino, Fernando P.; Sipahi, Guilherme Matos; Silva, Juarez Lopes Ferreira da
Source: Abstract Booklet. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP. Unidades: IFSC, IQSC
Subjects: MATERIAIS NANOESTRUTURADOS, LASER, SEMICONDUTORES
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ABNT
BASTOS, Carlos Maciel O. et al. Study of stability and electronic properties of transition metal dichalcogenides using density functional theory. 2017, Anais.. São Paulo: Universidade de São Paulo - Instituto de Física - IFUSP, 2017. Disponível em: http://www.bwsp18.if.usp.br/sites/default/files/book-18bwsp_0.pdf. Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Bastos, C. M. O., Sabino, F. P., Sipahi, G. M., & Silva, J. L. F. da. (2017). Study of stability and electronic properties of transition metal dichalcogenides using density functional theory. In Abstract Booklet. São Paulo: Universidade de São Paulo - Instituto de Física - IFUSP. Recuperado de http://www.bwsp18.if.usp.br/sites/default/files/book-18bwsp_0.pdf
NLM
Bastos CMO, Sabino FP, Sipahi GM, Silva JLF da. Study of stability and electronic properties of transition metal dichalcogenides using density functional theory [Internet]. Abstract Booklet. 2017 ;[citado 2024 maio 23 ] Available from: http://www.bwsp18.if.usp.br/sites/default/files/book-18bwsp_0.pdf
Vancouver
Bastos CMO, Sabino FP, Sipahi GM, Silva JLF da. Study of stability and electronic properties of transition metal dichalcogenides using density functional theory [Internet]. Abstract Booklet. 2017 ;[citado 2024 maio 23 ] Available from: http://www.bwsp18.if.usp.br/sites/default/files/book-18bwsp_0.pdf
Artigo de periodico
Optical and fundamental band gaps disparity in transparent conducting oxides: new findings for the In2O3 and SnO2 systems (2017)
Sabino, Fernando P.; Oliveira, Luiz Nunes de; Wei, Su-Huai; Silva, Juarez Lopes Ferreira da
Source: Journal of Physics: Condensed Matter. Unidades: IFSC, IQSC
Subjects: ÓPTICA, FÍSICA TEÓRICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SABINO, Fernando P. et al. Optical and fundamental band gaps disparity in transparent conducting oxides: new findings for the In2O3 and SnO2 systems. Journal of Physics: Condensed Matter, v. 29, n. 8, p. 085501-1-085501-7, 2017Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/1361-648X/aa4e8c. Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Sabino, F. P., Oliveira, L. N. de, Wei, S. -H., & Silva, J. L. F. da. (2017). Optical and fundamental band gaps disparity in transparent conducting oxides: new findings for the In2O3 and SnO2 systems. Journal of Physics: Condensed Matter, 29( 8), 085501-1-085501-7. doi:10.1088/1361-648X/aa4e8c
NLM
Sabino FP, Oliveira LN de, Wei S-H, Silva JLF da. Optical and fundamental band gaps disparity in transparent conducting oxides: new findings for the In2O3 and SnO2 systems [Internet]. Journal of Physics: Condensed Matter. 2017 ; 29( 8): 085501-1-085501-7.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1361-648X/aa4e8c
Vancouver
Sabino FP, Oliveira LN de, Wei S-H, Silva JLF da. Optical and fundamental band gaps disparity in transparent conducting oxides: new findings for the In2O3 and SnO2 systems [Internet]. Journal of Physics: Condensed Matter. 2017 ; 29( 8): 085501-1-085501-7.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1361-648X/aa4e8c
Trabalho de evento-resumo
Realistic gap and spin-orbit splitting from hybrid-DFT: determining effective mass parameters comparable to experiments (2017)
Sipahi, Guilherme Matos; Bastos, Carlos M. O.; Sabino, Fernando P.; Silva, Juarez Lopes Ferreira da
Source: Abstract Booklet. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP. Unidades: IFSC, IQSC
Subjects: SPIN, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SIPAHI, Guilherme Matos et al. Realistic gap and spin-orbit splitting from hybrid-DFT: determining effective mass parameters comparable to experiments. 2017, Anais.. São Paulo: Universidade de São Paulo - Instituto de Física - IFUSP, 2017. Disponível em: http://www.bwsp18.if.usp.br/sites/default/files/book-18bwsp_0.pdf. Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Sipahi, G. M., Bastos, C. M. O., Sabino, F. P., & Silva, J. L. F. da. (2017). Realistic gap and spin-orbit splitting from hybrid-DFT: determining effective mass parameters comparable to experiments. In Abstract Booklet. São Paulo: Universidade de São Paulo - Instituto de Física - IFUSP. Recuperado de http://www.bwsp18.if.usp.br/sites/default/files/book-18bwsp_0.pdf
NLM
Sipahi GM, Bastos CMO, Sabino FP, Silva JLF da. Realistic gap and spin-orbit splitting from hybrid-DFT: determining effective mass parameters comparable to experiments [Internet]. Abstract Booklet. 2017 ;[citado 2024 maio 23 ] Available from: http://www.bwsp18.if.usp.br/sites/default/files/book-18bwsp_0.pdf
Vancouver
Sipahi GM, Bastos CMO, Sabino FP, Silva JLF da. Realistic gap and spin-orbit splitting from hybrid-DFT: determining effective mass parameters comparable to experiments [Internet]. Abstract Booklet. 2017 ;[citado 2024 maio 23 ] Available from: http://www.bwsp18.if.usp.br/sites/default/files/book-18bwsp_0.pdf
Trabalho de evento-resumo periodico
k.p parameters with accuracy control from preexistent first principles band structure calculations (2016)
Sipahi, Guilherme Matos; Bastos, Carlos M. O.; Sabino, Fernando P.; Faria Junior, Paulo E.; Campos, Tiago de; Silva, Juarez Lopes Ferreira da
Source: Bulletin of the American Physical Society. Conference titles: APS March Meeting. Unidades: IFSC, IQSC
Subjects: SEMICONDUTORES, BLENDAS, ZINCO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SIPAHI, Guilherme Matos et al. k.p parameters with accuracy control from preexistent first principles band structure calculations. Bulletin of the American Physical Society. College Park: American Physical Society - APS. Disponível em: http://meetings.aps.org/link/BAPS.2016.MAR.V51.11. Acesso em: 23 maio 2024. , 2016
APA
Sipahi, G. M., Bastos, C. M. O., Sabino, F. P., Faria Junior, P. E., Campos, T. de, & Silva, J. L. F. da. (2016). k.p parameters with accuracy control from preexistent first principles band structure calculations. Bulletin of the American Physical Society. College Park: American Physical Society - APS. Recuperado de http://meetings.aps.org/link/BAPS.2016.MAR.V51.11
NLM
Sipahi GM, Bastos CMO, Sabino FP, Faria Junior PE, Campos T de, Silva JLF da. k.p parameters with accuracy control from preexistent first principles band structure calculations [Internet]. Bulletin of the American Physical Society. 2016 ; 61( 2):[citado 2024 maio 23 ] Available from: http://meetings.aps.org/link/BAPS.2016.MAR.V51.11
Vancouver
Sipahi GM, Bastos CMO, Sabino FP, Faria Junior PE, Campos T de, Silva JLF da. k.p parameters with accuracy control from preexistent first principles band structure calculations [Internet]. Bulletin of the American Physical Society. 2016 ; 61( 2):[citado 2024 maio 23 ] Available from: http://meetings.aps.org/link/BAPS.2016.MAR.V51.11
Artigo de periodico
Stability and accuracy control of k . p parameters (2016)
Bastos, Carlos M. O.; Sabino, Fernando P.; Faria Junior, Paulo E.; Campos, Tiago; Silva, Juarez Lopes Ferreira da ; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Semiconductor Science and Technology. Unidades: IQSC, IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS, SPIN, SISTEMAS HAMILTONIANOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BASTOS, Carlos M. O. et al. Stability and accuracy control of k . p parameters. Semiconductor Science and Technology, v. 31, n. 10, p. 105002-1-105002-10, 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0268-1242/31/10/105002. Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Bastos, C. M. O., Sabino, F. P., Faria Junior, P. E., Campos, T., Silva, J. L. F. da, & Sipahi, G. M. (2016). Stability and accuracy control of k . p parameters. Semiconductor Science and Technology, 31( 10), 105002-1-105002-10. doi:10.1088/0268-1242/31/10/105002
NLM
Bastos CMO, Sabino FP, Faria Junior PE, Campos T, Silva JLF da, Sipahi GM. Stability and accuracy control of k . p parameters [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2016 ; 31( 10): 105002-1-105002-10.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/31/10/105002
Vancouver
Bastos CMO, Sabino FP, Faria Junior PE, Campos T, Silva JLF da, Sipahi GM. Stability and accuracy control of k . p parameters [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2016 ; 31( 10): 105002-1-105002-10.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/31/10/105002
Trabalho de evento-resumo
Why does Ga2O3 crystallize in the gallia structure, while Al2O3 and In2O3 do not? (2015)
Sabino, Fernando P.; Oliveira, Luiz Nunes de; Silva, Juarez Lopes Ferreira da
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidades: IFSC, IQSC
Subjects: NANOPARTÍCULAS, FÍSICA TEÓRICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SABINO, Fernando P. e OLIVEIRA, Luiz Nunes de e SILVA, Juarez Lopes Ferreira da. Why does Ga2O3 crystallize in the gallia structure, while Al2O3 and In2O3 do not? 2015, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2015. Disponível em: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxviii/sys/resumos/R1067-1.pdf. Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Sabino, F. P., Oliveira, L. N. de, & Silva, J. L. F. da. (2015). Why does Ga2O3 crystallize in the gallia structure, while Al2O3 and In2O3 do not? In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxviii/sys/resumos/R1067-1.pdf
NLM
Sabino FP, Oliveira LN de, Silva JLF da. Why does Ga2O3 crystallize in the gallia structure, while Al2O3 and In2O3 do not? [Internet]. Resumos. 2015 ;[citado 2024 maio 23 ] Available from: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxviii/sys/resumos/R1067-1.pdf
Vancouver
Sabino FP, Oliveira LN de, Silva JLF da. Why does Ga2O3 crystallize in the gallia structure, while Al2O3 and In2O3 do not? [Internet]. Resumos. 2015 ;[citado 2024 maio 23 ] Available from: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxviii/sys/resumos/R1067-1.pdf
Artigo de periodico
Origin of and tuning the optical and fundamental band gaps in transparent conducting oxides: the case of M2O3 (M = Al,Ga,In) (2015)
Sabino, Fernando P.; Besse, Rafael; Oliveira, Luiz Nunes de; Wei, Su-Huai; Silva, Juarez Lopes Ferreira da
Source: Physical Review B. Unidades: IFSC, IQSC
Assunto: FÍSICA TEÓRICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SABINO, Fernando P. et al. Origin of and tuning the optical and fundamental band gaps in transparent conducting oxides: the case of M2O3 (M = Al,Ga,In). Physical Review B, v. No 2015, n. 20, p. 205308-1-205308-7 + supplementary material: 1-3, 2015Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.92.205308. Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Sabino, F. P., Besse, R., Oliveira, L. N. de, Wei, S. -H., & Silva, J. L. F. da. (2015). Origin of and tuning the optical and fundamental band gaps in transparent conducting oxides: the case of M2O3 (M = Al,Ga,In). Physical Review B, No 2015( 20), 205308-1-205308-7 + supplementary material: 1-3. doi:10.1103/PhysRevB.92.205308
NLM
Sabino FP, Besse R, Oliveira LN de, Wei S-H, Silva JLF da. Origin of and tuning the optical and fundamental band gaps in transparent conducting oxides: the case of M2O3 (M = Al,Ga,In) [Internet]. Physical Review B. 2015 ; No 2015( 20): 205308-1-205308-7 + supplementary material: 1-3.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.92.205308
Vancouver
Sabino FP, Besse R, Oliveira LN de, Wei S-H, Silva JLF da. Origin of and tuning the optical and fundamental band gaps in transparent conducting oxides: the case of M2O3 (M = Al,Ga,In) [Internet]. Physical Review B. 2015 ; No 2015( 20): 205308-1-205308-7 + supplementary material: 1-3.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.92.205308

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