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Artigo de periodico
Raman spectroscopy characterization of InAs self-assembled quantum dots (2002)
Galzerani, J C; Pusep, Yuri A
Source: Physica B. Unidade: IFSC
Assunto: ESPECTROSCOPIA RAMAN
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ABNT
GALZERANI, J C e PUSEP, Yuri A. Raman spectroscopy characterization of InAs self-assembled quantum dots. Physica B, v. 316-317, p. 455-458, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(02)00542-2. Acesso em: 02 jun. 2024.
APA
Galzerani, J. C., & Pusep, Y. A. (2002). Raman spectroscopy characterization of InAs self-assembled quantum dots. Physica B, 316-317, 455-458. doi:10.1016/s0921-4526(02)00542-2
NLM
Galzerani JC, Pusep YA. Raman spectroscopy characterization of InAs self-assembled quantum dots [Internet]. Physica B. 2002 ; 316-317 455-458.[citado 2024 jun. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(02)00542-2
Vancouver
Galzerani JC, Pusep YA. Raman spectroscopy characterization of InAs self-assembled quantum dots [Internet]. Physica B. 2002 ; 316-317 455-458.[citado 2024 jun. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(02)00542-2
Artigo de periodico
Capacitance-voltage characteristics of InAs dots: a simple model (2002)
Chiquito, Adenilson José; Pusep, Yuri A; Mergulhao, S; Galzerani, J C
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES (FÍSICO-QUÍMICA), FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
CHIQUITO, Adenilson José et al. Capacitance-voltage characteristics of InAs dots: a simple model. Brazilian Journal of Physics, v. 32, n. 3, p. 784-789, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332002000400020. Acesso em: 02 jun. 2024.
APA
Chiquito, A. J., Pusep, Y. A., Mergulhao, S., & Galzerani, J. C. (2002). Capacitance-voltage characteristics of InAs dots: a simple model. Brazilian Journal of Physics, 32( 3), 784-789. doi:10.1590/s0103-97332002000400020
NLM
Chiquito AJ, Pusep YA, Mergulhao S, Galzerani JC. Capacitance-voltage characteristics of InAs dots: a simple model [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( 3): 784-789.[citado 2024 jun. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332002000400020
Vancouver
Chiquito AJ, Pusep YA, Mergulhao S, Galzerani JC. Capacitance-voltage characteristics of InAs dots: a simple model [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( 3): 784-789.[citado 2024 jun. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332002000400020
Trabalho de evento
Capacitance spectroscopy of InAS/GaAs quantum dots structures (2001)
Chiquito, A J; Pusep, Yuri A; Mergulhao, S; Galzerani, J C; Moshegov, N T
Source: Proceedings. Conference titles: International Conference on the Physics of Semiconductors. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
CHIQUITO, A J et al. Capacitance spectroscopy of InAS/GaAs quantum dots structures. 2001, Anais.. Berlin: Springer-Verlag, 2001. . Acesso em: 02 jun. 2024.
APA
Chiquito, A. J., Pusep, Y. A., Mergulhao, S., Galzerani, J. C., & Moshegov, N. T. (2001). Capacitance spectroscopy of InAS/GaAs quantum dots structures. In Proceedings. Berlin: Springer-Verlag.
NLM
Chiquito AJ, Pusep YA, Mergulhao S, Galzerani JC, Moshegov NT. Capacitance spectroscopy of InAS/GaAs quantum dots structures. Proceedings. 2001 ;[citado 2024 jun. 02 ]
Vancouver
Chiquito AJ, Pusep YA, Mergulhao S, Galzerani JC, Moshegov NT. Capacitance spectroscopy of InAS/GaAs quantum dots structures. Proceedings. 2001 ;[citado 2024 jun. 02 ]
Artigo de periodico
Raman study of the segregation of GaAs/AlAs heterostructures grown by molecular beam epitaxy (2001)
Zanelato, G; Pusep, Yuri A.; Galzerani, J C; Lubyshev, D I; González-Borrero, Pedro Pablo
Source: Physica E. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
ZANELATO, G et al. Raman study of the segregation of GaAs/AlAs heterostructures grown by molecular beam epitaxy. Physica E, v. 10, n. 4, p. 587-592, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(00)00289-7. Acesso em: 02 jun. 2024.
APA
Zanelato, G., Pusep, Y. A., Galzerani, J. C., Lubyshev, D. I., & González-Borrero, P. P. (2001). Raman study of the segregation of GaAs/AlAs heterostructures grown by molecular beam epitaxy. Physica E, 10( 4), 587-592. doi:10.1016/s1386-9477(00)00289-7
NLM
Zanelato G, Pusep YA, Galzerani JC, Lubyshev DI, González-Borrero PP. Raman study of the segregation of GaAs/AlAs heterostructures grown by molecular beam epitaxy [Internet]. Physica E. 2001 ;10( 4): 587-592.[citado 2024 jun. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(00)00289-7
Vancouver
Zanelato G, Pusep YA, Galzerani JC, Lubyshev DI, González-Borrero PP. Raman study of the segregation of GaAs/AlAs heterostructures grown by molecular beam epitaxy [Internet]. Physica E. 2001 ;10( 4): 587-592.[citado 2024 jun. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(00)00289-7
Artigo de periodico
Raman probing of spatial extents of collective excitations in AlGaAs alloys (2001)
Pusep, Yuri A.; Sokolov, S S; Fortunato, W; Galzerani, J C; Leite, J. R.
Source: Journal of Physics-Condensed Matter. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. Raman probing of spatial extents of collective excitations in AlGaAs alloys. Journal of Physics-Condensed Matter, v. 13, n. 45, p. 10165-10174, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0953-8984/13/45/305. Acesso em: 02 jun. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Sokolov, S. S., Fortunato, W., Galzerani, J. C., & Leite, J. R. (2001). Raman probing of spatial extents of collective excitations in AlGaAs alloys. Journal of Physics-Condensed Matter, 13( 45), 10165-10174. doi:10.1088/0953-8984/13/45/305
NLM
Pusep YA, Sokolov SS, Fortunato W, Galzerani JC, Leite JR. Raman probing of spatial extents of collective excitations in AlGaAs alloys [Internet]. Journal of Physics-Condensed Matter. 2001 ; 13( 45): 10165-10174.[citado 2024 jun. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/13/45/305
Vancouver
Pusep YA, Sokolov SS, Fortunato W, Galzerani JC, Leite JR. Raman probing of spatial extents of collective excitations in AlGaAs alloys [Internet]. Journal of Physics-Condensed Matter. 2001 ; 13( 45): 10165-10174.[citado 2024 jun. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/13/45/305
Trabalho de evento
Collective plasma response of interacting electrons localized in disordered GaAs/AlGaAs superlattices (2001)
Pusep, Yuri A; Fortunato, W; González-Borrero, Pedro Pablo; Toropov, A I; Galzerani, J C
Source: Proceedings. Conference titles: International Conference on the Physics of Semiconductors. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A et al. Collective plasma response of interacting electrons localized in disordered GaAs/AlGaAs superlattices. 2001, Anais.. Berlin: Springer-Verlag, 2001. . Acesso em: 02 jun. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Fortunato, W., González-Borrero, P. P., Toropov, A. I., & Galzerani, J. C. (2001). Collective plasma response of interacting electrons localized in disordered GaAs/AlGaAs superlattices. In Proceedings. Berlin: Springer-Verlag.
NLM
Pusep YA, Fortunato W, González-Borrero PP, Toropov AI, Galzerani JC. Collective plasma response of interacting electrons localized in disordered GaAs/AlGaAs superlattices. Proceedings. 2001 ;[citado 2024 jun. 02 ]
Vancouver
Pusep YA, Fortunato W, González-Borrero PP, Toropov AI, Galzerani JC. Collective plasma response of interacting electrons localized in disordered GaAs/AlGaAs superlattices. Proceedings. 2001 ;[citado 2024 jun. 02 ]
Trabalho de evento-resumo
Raman probing of the wave function of collective excitations in the presence of disorder (2001)
Pusep, Yuri A; Sokolov, S. S.; Galzerani, J C; Leite, J. R.
Source: Proceedings. Conference titles: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A et al. Raman probing of the wave function of collective excitations in the presence of disorder. 2001, Anais.. Giessen: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo, 2001. . Acesso em: 02 jun. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Sokolov, S. S., Galzerani, J. C., & Leite, J. R. (2001). Raman probing of the wave function of collective excitations in the presence of disorder. In Proceedings. Giessen: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo.
NLM
Pusep YA, Sokolov SS, Galzerani JC, Leite JR. Raman probing of the wave function of collective excitations in the presence of disorder. Proceedings. 2001 ;[citado 2024 jun. 02 ]
Vancouver
Pusep YA, Sokolov SS, Galzerani JC, Leite JR. Raman probing of the wave function of collective excitations in the presence of disorder. Proceedings. 2001 ;[citado 2024 jun. 02 ]
Artigo de periodico
Study of the segregation process in GaAs/AlAs superlattices using Raman spectroscopy (2001)
Zanelato, G; Pusep, Yuri A; Galzerani, J C; Lubyshev, D I; González-Borrero, Pedro Pablo
Source: Journal of Raman Spectroscopy. Unidade: IFSC
Subjects: ESPECTROSCOPIA RAMAN, SUPERFÍCIE FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ZANELATO, G et al. Study of the segregation process in GaAs/AlAs superlattices using Raman spectroscopy. Journal of Raman Spectroscopy, v. 32, p. 857-861, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1002/jrs.774. Acesso em: 02 jun. 2024.
APA
Zanelato, G., Pusep, Y. A., Galzerani, J. C., Lubyshev, D. I., & González-Borrero, P. P. (2001). Study of the segregation process in GaAs/AlAs superlattices using Raman spectroscopy. Journal of Raman Spectroscopy, 32, 857-861. doi:10.1002/jrs.774
NLM
Zanelato G, Pusep YA, Galzerani JC, Lubyshev DI, González-Borrero PP. Study of the segregation process in GaAs/AlAs superlattices using Raman spectroscopy [Internet]. Journal of Raman Spectroscopy. 2001 ; 32 857-861.[citado 2024 jun. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1002/jrs.774
Vancouver
Zanelato G, Pusep YA, Galzerani JC, Lubyshev DI, González-Borrero PP. Study of the segregation process in GaAs/AlAs superlattices using Raman spectroscopy [Internet]. Journal of Raman Spectroscopy. 2001 ; 32 857-861.[citado 2024 jun. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1002/jrs.774
Artigo de periodico
Raman measurement of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures (2000)
Pusep, Yuri A.; Silva, M T O; Galzerani, J C; Rodrigues, S C P; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Lima, A. P.; Quivy, A. A.; Leite, J. R.; Moshegov, N T; Basmaji, P
Source: Journal of Applied Physics. Unidades: IF, IFSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. Raman measurement of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures. Journal of Applied Physics, v. 87, n. 4, p. 1825-1831, 2000Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.372097. Acesso em: 02 jun. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Silva, M. T. O., Galzerani, J. C., Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Lima, A. P., et al. (2000). Raman measurement of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures. Journal of Applied Physics, 87( 4), 1825-1831. doi:10.1063/1.372097
NLM
Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Lima AP, Quivy AA, Leite JR, Moshegov NT, Basmaji P. Raman measurement of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures [Internet]. Journal of Applied Physics. 2000 ; 87( 4): 1825-1831.[citado 2024 jun. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.372097
Vancouver
Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Lima AP, Quivy AA, Leite JR, Moshegov NT, Basmaji P. Raman measurement of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures [Internet]. Journal of Applied Physics. 2000 ; 87( 4): 1825-1831.[citado 2024 jun. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.372097
Trabalho de evento-resumo
Raman study of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures (1999)
Pusep, Yuri A. ; Silva, M T O; Galzerani, J C; Rodrigues, S C P; Scolfaro, L M R; Lima, A. P.; Quivy, A. A.; Leite, J. R.; Moshegov, N T; Basmaji, Pierre
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. Raman study of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures. 1999, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1999. . Acesso em: 02 jun. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Silva, M. T. O., Galzerani, J. C., Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Lima, A. P., et al. (1999). Raman study of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Lima AP, Quivy AA, Leite JR, Moshegov NT, Basmaji P. Raman study of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures. Resumos. 1999 ;[citado 2024 jun. 02 ]
Vancouver
Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Lima AP, Quivy AA, Leite JR, Moshegov NT, Basmaji P. Raman study of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures. Resumos. 1999 ;[citado 2024 jun. 02 ]
Artigo de periodico
Raman study of topology of InAs/GaAs self-assembled quantum dots (1999)
Zanelatto, G; Pusep, Yuri A.; Moshegov, N T; Toropov, A I; Basmaji, Pierre; Galzerani, J C
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ZANELATTO, G et al. Raman study of topology of InAs/GaAs self-assembled quantum dots. Journal of Applied Physics, v. 86, n. 8, p. 4387-4389, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.371375. Acesso em: 02 jun. 2024.
APA
Zanelatto, G., Pusep, Y. A., Moshegov, N. T., Toropov, A. I., Basmaji, P., & Galzerani, J. C. (1999). Raman study of topology of InAs/GaAs self-assembled quantum dots. Journal of Applied Physics, 86( 8), 4387-4389. doi:10.1063/1.371375
NLM
Zanelatto G, Pusep YA, Moshegov NT, Toropov AI, Basmaji P, Galzerani JC. Raman study of topology of InAs/GaAs self-assembled quantum dots [Internet]. Journal of Applied Physics. 1999 ;86( 8): 4387-4389.[citado 2024 jun. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.371375
Vancouver
Zanelatto G, Pusep YA, Moshegov NT, Toropov AI, Basmaji P, Galzerani JC. Raman study of topology of InAs/GaAs self-assembled quantum dots [Internet]. Journal of Applied Physics. 1999 ;86( 8): 4387-4389.[citado 2024 jun. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.371375
Trabalho de evento
Kinetic modelling of segregation during the molecular beam epitaxy of GaAs/AlAs heterostructures (1998)
Pusep, Yuri A.; Zanelatto, G; Galzerani, J C; González-Borrero, P P; Basmaji, Pierre
Conference titles: Conferência Internacional de Epitaxia por Feixes Moleculares (MBE). Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. Kinetic modelling of segregation during the molecular beam epitaxy of GaAs/AlAs heterostructures. 1998, Anais.. Cannes: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo, 1998. . Acesso em: 02 jun. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Zanelatto, G., Galzerani, J. C., González-Borrero, P. P., & Basmaji, P. (1998). Kinetic modelling of segregation during the molecular beam epitaxy of GaAs/AlAs heterostructures. In . Cannes: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo.
NLM
Pusep YA, Zanelatto G, Galzerani JC, González-Borrero PP, Basmaji P. Kinetic modelling of segregation during the molecular beam epitaxy of GaAs/AlAs heterostructures. 1998 ;[citado 2024 jun. 02 ]
Vancouver
Pusep YA, Zanelatto G, Galzerani JC, González-Borrero PP, Basmaji P. Kinetic modelling of segregation during the molecular beam epitaxy of GaAs/AlAs heterostructures. 1998 ;[citado 2024 jun. 02 ]
Artigo de periodico
Influence of crystal-potential fluctuations on Raman spectra of coupled plasmon-Lo-phonon modes in disordered systems (1998)
Pusep, Yuri A.; Silva, M T O; Galzerani, J C; Moshegov, N T; Basmaji, Pierre
Source: Physical Review B. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. Influence of crystal-potential fluctuations on Raman spectra of coupled plasmon-Lo-phonon modes in disordered systems. Physical Review B, v. 58, n. 16, p. 10683-10686, 1998Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.58.10683. Acesso em: 02 jun. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Silva, M. T. O., Galzerani, J. C., Moshegov, N. T., & Basmaji, P. (1998). Influence of crystal-potential fluctuations on Raman spectra of coupled plasmon-Lo-phonon modes in disordered systems. Physical Review B, 58( 16), 10683-10686. doi:10.1103/physrevb.58.10683
NLM
Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Moshegov NT, Basmaji P. Influence of crystal-potential fluctuations on Raman spectra of coupled plasmon-Lo-phonon modes in disordered systems [Internet]. Physical Review B. 1998 ; 58( 16): 10683-10686.[citado 2024 jun. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.58.10683
Vancouver
Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Moshegov NT, Basmaji P. Influence of crystal-potential fluctuations on Raman spectra of coupled plasmon-Lo-phonon modes in disordered systems [Internet]. Physical Review B. 1998 ; 58( 16): 10683-10686.[citado 2024 jun. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.58.10683
Trabalho de evento-resumo
Spectroscopy of optical phonons in InAs/GaAs self-assembled quantum dots (1998)
Pusep, Yuri A.; Zanelatto, G; Galzerani, J C; Silva, S W; Gonzales-Borrero, Pedro P; Basmaji, Pierre; Toropov, A I
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. Spectroscopy of optical phonons in InAs/GaAs self-assembled quantum dots. 1998, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1998. . Acesso em: 02 jun. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Zanelatto, G., Galzerani, J. C., Silva, S. W., Gonzales-Borrero, P. P., Basmaji, P., & Toropov, A. I. (1998). Spectroscopy of optical phonons in InAs/GaAs self-assembled quantum dots. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Pusep YA, Zanelatto G, Galzerani JC, Silva SW, Gonzales-Borrero PP, Basmaji P, Toropov AI. Spectroscopy of optical phonons in InAs/GaAs self-assembled quantum dots. Resumos. 1998 ;[citado 2024 jun. 02 ]
Vancouver
Pusep YA, Zanelatto G, Galzerani JC, Silva SW, Gonzales-Borrero PP, Basmaji P, Toropov AI. Spectroscopy of optical phonons in InAs/GaAs self-assembled quantum dots. Resumos. 1998 ;[citado 2024 jun. 02 ]
Artigo de periodico
Fano-like electron-phonon interference in delta-doping GaAs superlattices (1998)
Pusep, Yuri A.; Silva, M T O; Galzerani, J C; Silva, S W da; Scolfaro, L M R; Enderlein, R; Quivy, A. A.; Lima, A. P.; Leite, J. R.
Source: Superlattices and Microstructures. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. Fano-like electron-phonon interference in delta-doping GaAs superlattices. Superlattices and Microstructures, v. 23, n. 5, p. 1033-1035, 1998Tradução . . Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2a55523d-db8c-4fde-ab92-a6ff51119491/1-s2.0-S0749603696902207-main%20%281%29.pdf. Acesso em: 02 jun. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Silva, M. T. O., Galzerani, J. C., Silva, S. W. da, Scolfaro, L. M. R., Enderlein, R., et al. (1998). Fano-like electron-phonon interference in delta-doping GaAs superlattices. Superlattices and Microstructures, 23( 5), 1033-1035. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/2a55523d-db8c-4fde-ab92-a6ff51119491/1-s2.0-S0749603696902207-main%20%281%29.pdf
NLM
Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Silva SW da, Scolfaro LMR, Enderlein R, Quivy AA, Lima AP, Leite JR. Fano-like electron-phonon interference in delta-doping GaAs superlattices [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1998 ; 23( 5): 1033-1035.[citado 2024 jun. 02 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2a55523d-db8c-4fde-ab92-a6ff51119491/1-s2.0-S0749603696902207-main%20%281%29.pdf
Vancouver
Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Silva SW da, Scolfaro LMR, Enderlein R, Quivy AA, Lima AP, Leite JR. Fano-like electron-phonon interference in delta-doping GaAs superlattices [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1998 ; 23( 5): 1033-1035.[citado 2024 jun. 02 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2a55523d-db8c-4fde-ab92-a6ff51119491/1-s2.0-S0749603696902207-main%20%281%29.pdf
Trabalho de evento-anais periodico
Kinetic limit of segregation during the molecular beam epitaxy of GaAs/AlAs heterostructures (1998)
Zanelatto, G; Pusep, Yuri A.; Galzerani, J C; González-Borrero, Pedro Pablo; Lubyshev, D; Basmaji, Pierre
Source: Physics of Low-Dimensional Structures. Conference titles: International Conference on Superlattices, Microstructures and Microdevices. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ZANELATTO, G et al. Kinetic limit of segregation during the molecular beam epitaxy of GaAs/AlAs heterostructures. Physics of Low-Dimensional Structures. Moscou: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 02 jun. 2024. , 1998
APA
Zanelatto, G., Pusep, Y. A., Galzerani, J. C., González-Borrero, P. P., Lubyshev, D., & Basmaji, P. (1998). Kinetic limit of segregation during the molecular beam epitaxy of GaAs/AlAs heterostructures. Physics of Low-Dimensional Structures. Moscou: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo.
NLM
Zanelatto G, Pusep YA, Galzerani JC, González-Borrero PP, Lubyshev D, Basmaji P. Kinetic limit of segregation during the molecular beam epitaxy of GaAs/AlAs heterostructures. Physics of Low-Dimensional Structures. 1998 ;1/2 237-242.[citado 2024 jun. 02 ]
Vancouver
Zanelatto G, Pusep YA, Galzerani JC, González-Borrero PP, Lubyshev D, Basmaji P. Kinetic limit of segregation during the molecular beam epitaxy of GaAs/AlAs heterostructures. Physics of Low-Dimensional Structures. 1998 ;1/2 237-242.[citado 2024 jun. 02 ]
Trabalho de evento-resumo
Evidence of Fabry-Pérot oscillations in the emission spectra of deep centers in cubic GaN epitaxial layers (1998)
Trentin, R.; Tabata, A; Leite, J. R.; Silva, S W; Galzerani, J C; Lischka, K; Schottker, B; Schikora, D
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
TRENTIN, R. et al. Evidence of Fabry-Pérot oscillations in the emission spectra of deep centers in cubic GaN epitaxial layers. 1998, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1998. . Acesso em: 02 jun. 2024.
APA
Trentin, R., Tabata, A., Leite, J. R., Silva, S. W., Galzerani, J. C., Lischka, K., et al. (1998). Evidence of Fabry-Pérot oscillations in the emission spectra of deep centers in cubic GaN epitaxial layers. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Trentin R, Tabata A, Leite JR, Silva SW, Galzerani JC, Lischka K, Schottker B, Schikora D. Evidence of Fabry-Pérot oscillations in the emission spectra of deep centers in cubic GaN epitaxial layers. Resumos. 1998 ;[citado 2024 jun. 02 ]
Vancouver
Trentin R, Tabata A, Leite JR, Silva SW, Galzerani JC, Lischka K, Schottker B, Schikora D. Evidence of Fabry-Pérot oscillations in the emission spectra of deep centers in cubic GaN epitaxial layers. Resumos. 1998 ;[citado 2024 jun. 02 ]
Trabalho de evento-resumo
Influência das flutuações de potencial das ligas de AlGaAs dopadas nos espectros Raman dos modos acoplados fônon LO-plasmon (1998)
Pusep, Yuri A.; Silva, M T O; Galzerani, J C; Moshegov, N T; Basmaji, Pierre
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. Influência das flutuações de potencial das ligas de AlGaAs dopadas nos espectros Raman dos modos acoplados fônon LO-plasmon. 1998, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1998. . Acesso em: 02 jun. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Silva, M. T. O., Galzerani, J. C., Moshegov, N. T., & Basmaji, P. (1998). Influência das flutuações de potencial das ligas de AlGaAs dopadas nos espectros Raman dos modos acoplados fônon LO-plasmon. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Moshegov NT, Basmaji P. Influência das flutuações de potencial das ligas de AlGaAs dopadas nos espectros Raman dos modos acoplados fônon LO-plasmon. Resumos. 1998 ;[citado 2024 jun. 02 ]
Vancouver
Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Moshegov NT, Basmaji P. Influência das flutuações de potencial das ligas de AlGaAs dopadas nos espectros Raman dos modos acoplados fônon LO-plasmon. Resumos. 1998 ;[citado 2024 jun. 02 ]
Artigo de periodico
Photoluminescence of excitons in differently oriented self-assembled InAs quantum dots (1997)
Pusep, Yuri A.; Silva, S W; Galzerani, J C; Lubyshev, D I; Gonzalez-Borrero, Pedro P; Marega Júnior, Euclydes; Petitprez, E; La Scala Junior, Newton; Basmaji, Pierre
Source: Physica Status Solidi A. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, CIRCUITOS ELETRÔNICOS
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ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. Photoluminescence of excitons in differently oriented self-assembled InAs quantum dots. Physica Status Solidi A, v. 164, p. 455-457, 1997Tradução . . Acesso em: 02 jun. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Silva, S. W., Galzerani, J. C., Lubyshev, D. I., Gonzalez-Borrero, P. P., Marega Júnior, E., et al. (1997). Photoluminescence of excitons in differently oriented self-assembled InAs quantum dots. Physica Status Solidi A, 164, 455-457.
NLM
Pusep YA, Silva SW, Galzerani JC, Lubyshev DI, Gonzalez-Borrero PP, Marega Júnior E, Petitprez E, La Scala Junior N, Basmaji P. Photoluminescence of excitons in differently oriented self-assembled InAs quantum dots. Physica Status Solidi A. 1997 ; 164 455-457.[citado 2024 jun. 02 ]
Vancouver
Pusep YA, Silva SW, Galzerani JC, Lubyshev DI, Gonzalez-Borrero PP, Marega Júnior E, Petitprez E, La Scala Junior N, Basmaji P. Photoluminescence of excitons in differently oriented self-assembled InAs quantum dots. Physica Status Solidi A. 1997 ; 164 455-457.[citado 2024 jun. 02 ]
Artigo de periodico
Characterization of GaAs wire crystals grown on porous silicon by Raman scattering (1997)
Silva, S W da; Lubyshev, D I; Basmaji, Pierre; Pusep, Yuri A.; Pizani, Paulo Sérgio; Galzerani, J C; Katiyar, R S; Morell, G
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SUPERFÍCIE FÍSICA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, S W da et al. Characterization of GaAs wire crystals grown on porous silicon by Raman scattering. Journal of Applied Physics, v. 82, n. 12, p. 6247-6250, 1997Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.366511. Acesso em: 02 jun. 2024.
APA
Silva, S. W. da, Lubyshev, D. I., Basmaji, P., Pusep, Y. A., Pizani, P. S., Galzerani, J. C., et al. (1997). Characterization of GaAs wire crystals grown on porous silicon by Raman scattering. Journal of Applied Physics, 82( 12), 6247-6250. doi:10.1063/1.366511
NLM
Silva SW da, Lubyshev DI, Basmaji P, Pusep YA, Pizani PS, Galzerani JC, Katiyar RS, Morell G. Characterization of GaAs wire crystals grown on porous silicon by Raman scattering [Internet]. Journal of Applied Physics. 1997 ; 82( 12): 6247-6250.[citado 2024 jun. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.366511
Vancouver
Silva SW da, Lubyshev DI, Basmaji P, Pusep YA, Pizani PS, Galzerani JC, Katiyar RS, Morell G. Characterization of GaAs wire crystals grown on porous silicon by Raman scattering [Internet]. Journal of Applied Physics. 1997 ; 82( 12): 6247-6250.[citado 2024 jun. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.366511

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