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Trabalho de evento
Influence of the N-type finFET width on the zero temperature coefficient (2007)
Bellodi, Marcello; Martino, João Antonio ; Claeys, Cor ; Camillo, Luciano Mendes; Simoen, Eddy
Source: SBMicro 2007. Conference titles: International Symposium on Microelectronics Technology and Devices SBMICRO. Unidade: EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
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ABNT
BELLODI, Marcello et al. Influence of the N-type finFET width on the zero temperature coefficient. 2007, Anais.. Pennington: The Electrochemical Society, 2007. . Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Bellodi, M., Martino, J. A., Claeys, C., Camillo, L. M., & Simoen, E. (2007). Influence of the N-type finFET width on the zero temperature coefficient. In SBMicro 2007. Pennington: The Electrochemical Society.
NLM
Bellodi M, Martino JA, Claeys C, Camillo LM, Simoen E. Influence of the N-type finFET width on the zero temperature coefficient. SBMicro 2007. 2007 ;[citado 2024 maio 23 ]
Vancouver
Bellodi M, Martino JA, Claeys C, Camillo LM, Simoen E. Influence of the N-type finFET width on the zero temperature coefficient. SBMicro 2007. 2007 ;[citado 2024 maio 23 ]
Trabalho de evento
Temperature influences on the drain leakage current behavior in graded-channel SOI nMOSFETs (2005)
Bellodi, Marcello; Martino, João Antonio
Source: Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2005. Conference titles: International Symposium on Microelectronics Technology and Devices SBMICRO. Unidade: EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
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ABNT
BELLODI, Marcello e MARTINO, João Antonio. Temperature influences on the drain leakage current behavior in graded-channel SOI nMOSFETs. 2005, Anais.. Pennington: The Electrochemical Society, 2005. . Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Bellodi, M., & Martino, J. A. (2005). Temperature influences on the drain leakage current behavior in graded-channel SOI nMOSFETs. In Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2005. Pennington: The Electrochemical Society.
NLM
Bellodi M, Martino JA. Temperature influences on the drain leakage current behavior in graded-channel SOI nMOSFETs. Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2005. 2005 ;[citado 2024 maio 23 ]
Vancouver
Bellodi M, Martino JA. Temperature influences on the drain leakage current behavior in graded-channel SOI nMOSFETs. Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2005. 2005 ;[citado 2024 maio 23 ]
Artigo de periodico
Study of the drain leakage current behavior in graded-channel SOI nMOSFETs operating at high temperatures (2004)
Bellodi, Marcello; Martino, João Antonio
Source: Journal Integrated Circuits and Systems. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
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ABNT
BELLODI, Marcello e MARTINO, João Antonio. Study of the drain leakage current behavior in graded-channel SOI nMOSFETs operating at high temperatures. Journal Integrated Circuits and Systems, v. 1, n. 2, p. 31-35, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.29292/jics.v1i2.261. Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Bellodi, M., & Martino, J. A. (2004). Study of the drain leakage current behavior in graded-channel SOI nMOSFETs operating at high temperatures. Journal Integrated Circuits and Systems, 1( 2), 31-35. doi:10.29292/jics.v1i2.261
NLM
Bellodi M, Martino JA. Study of the drain leakage current behavior in graded-channel SOI nMOSFETs operating at high temperatures [Internet]. Journal Integrated Circuits and Systems. 2004 ;1( 2): 31-35.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v1i2.261
Vancouver
Bellodi M, Martino JA. Study of the drain leakage current behavior in graded-channel SOI nMOSFETs operating at high temperatures [Internet]. Journal Integrated Circuits and Systems. 2004 ;1( 2): 31-35.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v1i2.261
Parte de monografia/livro
The leakage drain current behavior in graded-channel SOI nMOSFETs operating up to 300 o.C (2003)
Bellodi, Marcello; Martino, João Antonio
Source: Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003. Unidade: EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
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ABNT
BELLODI, Marcello e MARTINO, João Antonio. The leakage drain current behavior in graded-channel SOI nMOSFETs operating up to 300 o.C. Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003. Tradução . Pennington: Electrochemical Society, 2003. . . Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Bellodi, M., & Martino, J. A. (2003). The leakage drain current behavior in graded-channel SOI nMOSFETs operating up to 300 o.C. In Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003. Pennington: Electrochemical Society.
NLM
Bellodi M, Martino JA. The leakage drain current behavior in graded-channel SOI nMOSFETs operating up to 300 o.C. In: Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003. Pennington: Electrochemical Society; 2003. [citado 2024 maio 23 ]
Vancouver
Bellodi M, Martino JA. The leakage drain current behavior in graded-channel SOI nMOSFETs operating up to 300 o.C. In: Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003. Pennington: Electrochemical Society; 2003. [citado 2024 maio 23 ]
Parte de monografia/livro
Comparison between the leakage drain current behavior in SOI nMOSFETs and SOI nMOSFETs operating at 300 o. C (2003)
Bellodi, Marcello; Martino, João Antonio
Source: Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003. Unidade: EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
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ABNT
BELLODI, Marcello e MARTINO, João Antonio. Comparison between the leakage drain current behavior in SOI nMOSFETs and SOI nMOSFETs operating at 300 o. C. Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003. Tradução . Pennington: Electrochemical Society, 2003. . . Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Bellodi, M., & Martino, J. A. (2003). Comparison between the leakage drain current behavior in SOI nMOSFETs and SOI nMOSFETs operating at 300 o. C. In Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003. Pennington: Electrochemical Society.
NLM
Bellodi M, Martino JA. Comparison between the leakage drain current behavior in SOI nMOSFETs and SOI nMOSFETs operating at 300 o. C. In: Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003. Pennington: Electrochemical Society; 2003. [citado 2024 maio 23 ]
Vancouver
Bellodi M, Martino JA. Comparison between the leakage drain current behavior in SOI nMOSFETs and SOI nMOSFETs operating at 300 o. C. In: Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003. Pennington: Electrochemical Society; 2003. [citado 2024 maio 23 ]
Parte de monografia/livro
Study of the leakage drain current in graded-channel SOI nMOSFETs at high-temperatures (2003)
Bellodi, Marcello; Martino, João Antonio
Source: Silicon-on-Insulator Technology and Devices XI.. Unidade: EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BELLODI, Marcello e MARTINO, João Antonio. Study of the leakage drain current in graded-channel SOI nMOSFETs at high-temperatures. Silicon-on-Insulator Technology and Devices XI. Tradução . Pennington: The Electrochemical Society, 2003. . . Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Bellodi, M., & Martino, J. A. (2003). Study of the leakage drain current in graded-channel SOI nMOSFETs at high-temperatures. In Silicon-on-Insulator Technology and Devices XI.. Pennington: The Electrochemical Society.
NLM
Bellodi M, Martino JA. Study of the leakage drain current in graded-channel SOI nMOSFETs at high-temperatures. In: Silicon-on-Insulator Technology and Devices XI. Pennington: The Electrochemical Society; 2003. [citado 2024 maio 23 ]
Vancouver
Bellodi M, Martino JA. Study of the leakage drain current in graded-channel SOI nMOSFETs at high-temperatures. In: Silicon-on-Insulator Technology and Devices XI. Pennington: The Electrochemical Society; 2003. [citado 2024 maio 23 ]
Relatorio tecnico
Analysis of the leakage drain current carriers in SOI MOSFETs operating at high-temperatures (2002)
Bellodi, Marcello; Martino, João Antonio
Unidade: EP
Assunto: FILMES FINOS
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ABNT
BELLODI, Marcello e MARTINO, João Antonio. Analysis of the leakage drain current carriers in SOI MOSFETs operating at high-temperatures. . São Paulo: EPUSP. . Acesso em: 23 maio 2024. , 2002
APA
Bellodi, M., & Martino, J. A. (2002). Analysis of the leakage drain current carriers in SOI MOSFETs operating at high-temperatures. São Paulo: EPUSP.
NLM
Bellodi M, Martino JA. Analysis of the leakage drain current carriers in SOI MOSFETs operating at high-temperatures. 2002 ;[citado 2024 maio 23 ]
Vancouver
Bellodi M, Martino JA. Analysis of the leakage drain current carriers in SOI MOSFETs operating at high-temperatures. 2002 ;[citado 2024 maio 23 ]
Parte de monografia/livro
The leakage current composition in thin film SOI NMOSFETS at high temperatures (2002)
Bellodi, Marcello; Martino, João Antonio
Source: Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2002. Unidade: EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BELLODI, Marcello e MARTINO, João Antonio. The leakage current composition in thin film SOI NMOSFETS at high temperatures. Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2002. Tradução . Pennington: The Electrochemical Society, 2002. . . Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Bellodi, M., & Martino, J. A. (2002). The leakage current composition in thin film SOI NMOSFETS at high temperatures. In Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2002. Pennington: The Electrochemical Society.
NLM
Bellodi M, Martino JA. The leakage current composition in thin film SOI NMOSFETS at high temperatures. In: Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2002. Pennington: The Electrochemical Society; 2002. [citado 2024 maio 23 ]
Vancouver
Bellodi M, Martino JA. The leakage current composition in thin film SOI NMOSFETS at high temperatures. In: Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2002. Pennington: The Electrochemical Society; 2002. [citado 2024 maio 23 ]
Tese (Doutorado)
Estudo das componentes e modelagem das correntes de fuga em dispositivos SOI MOSFET operando em altas temperaturas (2001)
Bellodi, Marcello; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, TRANSISTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BELLODI, Marcello. Estudo das componentes e modelagem das correntes de fuga em dispositivos SOI MOSFET operando em altas temperaturas. 2001. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2001. . Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Bellodi, M. (2001). Estudo das componentes e modelagem das correntes de fuga em dispositivos SOI MOSFET operando em altas temperaturas (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Bellodi M. Estudo das componentes e modelagem das correntes de fuga em dispositivos SOI MOSFET operando em altas temperaturas. 2001 ;[citado 2024 maio 23 ]
Vancouver
Bellodi M. Estudo das componentes e modelagem das correntes de fuga em dispositivos SOI MOSFET operando em altas temperaturas. 2001 ;[citado 2024 maio 23 ]
Trabalho de evento
A simple leakage drain current model for accumulation-mode SOI pMOSFETs operating up to 300ºC (2001)
Bellodi, Marcello; Iniguez, Benjamin; Flandre, Denis ; Martino, João Antonio
Source: SBMicro 2001: proceedings. Conference titles: International Conference on Microelectronics and Packaging. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BELLODI, Marcello et al. A simple leakage drain current model for accumulation-mode SOI pMOSFETs operating up to 300ºC. 2001, Anais.. Brasília: SBMicro, 2001. . Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Bellodi, M., Iniguez, B., Flandre, D., & Martino, J. A. (2001). A simple leakage drain current model for accumulation-mode SOI pMOSFETs operating up to 300ºC. In SBMicro 2001: proceedings. Brasília: SBMicro.
NLM
Bellodi M, Iniguez B, Flandre D, Martino JA. A simple leakage drain current model for accumulation-mode SOI pMOSFETs operating up to 300ºC. SBMicro 2001: proceedings. 2001 ;[citado 2024 maio 23 ]
Vancouver
Bellodi M, Iniguez B, Flandre D, Martino JA. A simple leakage drain current model for accumulation-mode SOI pMOSFETs operating up to 300ºC. SBMicro 2001: proceedings. 2001 ;[citado 2024 maio 23 ]
Trabalho de evento
Modeling of the leakage drain current in accumulation mode SOI pMOSFETs for high-temperature applications (2001)
Bellodi, Marcello; Iniguez, Benjamin; Flandre, Denis ; Martino, João Antonio
Source: Proceedings. Conference titles: International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BELLODI, Marcello et al. Modeling of the leakage drain current in accumulation mode SOI pMOSFETs for high-temperature applications. 2001, Anais.. Pennington: The Electrochemical Society, 2001. . Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Bellodi, M., Iniguez, B., Flandre, D., & Martino, J. A. (2001). Modeling of the leakage drain current in accumulation mode SOI pMOSFETs for high-temperature applications. In Proceedings. Pennington: The Electrochemical Society.
NLM
Bellodi M, Iniguez B, Flandre D, Martino JA. Modeling of the leakage drain current in accumulation mode SOI pMOSFETs for high-temperature applications. Proceedings. 2001 ;[citado 2024 maio 23 ]
Vancouver
Bellodi M, Iniguez B, Flandre D, Martino JA. Modeling of the leakage drain current in accumulation mode SOI pMOSFETs for high-temperature applications. Proceedings. 2001 ;[citado 2024 maio 23 ]
Artigo de periodico
Study of the leakage drain current carriers in silicon-on-insulator MOSFETs at high temperatures (2001)
Bellodi, Marcello; Martino, João Antonio
Source: Solid-State Electronics. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BELLODI, Marcello e MARTINO, João Antonio. Study of the leakage drain current carriers in silicon-on-insulator MOSFETs at high temperatures. Solid-State Electronics, v. 45, n. 5, p. 683-688, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0038-1101(01)00099-5. Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Bellodi, M., & Martino, J. A. (2001). Study of the leakage drain current carriers in silicon-on-insulator MOSFETs at high temperatures. Solid-State Electronics, 45( 5), 683-688. doi:10.1016/s0038-1101(01)00099-5
NLM
Bellodi M, Martino JA. Study of the leakage drain current carriers in silicon-on-insulator MOSFETs at high temperatures [Internet]. Solid-State Electronics. 2001 ; 45( 5): 683-688.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0038-1101(01)00099-5
Vancouver
Bellodi M, Martino JA. Study of the leakage drain current carriers in silicon-on-insulator MOSFETs at high temperatures [Internet]. Solid-State Electronics. 2001 ; 45( 5): 683-688.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0038-1101(01)00099-5
Trabalho de evento
Diodes model for the leakage drain current in enhancement-mode SOI nMOSFETs at 300 GRAUS C (2000)
Bellodi, Marcello; Iniguez, Benjamin; Flandre, Denis ; Martino, João Antonio
Source: SBMicro 2000 : proceedings. Conference titles: International Conference on Microelectronics and Packaging. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BELLODI, Marcello et al. Diodes model for the leakage drain current in enhancement-mode SOI nMOSFETs at 300 GRAUS C. 2000, Anais.. Manaus: SBMicro/UA/UFRGS/UNICAMP/USP, 2000. . Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Bellodi, M., Iniguez, B., Flandre, D., & Martino, J. A. (2000). Diodes model for the leakage drain current in enhancement-mode SOI nMOSFETs at 300 GRAUS C. In SBMicro 2000 : proceedings. Manaus: SBMicro/UA/UFRGS/UNICAMP/USP.
NLM
Bellodi M, Iniguez B, Flandre D, Martino JA. Diodes model for the leakage drain current in enhancement-mode SOI nMOSFETs at 300 GRAUS C. SBMicro 2000 : proceedings. 2000 ;[citado 2024 maio 23 ]
Vancouver
Bellodi M, Iniguez B, Flandre D, Martino JA. Diodes model for the leakage drain current in enhancement-mode SOI nMOSFETs at 300 GRAUS C. SBMicro 2000 : proceedings. 2000 ;[citado 2024 maio 23 ]
Trabalho de evento
Study of the deep-submicron SOI MOSFET leakage current behavior at high temperatures (2000)
Bellodi, Marcello; Iniguez, Benjamin; Raynaud, Cristine; Flandre, Denis ; Martino, João Antonio
Source: SBMicro 2000: proceedings. Conference titles: International Conference on Microelectronics and Packaging. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BELLODI, Marcello et al. Study of the deep-submicron SOI MOSFET leakage current behavior at high temperatures. 2000, Anais.. Manaus: SBMicro/UA/UFRGS/UNICAMP/USP, 2000. . Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Bellodi, M., Iniguez, B., Raynaud, C., Flandre, D., & Martino, J. A. (2000). Study of the deep-submicron SOI MOSFET leakage current behavior at high temperatures. In SBMicro 2000: proceedings. Manaus: SBMicro/UA/UFRGS/UNICAMP/USP.
NLM
Bellodi M, Iniguez B, Raynaud C, Flandre D, Martino JA. Study of the deep-submicron SOI MOSFET leakage current behavior at high temperatures. SBMicro 2000: proceedings. 2000 ;[citado 2024 maio 23 ]
Vancouver
Bellodi M, Iniguez B, Raynaud C, Flandre D, Martino JA. Study of the deep-submicron SOI MOSFET leakage current behavior at high temperatures. SBMicro 2000: proceedings. 2000 ;[citado 2024 maio 23 ]
Trabalho de evento
Analysis of the leakage drain current accumulation-mode SOI pMOSFETs operating up to 300º C (2000)
Bellodi, Marcello; Martino, João Antonio
Source: LATW 00: proceedings. Conference titles: IEEE Latin American Test Workshop. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BELLODI, Marcello e MARTINO, João Antonio. Analysis of the leakage drain current accumulation-mode SOI pMOSFETs operating up to 300º C. 2000, Anais.. Piscataway: IEEE/SBC, 2000. . Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Bellodi, M., & Martino, J. A. (2000). Analysis of the leakage drain current accumulation-mode SOI pMOSFETs operating up to 300º C. In LATW 00: proceedings. Piscataway: IEEE/SBC.
NLM
Bellodi M, Martino JA. Analysis of the leakage drain current accumulation-mode SOI pMOSFETs operating up to 300º C. LATW 00: proceedings. 2000 ;[citado 2024 maio 23 ]
Vancouver
Bellodi M, Martino JA. Analysis of the leakage drain current accumulation-mode SOI pMOSFETs operating up to 300º C. LATW 00: proceedings. 2000 ;[citado 2024 maio 23 ]
Trabalho de evento
A novel leakage drain current model for SOI MOSFETs devices at high temperature (1999)
Bellodi, Marcello; Martino, João Antonio
Source: ICMP 99 : Technical Digest. Conference titles: International Conference on Microelectronics and Packaging. Unidade: EP
Assunto: ENGENHARIA ELÉTRICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BELLODI, Marcello e MARTINO, João Antonio. A novel leakage drain current model for SOI MOSFETs devices at high temperature. 1999, Anais.. São Paulo: SBMicro/IMAPS, 1999. . Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Bellodi, M., & Martino, J. A. (1999). A novel leakage drain current model for SOI MOSFETs devices at high temperature. In ICMP 99 : Technical Digest. São Paulo: SBMicro/IMAPS.
NLM
Bellodi M, Martino JA. A novel leakage drain current model for SOI MOSFETs devices at high temperature. ICMP 99 : Technical Digest. 1999 ;[citado 2024 maio 23 ]
Vancouver
Bellodi M, Martino JA. A novel leakage drain current model for SOI MOSFETs devices at high temperature. ICMP 99 : Technical Digest. 1999 ;[citado 2024 maio 23 ]
Artigo de periodico
Leakage drain current behavior in an accumulation mode SOI p-channel MOSFET operating at high temperatures (1999)
Bellodi, Marcello; Martino, João Antonio
Source: Electrochemical and Solid State Letters. Unidade: EP
Assunto: ELETROQUÍMICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BELLODI, Marcello e MARTINO, João Antonio. Leakage drain current behavior in an accumulation mode SOI p-channel MOSFET operating at high temperatures. Electrochemical and Solid State Letters, v. 2, n. 7, p. 345-346, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1149/1.1390831. Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Bellodi, M., & Martino, J. A. (1999). Leakage drain current behavior in an accumulation mode SOI p-channel MOSFET operating at high temperatures. Electrochemical and Solid State Letters, 2( 7), 345-346. doi:10.1149/1.1390831
NLM
Bellodi M, Martino JA. Leakage drain current behavior in an accumulation mode SOI p-channel MOSFET operating at high temperatures [Internet]. Electrochemical and Solid State Letters. 1999 ; 2( 7): 345-346.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.1390831
Vancouver
Bellodi M, Martino JA. Leakage drain current behavior in an accumulation mode SOI p-channel MOSFET operating at high temperatures [Internet]. Electrochemical and Solid State Letters. 1999 ; 2( 7): 345-346.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.1390831
Trabalho de evento-anais periodico
Accumulation-mode SOI pMOSFETs at high-temperatures (1999)
Bellodi, Marcello; Martino, João Antonio
Source: Electrochemical Society. Proceedings. Conference titles: Silicon on Insulation Technology and Devices. Unidade: EP
Assunto: ELETROQUÍMICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BELLODI, Marcello e MARTINO, João Antonio. Accumulation-mode SOI pMOSFETs at high-temperatures. Electrochemical Society. Proceedings. Pennington: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 23 maio 2024. , 1999
APA
Bellodi, M., & Martino, J. A. (1999). Accumulation-mode SOI pMOSFETs at high-temperatures. Electrochemical Society. Proceedings. Pennington: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo.
NLM
Bellodi M, Martino JA. Accumulation-mode SOI pMOSFETs at high-temperatures. Electrochemical Society. Proceedings. 1999 ; 99-93 287-292.[citado 2024 maio 23 ]
Vancouver
Bellodi M, Martino JA. Accumulation-mode SOI pMOSFETs at high-temperatures. Electrochemical Society. Proceedings. 1999 ; 99-93 287-292.[citado 2024 maio 23 ]
Artigo de periodico
Components of the leakage drain current in accumulation-mode SOI pMOSFETs at high temperatures (1999)
Bellodi, Marcello; Martino, João Antonio
Source: Journal of Solid State Devices and Circuits. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS ELÉTRICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BELLODI, Marcello e MARTINO, João Antonio. Components of the leakage drain current in accumulation-mode SOI pMOSFETs at high temperatures. Journal of Solid State Devices and Circuits, v. 7, n. 1, p. 7-11, 1999Tradução . . Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Bellodi, M., & Martino, J. A. (1999). Components of the leakage drain current in accumulation-mode SOI pMOSFETs at high temperatures. Journal of Solid State Devices and Circuits, 7( 1), 7-11.
NLM
Bellodi M, Martino JA. Components of the leakage drain current in accumulation-mode SOI pMOSFETs at high temperatures. Journal of Solid State Devices and Circuits. 1999 ; 7( 1): 7-11.[citado 2024 maio 23 ]
Vancouver
Bellodi M, Martino JA. Components of the leakage drain current in accumulation-mode SOI pMOSFETs at high temperatures. Journal of Solid State Devices and Circuits. 1999 ; 7( 1): 7-11.[citado 2024 maio 23 ]
Trabalho de evento
The influence of the back gate voltage on the leakage drain current in accumulation mode SOI pMOSFETs at high temperatures (1998)
Bellodi, Marcello; Martino, João Antonio
Source: SBMicro'ICMP 98 : Proceedings. Conference titles: International Conference on Microelectronics and Packaging. Unidade: EP
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BELLODI, Marcello e MARTINO, João Antonio. The influence of the back gate voltage on the leakage drain current in accumulation mode SOI pMOSFETs at high temperatures. 1998, Anais.. Curitiba: SBMicro/LACTRO/LAC, 1998. . Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Bellodi, M., & Martino, J. A. (1998). The influence of the back gate voltage on the leakage drain current in accumulation mode SOI pMOSFETs at high temperatures. In SBMicro'ICMP 98 : Proceedings. Curitiba: SBMicro/LACTRO/LAC.
NLM
Bellodi M, Martino JA. The influence of the back gate voltage on the leakage drain current in accumulation mode SOI pMOSFETs at high temperatures. SBMicro'ICMP 98 : Proceedings. 1998 ;[citado 2024 maio 23 ]
Vancouver
Bellodi M, Martino JA. The influence of the back gate voltage on the leakage drain current in accumulation mode SOI pMOSFETs at high temperatures. SBMicro'ICMP 98 : Proceedings. 1998 ;[citado 2024 maio 23 ]

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