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Relatorio tecnico
Topological phases in triangular lattices of 'RU' adsorbed on graphene: ab-initio calculations (2020)
Acosta, Carlos Mera; Lima, Matheus P.; Miwa, R. H.; Fazzio, Adalberto ; Silva, Antonio Jose Roque da
Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, TOPOLOGIA EM COMPUTAÇÃO
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ABNT
ACOSTA, Carlos Mera et al. Topological phases in triangular lattices of 'RU' adsorbed on graphene: ab-initio calculations. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://arxiv.org/pdf/1401.5809.pdf. Acesso em: 23 maio 2024. , 2020
APA
Acosta, C. M., Lima, M. P., Miwa, R. H., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2020). Topological phases in triangular lattices of 'RU' adsorbed on graphene: ab-initio calculations. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/pdf/1401.5809.pdf
NLM
Acosta CM, Lima MP, Miwa RH, Fazzio A, Silva AJR da. Topological phases in triangular lattices of 'RU' adsorbed on graphene: ab-initio calculations [Internet]. 2020 ;[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/1401.5809.pdf
Vancouver
Acosta CM, Lima MP, Miwa RH, Fazzio A, Silva AJR da. Topological phases in triangular lattices of 'RU' adsorbed on graphene: ab-initio calculations [Internet]. 2020 ;[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/1401.5809.pdf
Artigo de periodico
Two-dimensional van der Waals p-n junction of 'IN''SE'/phosphorene (2017)
Padilha, J. E.; Miwa, R. H.; Fazzio, Adalberto; Silva, Antônio José Roque da
Source: PHYSICAL REVIEW B. Unidade: IF
Subjects: NANOTECNOLOGIA, SEMICONDUTORES
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ABNT
PADILHA, J. E. et al. Two-dimensional van der Waals p-n junction of 'IN''SE'/phosphorene. PHYSICAL REVIEW B, v. 95, n. 19, p. 195143, 2017Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.95.195143. Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Padilha, J. E., Miwa, R. H., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2017). Two-dimensional van der Waals p-n junction of 'IN''SE'/phosphorene. PHYSICAL REVIEW B, 95( 19), 195143. doi:10.1103/PhysRevB.95.195143
NLM
Padilha JE, Miwa RH, Fazzio A, Silva AJR da. Two-dimensional van der Waals p-n junction of 'IN''SE'/phosphorene [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2017 ; 95( 19): 195143.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.95.195143
Vancouver
Padilha JE, Miwa RH, Fazzio A, Silva AJR da. Two-dimensional van der Waals p-n junction of 'IN''SE'/phosphorene [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2017 ; 95( 19): 195143.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.95.195143
Artigo de periodico
A new class of large band gap quantum spin hall insulators: 2D fluorinated group-IV binary compounds (2016)
Padilha, J. E.; Pontes, R. B.; Schmidt, T. M.; Miwa, R. H.; Fazzio, Adalberto
Source: SCIENTIFIC REPORTS. Unidade: IF
Subjects: SPIN, TOPOLOGIA
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ABNT
PADILHA, J. E. et al. A new class of large band gap quantum spin hall insulators: 2D fluorinated group-IV binary compounds. SCIENTIFIC REPORTS, v. 6, p. 26123 , 2016Tradução . . Disponível em: http://www.nature.com/articles/srep26123. Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Padilha, J. E., Pontes, R. B., Schmidt, T. M., Miwa, R. H., & Fazzio, A. (2016). A new class of large band gap quantum spin hall insulators: 2D fluorinated group-IV binary compounds. SCIENTIFIC REPORTS, 6, 26123 . doi:10.1038/srep26123
NLM
Padilha JE, Pontes RB, Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A. A new class of large band gap quantum spin hall insulators: 2D fluorinated group-IV binary compounds [Internet]. SCIENTIFIC REPORTS. 2016 ; 6 26123 .[citado 2024 maio 23 ] Available from: http://www.nature.com/articles/srep26123
Vancouver
Padilha JE, Pontes RB, Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A. A new class of large band gap quantum spin hall insulators: 2D fluorinated group-IV binary compounds [Internet]. SCIENTIFIC REPORTS. 2016 ; 6 26123 .[citado 2024 maio 23 ] Available from: http://www.nature.com/articles/srep26123
Artigo de periodico
Valley hall effect in silicene and hydrogenated silicene ruled by grain boundaries: an ab initio investigation (2015)
Miwa, R. H.; Kagimura, R.; Lima, Matheus P.; Fazzio, Adalberto
Source: PHYSICAL REVIEW B. Unidade: IF
Subjects: FERROMAGNETISMO, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
MIWA, R. H. et al. Valley hall effect in silicene and hydrogenated silicene ruled by grain boundaries: an ab initio investigation. PHYSICAL REVIEW B, v. 91, n. 20, p. 205442, 2015Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.91.205442. Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Miwa, R. H., Kagimura, R., Lima, M. P., & Fazzio, A. (2015). Valley hall effect in silicene and hydrogenated silicene ruled by grain boundaries: an ab initio investigation. PHYSICAL REVIEW B, 91( 20), 205442. doi:10.1103/physrevb.91.205442
NLM
Miwa RH, Kagimura R, Lima MP, Fazzio A. Valley hall effect in silicene and hydrogenated silicene ruled by grain boundaries: an ab initio investigation [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2015 ; 91( 20): 205442.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.91.205442
Vancouver
Miwa RH, Kagimura R, Lima MP, Fazzio A. Valley hall effect in silicene and hydrogenated silicene ruled by grain boundaries: an ab initio investigation [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2015 ; 91( 20): 205442.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.91.205442
Artigo de periodico
Topological phase transitions of '('BI' IND. x''SB' IND. 1−x') IND. 2''SE' IND. 3' alloys by density functional theory (2015)
Abdalla, Leonardo Batoni; Padilha, Jose E.; Schmidt, T. M.; Miwa, R. H.; Fazzio, Adalberto
Source: JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER. Unidade: IF
Subjects: TOPOLOGIA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
ABDALLA, Leonardo Batoni et al. Topological phase transitions of '('BI' IND. x''SB' IND. 1−x') IND. 2''SE' IND. 3' alloys by density functional theory. JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, v. 27, n. 25, p. 255501, 2015Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0953-8984/27/25/255501. Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Abdalla, L. B., Padilha, J. E., Schmidt, T. M., Miwa, R. H., & Fazzio, A. (2015). Topological phase transitions of '('BI' IND. x''SB' IND. 1−x') IND. 2''SE' IND. 3' alloys by density functional theory. JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, 27( 25), 255501. doi:10.1088/0953-8984/27/25/255501
NLM
Abdalla LB, Padilha JE, Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A. Topological phase transitions of '('BI' IND. x''SB' IND. 1−x') IND. 2''SE' IND. 3' alloys by density functional theory [Internet]. JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER. 2015 ; 27( 25): 255501.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/27/25/255501
Vancouver
Abdalla LB, Padilha JE, Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A. Topological phase transitions of '('BI' IND. x''SB' IND. 1−x') IND. 2''SE' IND. 3' alloys by density functional theory [Internet]. JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER. 2015 ; 27( 25): 255501.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/27/25/255501
Relatorio tecnico
Topological phases in triangular lattices of 'RU' adsorbed on graphene: ab-initio calculations (2014)
Acosta, Carlos Augusto Mera; Lima, Matheus Paes; Miwa, R. H.; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Unidade: IF
Subjects: SPIN, TOPOLOGIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ACOSTA, Carlos Augusto Mera et al. Topological phases in triangular lattices of 'RU' adsorbed on graphene: ab-initio calculations. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: http://arxiv.org/pdf/1401.5809v2.pdf. Acesso em: 23 maio 2024. , 2014
APA
Acosta, C. A. M., Lima, M. P., Miwa, R. H., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2014). Topological phases in triangular lattices of 'RU' adsorbed on graphene: ab-initio calculations. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://arxiv.org/pdf/1401.5809v2.pdf
NLM
Acosta CAM, Lima MP, Miwa RH, Silva AJR da, Fazzio A. Topological phases in triangular lattices of 'RU' adsorbed on graphene: ab-initio calculations [Internet]. 2014 ;[citado 2024 maio 23 ] Available from: http://arxiv.org/pdf/1401.5809v2.pdf
Vancouver
Acosta CAM, Lima MP, Miwa RH, Silva AJR da, Fazzio A. Topological phases in triangular lattices of 'RU' adsorbed on graphene: ab-initio calculations [Internet]. 2014 ;[citado 2024 maio 23 ] Available from: http://arxiv.org/pdf/1401.5809v2.pdf
Artigo de periodico
Topological phases in triangular lattices of 'RU' adsorbed on graphene: Ab initio calculation (2014)
Mera Acosta, Carlos Augusto ; Miwa, R. H.; Lima, Matheus P ; Silva, Antonio Jose Roque da ; Fazzio, Adalberto
Source: PHYSICAL REVIEW B. Unidade: IF
Subjects: TOPOLOGIA, SPIN
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MERA ACOSTA, Carlos Augusto et al. Topological phases in triangular lattices of 'RU' adsorbed on graphene: Ab initio calculation. PHYSICAL REVIEW B, v. 89, n. 15, p. 155438, 2014Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.89.155438. Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Mera Acosta, C. A., Miwa, R. H., Lima, M. P., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2014). Topological phases in triangular lattices of 'RU' adsorbed on graphene: Ab initio calculation. PHYSICAL REVIEW B, 89( 15), 155438. doi:10.1103/PhysRevB.89.155438
NLM
Mera Acosta CA, Miwa RH, Lima MP, Silva AJR da, Fazzio A. Topological phases in triangular lattices of 'RU' adsorbed on graphene: Ab initio calculation [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2014 ; 89( 15): 155438.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.89.155438
Vancouver
Mera Acosta CA, Miwa RH, Lima MP, Silva AJR da, Fazzio A. Topological phases in triangular lattices of 'RU' adsorbed on graphene: Ab initio calculation [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2014 ; 89( 15): 155438.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.89.155438
Artigo de periodico
Topological insulator 'BI' IND.2''SE' IND. 3'(111) surface doped with transition metals: an ab initio investigation (2013)
Abdalla, Leonardo Batoni; Schmidt, T. M.; Miwa, R. H.; Fazzio, Adalberto
Source: PHYSICAL REVIEW B. Unidade: IF
Subjects: MAGNETISMO, ÁTOMOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ABDALLA, Leonardo Batoni et al. Topological insulator 'BI' IND.2''SE' IND. 3'(111) surface doped with transition metals: an ab initio investigation. PHYSICAL REVIEW B, v. 88, n. 4, p. 045312, 2013Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.88.045312. Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Abdalla, L. B., Schmidt, T. M., Miwa, R. H., & Fazzio, A. (2013). Topological insulator 'BI' IND.2''SE' IND. 3'(111) surface doped with transition metals: an ab initio investigation. PHYSICAL REVIEW B, 88( 4), 045312. doi:10.1103/PhysRevB.88.045312
NLM
Abdalla LB, Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A. Topological insulator 'BI' IND.2''SE' IND. 3'(111) surface doped with transition metals: an ab initio investigation [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2013 ; 88( 4): 045312.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.88.045312
Vancouver
Abdalla LB, Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A. Topological insulator 'BI' IND.2''SE' IND. 3'(111) surface doped with transition metals: an ab initio investigation [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2013 ; 88( 4): 045312.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.88.045312
Artigo de periodico
Carrier-mediated magnetism in transition metal doped 'BI' IND. 2''SE' IND. 3' topological insulator (2013)
Schmidt, Tome M.; Miwa, R. H.; Fazzio, Adalberto
Source: JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, MAGNETISMO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCHMIDT, Tome M. e MIWA, R. H. e FAZZIO, Adalberto. Carrier-mediated magnetism in transition metal doped 'BI' IND. 2''SE' IND. 3' topological insulator. JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, v. no 2013, n. 44, p. 445003, 2013Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0953-8984/25/44/445003. Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Schmidt, T. M., Miwa, R. H., & Fazzio, A. (2013). Carrier-mediated magnetism in transition metal doped 'BI' IND. 2''SE' IND. 3' topological insulator. JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, no 2013( 44), 445003. doi:10.1088/0953-8984/25/44/445003
NLM
Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A. Carrier-mediated magnetism in transition metal doped 'BI' IND. 2''SE' IND. 3' topological insulator [Internet]. JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER. 2013 ; no 2013( 44): 445003.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/25/44/445003
Vancouver
Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A. Carrier-mediated magnetism in transition metal doped 'BI' IND. 2''SE' IND. 3' topological insulator [Internet]. JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER. 2013 ; no 2013( 44): 445003.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/25/44/445003
Artigo de periodico
Topological states ruled by stacking faults in 'BI' IND. 2''SE' IND. 3' and 'BI' IND. 2''TE' IND. 3' (2013)
Seixas, L. ; Abdalla, L. B.; Schmidt, T. M.; Miwa, R. H.; Fazzio, Adalberto
Source: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. Unidade: IF
Assunto: TOPOLOGIA
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ABNT
SEIXAS, L. et al. Topological states ruled by stacking faults in 'BI' IND. 2''SE' IND. 3' and 'BI' IND. 2''TE' IND. 3'. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, v. 113, n. ja2013, p. 023705, 2013Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.4773325. Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Seixas, L., Abdalla, L. B., Schmidt, T. M., Miwa, R. H., & Fazzio, A. (2013). Topological states ruled by stacking faults in 'BI' IND. 2''SE' IND. 3' and 'BI' IND. 2''TE' IND. 3'. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 113( ja2013), 023705. doi:10.1063/1.4773325
NLM
Seixas L, Abdalla LB, Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A. Topological states ruled by stacking faults in 'BI' IND. 2''SE' IND. 3' and 'BI' IND. 2''TE' IND. 3' [Internet]. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2013 ; 113( ja2013): 023705.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4773325
Vancouver
Seixas L, Abdalla LB, Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A. Topological states ruled by stacking faults in 'BI' IND. 2''SE' IND. 3' and 'BI' IND. 2''TE' IND. 3' [Internet]. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2013 ; 113( ja2013): 023705.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4773325
Artigo de periodico
Anomalous gap dependence of stretched Teflon/poly(p-phenylene vinylene) films (2005)
Marletta, Alexandre; Miwa, R. H.; Cazati, T.; Guimarães, Francisco Eduardo Gontijo; Faria, Roberto Mendonça; Alves, Marcos Veríssimo
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, POLÍMEROS (MATERIAIS)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARLETTA, Alexandre et al. Anomalous gap dependence of stretched Teflon/poly(p-phenylene vinylene) films. Applied Physics Letters, v. 86, n. 14, p. 141907-1-141907-2, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1897847. Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Marletta, A., Miwa, R. H., Cazati, T., Guimarães, F. E. G., Faria, R. M., & Alves, M. V. (2005). Anomalous gap dependence of stretched Teflon/poly(p-phenylene vinylene) films. Applied Physics Letters, 86( 14), 141907-1-141907-2. doi:10.1063/1.1897847
NLM
Marletta A, Miwa RH, Cazati T, Guimarães FEG, Faria RM, Alves MV. Anomalous gap dependence of stretched Teflon/poly(p-phenylene vinylene) films [Internet]. Applied Physics Letters. 2005 ; 86( 14): 141907-1-141907-2.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1897847
Vancouver
Marletta A, Miwa RH, Cazati T, Guimarães FEG, Faria RM, Alves MV. Anomalous gap dependence of stretched Teflon/poly(p-phenylene vinylene) films [Internet]. Applied Physics Letters. 2005 ; 86( 14): 141907-1-141907-2.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1897847
Trabalho de evento-resumo
Optical properties of MH-PPV films: morphology effects (2003)
Marletta, A.; Miwa, R. H.; Vega, M. L.; Olivati, C. A.; Ferreira, Marystela; Oliveira Junior, Osvaldo Novais de; Balogh, Débora Terezia; Faria, Roberto Mendonça
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IFSC
Assunto: POLÍMEROS (MATERIAIS)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARLETTA, A. et al. Optical properties of MH-PPV films: morphology effects. 2003, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2003. . Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Marletta, A., Miwa, R. H., Vega, M. L., Olivati, C. A., Ferreira, M., Oliveira Junior, O. N. de, et al. (2003). Optical properties of MH-PPV films: morphology effects. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Marletta A, Miwa RH, Vega ML, Olivati CA, Ferreira M, Oliveira Junior ON de, Balogh DT, Faria RM. Optical properties of MH-PPV films: morphology effects. Resumos. 2003 ;[citado 2024 maio 23 ]
Vancouver
Marletta A, Miwa RH, Vega ML, Olivati CA, Ferreira M, Oliveira Junior ON de, Balogh DT, Faria RM. Optical properties of MH-PPV films: morphology effects. Resumos. 2003 ;[citado 2024 maio 23 ]
Trabalho de evento-anais periodico
Theoretical study of Si(001)/Te-(1X1), (2X1) and (3X1) surfaces (1999)
Miwa, R. H.; Ferraz, A. C.
Source: Brazilian Journal of Physics. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIWA, R. H. e FERRAZ, A. C. Theoretical study of Si(001)/Te-(1X1), (2X1) and (3X1) surfaces. Brazilian Journal of Physics. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: http://www.scielo.br/cgi-bin/fbpe/fball?got=all&pid=0103-9733&usr=fbpe&lng=pt&nrm=iso&sss=1&aut=71981947. Acesso em: 23 maio 2024. , 1999
APA
Miwa, R. H., & Ferraz, A. C. (1999). Theoretical study of Si(001)/Te-(1X1), (2X1) and (3X1) surfaces. Brazilian Journal of Physics. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.scielo.br/cgi-bin/fbpe/fball?got=all&pid=0103-9733&usr=fbpe&lng=pt&nrm=iso&sss=1&aut=71981947
NLM
Miwa RH, Ferraz AC. Theoretical study of Si(001)/Te-(1X1), (2X1) and (3X1) surfaces [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 1999 ; 29( 4): 814-816.[citado 2024 maio 23 ] Available from: http://www.scielo.br/cgi-bin/fbpe/fball?got=all&pid=0103-9733&usr=fbpe&lng=pt&nrm=iso&sss=1&aut=71981947
Vancouver
Miwa RH, Ferraz AC. Theoretical study of Si(001)/Te-(1X1), (2X1) and (3X1) surfaces [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 1999 ; 29( 4): 814-816.[citado 2024 maio 23 ] Available from: http://www.scielo.br/cgi-bin/fbpe/fball?got=all&pid=0103-9733&usr=fbpe&lng=pt&nrm=iso&sss=1&aut=71981947
Artigo de periodico
Tuning band offsets at the AlAs/GaAs interface by group-IV intralayer deposition (1999)
Miwa, R. H.; Ferraz, A. C.
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIWA, R. H. e FERRAZ, A. C. Tuning band offsets at the AlAs/GaAs interface by group-IV intralayer deposition. Physical Review B, v. 59, n. 19, p. 12499-12504, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.59.12499. Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Miwa, R. H., & Ferraz, A. C. (1999). Tuning band offsets at the AlAs/GaAs interface by group-IV intralayer deposition. Physical Review B, 59( 19), 12499-12504. doi:10.1103/physrevb.59.12499
NLM
Miwa RH, Ferraz AC. Tuning band offsets at the AlAs/GaAs interface by group-IV intralayer deposition [Internet]. Physical Review B. 1999 ; 59( 19): 12499-12504.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.59.12499
Vancouver
Miwa RH, Ferraz AC. Tuning band offsets at the AlAs/GaAs interface by group-IV intralayer deposition [Internet]. Physical Review B. 1999 ; 59( 19): 12499-12504.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.59.12499

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