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Artigo de periodico
A new class of large band gap quantum spin hall insulators: 2D fluorinated group-IV binary compounds (2016)
Padilha, J. E.; Pontes, R. B.; Schmidt, T. M.; Miwa, R. H.; Fazzio, Adalberto
Source: SCIENTIFIC REPORTS. Unidade: IF
Subjects: SPIN, TOPOLOGIA
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ABNT
PADILHA, J. E. et al. A new class of large band gap quantum spin hall insulators: 2D fluorinated group-IV binary compounds. SCIENTIFIC REPORTS, v. 6, p. 26123 , 2016Tradução . . Disponível em: http://www.nature.com/articles/srep26123. Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Padilha, J. E., Pontes, R. B., Schmidt, T. M., Miwa, R. H., & Fazzio, A. (2016). A new class of large band gap quantum spin hall insulators: 2D fluorinated group-IV binary compounds. SCIENTIFIC REPORTS, 6, 26123 . doi:10.1038/srep26123
NLM
Padilha JE, Pontes RB, Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A. A new class of large band gap quantum spin hall insulators: 2D fluorinated group-IV binary compounds [Internet]. SCIENTIFIC REPORTS. 2016 ; 6 26123 .[citado 2024 maio 23 ] Available from: http://www.nature.com/articles/srep26123
Vancouver
Padilha JE, Pontes RB, Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A. A new class of large band gap quantum spin hall insulators: 2D fluorinated group-IV binary compounds [Internet]. SCIENTIFIC REPORTS. 2016 ; 6 26123 .[citado 2024 maio 23 ] Available from: http://www.nature.com/articles/srep26123
Artigo de periodico
Topological phase transitions of '('BI' IND. x''SB' IND. 1−x') IND. 2''SE' IND. 3' alloys by density functional theory (2015)
Abdalla, Leonardo Batoni; Padilha, Jose E.; Schmidt, T. M.; Miwa, R. H.; Fazzio, Adalberto
Source: JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER. Unidade: IF
Subjects: TOPOLOGIA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
ABDALLA, Leonardo Batoni et al. Topological phase transitions of '('BI' IND. x''SB' IND. 1−x') IND. 2''SE' IND. 3' alloys by density functional theory. JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, v. 27, n. 25, p. 255501, 2015Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0953-8984/27/25/255501. Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Abdalla, L. B., Padilha, J. E., Schmidt, T. M., Miwa, R. H., & Fazzio, A. (2015). Topological phase transitions of '('BI' IND. x''SB' IND. 1−x') IND. 2''SE' IND. 3' alloys by density functional theory. JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, 27( 25), 255501. doi:10.1088/0953-8984/27/25/255501
NLM
Abdalla LB, Padilha JE, Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A. Topological phase transitions of '('BI' IND. x''SB' IND. 1−x') IND. 2''SE' IND. 3' alloys by density functional theory [Internet]. JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER. 2015 ; 27( 25): 255501.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/27/25/255501
Vancouver
Abdalla LB, Padilha JE, Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A. Topological phase transitions of '('BI' IND. x''SB' IND. 1−x') IND. 2''SE' IND. 3' alloys by density functional theory [Internet]. JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER. 2015 ; 27( 25): 255501.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/27/25/255501
Artigo de periodico
Topological insulator 'BI' IND.2''SE' IND. 3'(111) surface doped with transition metals: an ab initio investigation (2013)
Abdalla, Leonardo Batoni; Schmidt, T. M.; Miwa, R. H.; Fazzio, Adalberto
Source: PHYSICAL REVIEW B. Unidade: IF
Subjects: MAGNETISMO, ÁTOMOS
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ABNT
ABDALLA, Leonardo Batoni et al. Topological insulator 'BI' IND.2''SE' IND. 3'(111) surface doped with transition metals: an ab initio investigation. PHYSICAL REVIEW B, v. 88, n. 4, p. 045312, 2013Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.88.045312. Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Abdalla, L. B., Schmidt, T. M., Miwa, R. H., & Fazzio, A. (2013). Topological insulator 'BI' IND.2''SE' IND. 3'(111) surface doped with transition metals: an ab initio investigation. PHYSICAL REVIEW B, 88( 4), 045312. doi:10.1103/PhysRevB.88.045312
NLM
Abdalla LB, Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A. Topological insulator 'BI' IND.2''SE' IND. 3'(111) surface doped with transition metals: an ab initio investigation [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2013 ; 88( 4): 045312.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.88.045312
Vancouver
Abdalla LB, Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A. Topological insulator 'BI' IND.2''SE' IND. 3'(111) surface doped with transition metals: an ab initio investigation [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2013 ; 88( 4): 045312.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.88.045312
Artigo de periodico
Graphene on amorphous 'HF''O IND.2' surface: an ab initio investigation (2013)
Scopel, W. L.; Miwa, R H; Schmidt, T. M.; Fazzio, Adalberto
Source: PHYSICAL REVIEW B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
SCOPEL, W. L. et al. Graphene on amorphous 'HF''O IND.2' surface: an ab initio investigation. PHYSICAL REVIEW B, v. 87, n. 16, p. 165307, 2013Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.87.165307. Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Scopel, W. L., Miwa, R. H., Schmidt, T. M., & Fazzio, A. (2013). Graphene on amorphous 'HF''O IND.2' surface: an ab initio investigation. PHYSICAL REVIEW B, 87( 16), 165307. doi:10.1103/PhysRevB.87.165307
NLM
Scopel WL, Miwa RH, Schmidt TM, Fazzio A. Graphene on amorphous 'HF''O IND.2' surface: an ab initio investigation [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2013 ; 87( 16): 165307.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.87.165307
Vancouver
Scopel WL, Miwa RH, Schmidt TM, Fazzio A. Graphene on amorphous 'HF''O IND.2' surface: an ab initio investigation [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2013 ; 87( 16): 165307.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.87.165307
Artigo de periodico
First-principles study of group III impurity doped 'PB''SE': bulk and nanowire (2013)
Wrasse, E O; Baierle, R. J.; Schmidt, T. M.; Fazzio, Adalberto
Source: PHYSICAL REVIEW B. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
WRASSE, E O et al. First-principles study of group III impurity doped 'PB''SE': bulk and nanowire. PHYSICAL REVIEW B, v. fe2013, n. 8, p. 085428, 2013Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.87.085428. Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Wrasse, E. O., Baierle, R. J., Schmidt, T. M., & Fazzio, A. (2013). First-principles study of group III impurity doped 'PB''SE': bulk and nanowire. PHYSICAL REVIEW B, fe2013( 8), 085428. doi:10.1103/PhysRevB.87.085428
NLM
Wrasse EO, Baierle RJ, Schmidt TM, Fazzio A. First-principles study of group III impurity doped 'PB''SE': bulk and nanowire [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2013 ; fe2013( 8): 085428.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.87.085428
Vancouver
Wrasse EO, Baierle RJ, Schmidt TM, Fazzio A. First-principles study of group III impurity doped 'PB''SE': bulk and nanowire [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2013 ; fe2013( 8): 085428.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.87.085428
Artigo de periodico
Topological states ruled by stacking faults in 'BI' IND. 2''SE' IND. 3' and 'BI' IND. 2''TE' IND. 3' (2013)
Seixas, L. ; Abdalla, L. B.; Schmidt, T. M.; Miwa, R. H.; Fazzio, Adalberto
Source: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. Unidade: IF
Assunto: TOPOLOGIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SEIXAS, L. et al. Topological states ruled by stacking faults in 'BI' IND. 2''SE' IND. 3' and 'BI' IND. 2''TE' IND. 3'. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, v. 113, n. ja2013, p. 023705, 2013Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.4773325. Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Seixas, L., Abdalla, L. B., Schmidt, T. M., Miwa, R. H., & Fazzio, A. (2013). Topological states ruled by stacking faults in 'BI' IND. 2''SE' IND. 3' and 'BI' IND. 2''TE' IND. 3'. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 113( ja2013), 023705. doi:10.1063/1.4773325
NLM
Seixas L, Abdalla LB, Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A. Topological states ruled by stacking faults in 'BI' IND. 2''SE' IND. 3' and 'BI' IND. 2''TE' IND. 3' [Internet]. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2013 ; 113( ja2013): 023705.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4773325
Vancouver
Seixas L, Abdalla LB, Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A. Topological states ruled by stacking faults in 'BI' IND. 2''SE' IND. 3' and 'BI' IND. 2''TE' IND. 3' [Internet]. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2013 ; 113( ja2013): 023705.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4773325
Trabalho de evento-resumo
"P IND. In' antisite in InP: structural and electronic properties (1999)
Schmidt, T. M.; Miwa, Roberto Hiroki; Mota, R.; Fazzio, Adalberto
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCHMIDT, T. M. et al. "P IND. In' antisite in InP: structural and electronic properties. 1999, Anais.. São Paulo: SBF, 1999. . Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Schmidt, T. M., Miwa, R. H., Mota, R., & Fazzio, A. (1999). "P IND. In' antisite in InP: structural and electronic properties. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Schmidt TM, Miwa RH, Mota R, Fazzio A. "P IND. In' antisite in InP: structural and electronic properties. Resumos. 1999 ;[citado 2024 maio 23 ]
Vancouver
Schmidt TM, Miwa RH, Mota R, Fazzio A. "P IND. In' antisite in InP: structural and electronic properties. Resumos. 1999 ;[citado 2024 maio 23 ]
Artigo de periodico
Effects of extended defects on the properties of intrinsic and extrinsic point defects in silicon (1999)
Justo Filho, João Francisco ; Antonelli, Alex; Schmidt, T. M.; Fazzio, Adalberto
Source: Physica B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
JUSTO FILHO, João Francisco et al. Effects of extended defects on the properties of intrinsic and extrinsic point defects in silicon. Physica B, v. 274, p. 473-475, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00528-1. Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Justo Filho, J. F., Antonelli, A., Schmidt, T. M., & Fazzio, A. (1999). Effects of extended defects on the properties of intrinsic and extrinsic point defects in silicon. Physica B, 274, 473-475. doi:10.1016/s0921-4526(99)00528-1
NLM
Justo Filho JF, Antonelli A, Schmidt TM, Fazzio A. Effects of extended defects on the properties of intrinsic and extrinsic point defects in silicon [Internet]. Physica B. 1999 ; 274 473-475.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00528-1
Vancouver
Justo Filho JF, Antonelli A, Schmidt TM, Fazzio A. Effects of extended defects on the properties of intrinsic and extrinsic point defects in silicon [Internet]. Physica B. 1999 ; 274 473-475.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00528-1
Artigo de periodico
Intrinsic doping in InP: ab initio calculations of P-In antisites (1999)
Schmidt, T. M.; Miwa, Roberto Hiroki; Fazzio, Adalberto; Mota, R.
Source: Physica B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCHMIDT, T. M. et al. Intrinsic doping in InP: ab initio calculations of P-In antisites. Physica B, v. 273-274, p. 831-834, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00515-3. Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Schmidt, T. M., Miwa, R. H., Fazzio, A., & Mota, R. (1999). Intrinsic doping in InP: ab initio calculations of P-In antisites. Physica B, 273-274, 831-834. doi:10.1016/s0921-4526(99)00515-3
NLM
Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A, Mota R. Intrinsic doping in InP: ab initio calculations of P-In antisites [Internet]. Physica B. 1999 ; 273-274 831-834.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00515-3
Vancouver
Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A, Mota R. Intrinsic doping in InP: ab initio calculations of P-In antisites [Internet]. Physica B. 1999 ; 273-274 831-834.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00515-3

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