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Artigo de periodico
Influence of the Source Composition on the Analog Performance Parameters of Vertical Nanowire-TFETs (2015)
Agopian, Paula Ghedini Der ; Martino, João Antonio ; Santos, Sara Dereste dos; Rooyackers, Rita; Vandoren, A
Source: IEEE Transactions on Electron Devices. Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES, SILÍCIO
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ABNT
AGOPIAN, Paula Ghedini Der et al. Influence of the Source Composition on the Analog Performance Parameters of Vertical Nanowire-TFETs. IEEE Transactions on Electron Devices, v. 62, n. Ja 2015, p. 16-22, 2015Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1109/ted.2014.2367659. Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Agopian, P. G. D., Martino, J. A., Santos, S. D. dos, Rooyackers, R., & Vandoren, A. (2015). Influence of the Source Composition on the Analog Performance Parameters of Vertical Nanowire-TFETs. IEEE Transactions on Electron Devices, 62( Ja 2015), 16-22. doi:10.1109/ted.2014.2367659
NLM
Agopian PGD, Martino JA, Santos SD dos, Rooyackers R, Vandoren A. Influence of the Source Composition on the Analog Performance Parameters of Vertical Nanowire-TFETs [Internet]. IEEE Transactions on Electron Devices. 2015 ; 62( Ja 2015): 16-22.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.1109/ted.2014.2367659
Vancouver
Agopian PGD, Martino JA, Santos SD dos, Rooyackers R, Vandoren A. Influence of the Source Composition on the Analog Performance Parameters of Vertical Nanowire-TFETs [Internet]. IEEE Transactions on Electron Devices. 2015 ; 62( Ja 2015): 16-22.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.1109/ted.2014.2367659
Tese (Doutorado)
Caracterização elétrica de transistores SOI sem extensão de fonte e dreno com estrutura planar e vertical (3D) (2014)
Santos, Sara Dereste dos; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, MICROELETRÔNICA
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ABNT
SANTOS, Sara Dereste dos. Caracterização elétrica de transistores SOI sem extensão de fonte e dreno com estrutura planar e vertical (3D). 2014. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2014. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-25112014-113320/. Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Santos, S. D. dos. (2014). Caracterização elétrica de transistores SOI sem extensão de fonte e dreno com estrutura planar e vertical (3D) (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-25112014-113320/
NLM
Santos SD dos. Caracterização elétrica de transistores SOI sem extensão de fonte e dreno com estrutura planar e vertical (3D) [Internet]. 2014 ;[citado 2024 maio 23 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-25112014-113320/
Vancouver
Santos SD dos. Caracterização elétrica de transistores SOI sem extensão de fonte e dreno com estrutura planar e vertical (3D) [Internet]. 2014 ;[citado 2024 maio 23 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-25112014-113320/
Artigo de periodico
Advantages of different source/drain engineering on scaled UTBOX FDSOI nMOSFETs at high temperature operation (2014)
Nicoletti, Talitha; Santos, Sara Dereste dos; Martino, João Antonio ; Aoulaiche, Marc; Veloso, Anabela; Claeys, Cor ; Simoen, Eddy ; Jurczak, Malgorzata
Source: Solid-State Electronics. Unidade: EP
Subjects: TEMPERATURA, MICROELETRÔNICA
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ABNT
NICOLETTI, Talitha et al. Advantages of different source/drain engineering on scaled UTBOX FDSOI nMOSFETs at high temperature operation. Solid-State Electronics, v. 91, p. 53-58, 2014Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2013.09.012. Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Nicoletti, T., Santos, S. D. dos, Martino, J. A., Aoulaiche, M., Veloso, A., Claeys, C., et al. (2014). Advantages of different source/drain engineering on scaled UTBOX FDSOI nMOSFETs at high temperature operation. Solid-State Electronics, 91, 53-58. doi:10.1016/j.sse.2013.09.012
NLM
Nicoletti T, Santos SD dos, Martino JA, Aoulaiche M, Veloso A, Claeys C, Simoen E, Jurczak M. Advantages of different source/drain engineering on scaled UTBOX FDSOI nMOSFETs at high temperature operation [Internet]. Solid-State Electronics. 2014 ; 91 53-58.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2013.09.012
Vancouver
Nicoletti T, Santos SD dos, Martino JA, Aoulaiche M, Veloso A, Claeys C, Simoen E, Jurczak M. Advantages of different source/drain engineering on scaled UTBOX FDSOI nMOSFETs at high temperature operation [Internet]. Solid-State Electronics. 2014 ; 91 53-58.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2013.09.012
Artigo de periodico
Low-frequency noise assessment in advanced UTBOX SOI nMOSFETs with different gate dielectrics (2014)
Santos, Sara Dereste dos; Martino, João Antonio ; Cretu, B; Strobel, V; Routoure, J.-M; Carin, R; Aoulaiche, Marc; Jurczak, Malgorzata; Claeys, Cor
Source: Solid-State Electronics. Unidade: EP
Subjects: TEMPERATURA, MICROELETRÔNICA, SILÍCIO
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ABNT
SANTOS, Sara Dereste dos et al. Low-frequency noise assessment in advanced UTBOX SOI nMOSFETs with different gate dielectrics. Solid-State Electronics, v. 97, p. 14-22, 2014Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2014.04.034. Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Santos, S. D. dos, Martino, J. A., Cretu, B., Strobel, V., Routoure, J. -M., Carin, R., et al. (2014). Low-frequency noise assessment in advanced UTBOX SOI nMOSFETs with different gate dielectrics. Solid-State Electronics, 97, 14-22. doi:10.1016/j.sse.2014.04.034
NLM
Santos SD dos, Martino JA, Cretu B, Strobel V, Routoure J-M, Carin R, Aoulaiche M, Jurczak M, Claeys C. Low-frequency noise assessment in advanced UTBOX SOI nMOSFETs with different gate dielectrics [Internet]. Solid-State Electronics. 2014 ; 97 14-22.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2014.04.034
Vancouver
Santos SD dos, Martino JA, Cretu B, Strobel V, Routoure J-M, Carin R, Aoulaiche M, Jurczak M, Claeys C. Low-frequency noise assessment in advanced UTBOX SOI nMOSFETs with different gate dielectrics [Internet]. Solid-State Electronics. 2014 ; 97 14-22.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2014.04.034
Artigo de periodico
Improved retention times in UTBOX nMOSFETs for 1T-DRAM applications (2014)
Sasaki, Karen Lucia Mayumi; Nicoletti, Talitha; Almeida, L M; Santos, Sara Dereste dos; Nissimoff, Albert; Aoulaiche, Marc; Martino, João Antonio
Source: Solid-State Electronics. Unidade: EP
Assunto: TRANSISTORES
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ABNT
SASAKI, Karen Lucia Mayumi et al. Improved retention times in UTBOX nMOSFETs for 1T-DRAM applications. Solid-State Electronics, v. 97, p. 30-37, 2014Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2014.04.031. Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Sasaki, K. L. M., Nicoletti, T., Almeida, L. M., Santos, S. D. dos, Nissimoff, A., Aoulaiche, M., & Martino, J. A. (2014). Improved retention times in UTBOX nMOSFETs for 1T-DRAM applications. Solid-State Electronics, 97, 30-37. doi:10.1016/j.sse.2014.04.031
NLM
Sasaki KLM, Nicoletti T, Almeida LM, Santos SD dos, Nissimoff A, Aoulaiche M, Martino JA. Improved retention times in UTBOX nMOSFETs for 1T-DRAM applications [Internet]. Solid-State Electronics. 2014 ;97 30-37.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2014.04.031
Vancouver
Sasaki KLM, Nicoletti T, Almeida LM, Santos SD dos, Nissimoff A, Aoulaiche M, Martino JA. Improved retention times in UTBOX nMOSFETs for 1T-DRAM applications [Internet]. Solid-State Electronics. 2014 ;97 30-37.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2014.04.031
Trabalho de evento
Low frequency noise assessment in advanced UTBOX SOI n-channel MOSFETs (2013)
Martino, João Antonio ; Strobel, V.; Cretu, B.; Santos, Sara Dereste dos; Simoen, Eddy ; Routure, J.-M.; Carin, R.; Aoulaiche, Marc; Claeys, Cor
Source: EUROSOI 2013. Conference titles: European Workshop on Silicon on Insulator Technology, Devices and Circuits. Unidade: EP
Assunto: MICROELETRÔNICA (CONGRESSOS)
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ABNT
MARTINO, João Antonio et al. Low frequency noise assessment in advanced UTBOX SOI n-channel MOSFETs. 2013, Anais.. Paris: Institut Superieur d'Électronique, 2013. . Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Martino, J. A., Strobel, V., Cretu, B., Santos, S. D. dos, Simoen, E., Routure, J. -M., et al. (2013). Low frequency noise assessment in advanced UTBOX SOI n-channel MOSFETs. In EUROSOI 2013. Paris: Institut Superieur d'Électronique.
NLM
Martino JA, Strobel V, Cretu B, Santos SD dos, Simoen E, Routure J-M, Carin R, Aoulaiche M, Claeys C. Low frequency noise assessment in advanced UTBOX SOI n-channel MOSFETs. EUROSOI 2013. 2013 ;[citado 2024 maio 23 ]
Vancouver
Martino JA, Strobel V, Cretu B, Santos SD dos, Simoen E, Routure J-M, Carin R, Aoulaiche M, Claeys C. Low frequency noise assessment in advanced UTBOX SOI n-channel MOSFETs. EUROSOI 2013. 2013 ;[citado 2024 maio 23 ]
Artigo de periodico
Low-Frequency Noise Studies on Fully Depleted UTBOX Silicon-on-Insulator nMOSFETs: Challenges and Opportunities (2013)
Simoen, Eddy ; Martino, João Antonio ; Aoulaiche, Marc; Santos, Sara Dereste dos; Strobel, V; Cretu, B; Routoure, J.-M; Carin, R; Rodriguez, Adriana Pinheiro Martinelli; Tejada, Julián; Claeys, Cor ; Rodriguez, A. Luque
Source: ECS Journal of Solid State Science and Technology. Unidade: EP
Subjects: SILÍCIO, FILMES FINOS
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ABNT
SIMOEN, Eddy et al. Low-Frequency Noise Studies on Fully Depleted UTBOX Silicon-on-Insulator nMOSFETs: Challenges and Opportunities. ECS Journal of Solid State Science and Technology, v. 2, n. 11, p. Q205-Q210, 2013Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1149/2.011311jss. Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Simoen, E., Martino, J. A., Aoulaiche, M., Santos, S. D. dos, Strobel, V., Cretu, B., et al. (2013). Low-Frequency Noise Studies on Fully Depleted UTBOX Silicon-on-Insulator nMOSFETs: Challenges and Opportunities. ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2( 11), Q205-Q210. doi:10.1149/2.011311jss
NLM
Simoen E, Martino JA, Aoulaiche M, Santos SD dos, Strobel V, Cretu B, Routoure J-M, Carin R, Rodriguez APM, Tejada J, Claeys C, Rodriguez AL. Low-Frequency Noise Studies on Fully Depleted UTBOX Silicon-on-Insulator nMOSFETs: Challenges and Opportunities [Internet]. ECS Journal of Solid State Science and Technology. 2013 ; 2( 11): Q205-Q210.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.1149/2.011311jss
Vancouver
Simoen E, Martino JA, Aoulaiche M, Santos SD dos, Strobel V, Cretu B, Routoure J-M, Carin R, Rodriguez APM, Tejada J, Claeys C, Rodriguez AL. Low-Frequency Noise Studies on Fully Depleted UTBOX Silicon-on-Insulator nMOSFETs: Challenges and Opportunities [Internet]. ECS Journal of Solid State Science and Technology. 2013 ; 2( 11): Q205-Q210.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.1149/2.011311jss
Trabalho de evento
Low-frequency noise for different gate dielectrics on state-of-the-art UTBOX SOI nMOSFETs (2013)
Martino, João Antonio ; Santos, Sara Dereste dos; Simoen, Eddy ; Strobe, V.; Cretu, B.; Routoure, J.-M.; Carin, R.; Aoulaiche, Marc; Veloso, Anabela; Claeys, Cor
Source: EUROSOI 2013. Conference titles: European Workshop on Silicon on Insulator Technology, Devices and Circuits. Unidade: EP
Assunto: MICROELETRÔNICA (CONGRESSOS)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARTINO, João Antonio et al. Low-frequency noise for different gate dielectrics on state-of-the-art UTBOX SOI nMOSFETs. 2013, Anais.. Paris: Institut Superieur d'Électronique, 2013. . Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Martino, J. A., Santos, S. D. dos, Simoen, E., Strobe, V., Cretu, B., Routoure, J. -M., et al. (2013). Low-frequency noise for different gate dielectrics on state-of-the-art UTBOX SOI nMOSFETs. In EUROSOI 2013. Paris: Institut Superieur d'Électronique.
NLM
Martino JA, Santos SD dos, Simoen E, Strobe V, Cretu B, Routoure J-M, Carin R, Aoulaiche M, Veloso A, Claeys C. Low-frequency noise for different gate dielectrics on state-of-the-art UTBOX SOI nMOSFETs. EUROSOI 2013. 2013 ;[citado 2024 maio 23 ]
Vancouver
Martino JA, Santos SD dos, Simoen E, Strobe V, Cretu B, Routoure J-M, Carin R, Aoulaiche M, Veloso A, Claeys C. Low-frequency noise for different gate dielectrics on state-of-the-art UTBOX SOI nMOSFETs. EUROSOI 2013. 2013 ;[citado 2024 maio 23 ]
Artigo de periodico
On the Variability of the Front-/Back-Channel LF Noise in UTBOX SOI nMOSFETs (2013)
Santos, Sara Dereste dos; Nicoletti, Talitha; Martino, João Antonio ; Aoulaiche, Marc; Veloso, Anabela; Jurczak, Malgorzata; Simoen, Eddy ; Claeys, Cor
Source: IEEE Transactions on Electron Devices. Unidade: EP
Subjects: SILÍCIO, FILMES FINOS, AVALIAÇÃO DE DESEMPENHO, TRANSISTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANTOS, Sara Dereste dos et al. On the Variability of the Front-/Back-Channel LF Noise in UTBOX SOI nMOSFETs. IEEE Transactions on Electron Devices, v. 60, n. 1, p. 444-450, 2013Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1109/ted.2012.2227749. Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Santos, S. D. dos, Nicoletti, T., Martino, J. A., Aoulaiche, M., Veloso, A., Jurczak, M., et al. (2013). On the Variability of the Front-/Back-Channel LF Noise in UTBOX SOI nMOSFETs. IEEE Transactions on Electron Devices, 60( 1), 444-450. doi:10.1109/ted.2012.2227749
NLM
Santos SD dos, Nicoletti T, Martino JA, Aoulaiche M, Veloso A, Jurczak M, Simoen E, Claeys C. On the Variability of the Front-/Back-Channel LF Noise in UTBOX SOI nMOSFETs [Internet]. IEEE Transactions on Electron Devices. 2013 ; 60( 1): 444-450.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.1109/ted.2012.2227749
Vancouver
Santos SD dos, Nicoletti T, Martino JA, Aoulaiche M, Veloso A, Jurczak M, Simoen E, Claeys C. On the Variability of the Front-/Back-Channel LF Noise in UTBOX SOI nMOSFETs [Internet]. IEEE Transactions on Electron Devices. 2013 ; 60( 1): 444-450.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.1109/ted.2012.2227749
Trabalho de evento
Spacer length and tilt implantation influence on scaled UTBOX FD MOSFETS (2012)
Santos, Sara Dereste dos ; Nicoletti, Talitha; Aoulaiche, Marc; Martino, João Antonio ; Veloso, A; Jurczak, Malgorzata; Simoen, Eddy ; Claeys, Cor
Source: Microelectronics technology and devices, SBMicro. Conference titles: International Symposium on Microelectronics Technology and Devices. Unidade: EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANTOS, Sara Dereste dos et al. Spacer length and tilt implantation influence on scaled UTBOX FD MOSFETS. 2012, Anais.. Pennington: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo, 2012. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/22d2dffe-4364-4c9f-87ae-bbce2402e1e6/3144801.pdf. Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Santos, S. D. dos, Nicoletti, T., Aoulaiche, M., Martino, J. A., Veloso, A., Jurczak, M., et al. (2012). Spacer length and tilt implantation influence on scaled UTBOX FD MOSFETS. In Microelectronics technology and devices, SBMicro. Pennington: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/22d2dffe-4364-4c9f-87ae-bbce2402e1e6/3144801.pdf
NLM
Santos SD dos, Nicoletti T, Aoulaiche M, Martino JA, Veloso A, Jurczak M, Simoen E, Claeys C. Spacer length and tilt implantation influence on scaled UTBOX FD MOSFETS [Internet]. Microelectronics technology and devices, SBMicro. 2012 ;[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/22d2dffe-4364-4c9f-87ae-bbce2402e1e6/3144801.pdf
Vancouver
Santos SD dos, Nicoletti T, Aoulaiche M, Martino JA, Veloso A, Jurczak M, Simoen E, Claeys C. Spacer length and tilt implantation influence on scaled UTBOX FD MOSFETS [Internet]. Microelectronics technology and devices, SBMicro. 2012 ;[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/22d2dffe-4364-4c9f-87ae-bbce2402e1e6/3144801.pdf
Trabalho de evento-anais periodico
Study of the Main Digital and Analog Parameters of Underlapped MuGFETs (2012)
Martino, João Antonio ; Santos, Sara Dereste dos; Nicoletti, Talitha; Aoulaiche, Marc; Simoen, Eddy ; Claeys, Cor
Source: VIII Workshop of the Thematic Network on Silicon on Insulator Technology, Devices and Circuits. Conference titles: European Workshop on Silicon on Insulator Technology, Devices and Circuits. Unidade: EP
Assunto: MICROELETRÔNICA (CONGRESSOS)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARTINO, João Antonio et al. Study of the Main Digital and Analog Parameters of Underlapped MuGFETs. VIII Workshop of the Thematic Network on Silicon on Insulator Technology, Devices and Circuits. S.l: Institut d'Électronique. . Acesso em: 23 maio 2024. , 2012
APA
Martino, J. A., Santos, S. D. dos, Nicoletti, T., Aoulaiche, M., Simoen, E., & Claeys, C. (2012). Study of the Main Digital and Analog Parameters of Underlapped MuGFETs. VIII Workshop of the Thematic Network on Silicon on Insulator Technology, Devices and Circuits. S.l: Institut d'Électronique.
NLM
Martino JA, Santos SD dos, Nicoletti T, Aoulaiche M, Simoen E, Claeys C. Study of the Main Digital and Analog Parameters of Underlapped MuGFETs. VIII Workshop of the Thematic Network on Silicon on Insulator Technology, Devices and Circuits. 2012 ;[citado 2024 maio 23 ]
Vancouver
Martino JA, Santos SD dos, Nicoletti T, Aoulaiche M, Simoen E, Claeys C. Study of the Main Digital and Analog Parameters of Underlapped MuGFETs. VIII Workshop of the Thematic Network on Silicon on Insulator Technology, Devices and Circuits. 2012 ;[citado 2024 maio 23 ]
Artigo de periodico
DIBL behavior of triple gate FinFETs with SEG on biaxial strained devices (2010)
Santos, Sara Dereste dos ; Nicoletti, Talitha; Martino, João Antonio ; Simoen, Eddy ; Claeys, Cor
Source: Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. Unidade: EP
Assunto: DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANTOS, Sara Dereste dos et al. DIBL behavior of triple gate FinFETs with SEG on biaxial strained devices. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010, v. 31, n. 1, p. 51-58, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1149/1.3474141. Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Santos, S. D. dos, Nicoletti, T., Martino, J. A., Simoen, E., & Claeys, C. (2010). DIBL behavior of triple gate FinFETs with SEG on biaxial strained devices. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010, 31( 1), 51-58. doi:10.1149/1.3474141
NLM
Santos SD dos, Nicoletti T, Martino JA, Simoen E, Claeys C. DIBL behavior of triple gate FinFETs with SEG on biaxial strained devices [Internet]. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. 2010 ;31( 1): 51-58.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.3474141
Vancouver
Santos SD dos, Nicoletti T, Martino JA, Simoen E, Claeys C. DIBL behavior of triple gate FinFETs with SEG on biaxial strained devices [Internet]. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. 2010 ;31( 1): 51-58.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.3474141
Dissertação (Mestrado)
Influência da tensão mecânica (strain) no abaixamento de barreira induzido pelo dreno (DIBL) em FinFETs de porta tripla (2010)
Santos, Sara Dereste dos; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS, MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANTOS, Sara Dereste dos. Influência da tensão mecânica (strain) no abaixamento de barreira induzido pelo dreno (DIBL) em FinFETs de porta tripla. 2010. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2010. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12082010-124643/. Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Santos, S. D. dos. (2010). Influência da tensão mecânica (strain) no abaixamento de barreira induzido pelo dreno (DIBL) em FinFETs de porta tripla (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12082010-124643/
NLM
Santos SD dos. Influência da tensão mecânica (strain) no abaixamento de barreira induzido pelo dreno (DIBL) em FinFETs de porta tripla [Internet]. 2010 ;[citado 2024 maio 23 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12082010-124643/
Vancouver
Santos SD dos. Influência da tensão mecânica (strain) no abaixamento de barreira induzido pelo dreno (DIBL) em FinFETs de porta tripla [Internet]. 2010 ;[citado 2024 maio 23 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12082010-124643/
Artigo de periodico
Impact of selective epitaxial growth and uniaxial/biaxial strain on DIBL effect using triple gate FinFETs (2010)
Santos, Sara Dereste dos; Martino, João Antonio ; Simoen, Eddy ; Claeys, Cor
Source: Journal of Integrated Circuits and Systems. Unidade: EP
Assunto: TRANSISTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANTOS, Sara Dereste dos et al. Impact of selective epitaxial growth and uniaxial/biaxial strain on DIBL effect using triple gate FinFETs. Journal of Integrated Circuits and Systems, v. 5, n. 2, p. 154-159, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.29292/jics.v5i2.322. Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Santos, S. D. dos, Martino, J. A., Simoen, E., & Claeys, C. (2010). Impact of selective epitaxial growth and uniaxial/biaxial strain on DIBL effect using triple gate FinFETs. Journal of Integrated Circuits and Systems, 5( 2), 154-159. doi:10.29292/jics.v5i2.322
NLM
Santos SD dos, Martino JA, Simoen E, Claeys C. Impact of selective epitaxial growth and uniaxial/biaxial strain on DIBL effect using triple gate FinFETs [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2010 ;5( 2): 154-159.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v5i2.322
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Santos SD dos, Martino JA, Simoen E, Claeys C. Impact of selective epitaxial growth and uniaxial/biaxial strain on DIBL effect using triple gate FinFETs [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2010 ;5( 2): 154-159.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v5i2.322

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