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Artigo de periodico
Structural analysis of 'SI''O IND.2' gel films by high energy electron difraction (1994)
Ohsaki, H; Miura, K; Imai, A; Tada, M; Aegerter, M A
Fonte: Journal of Sol-Gel Science and Technology. Unidade: IFSC
Assunto: FÍSICA
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ABNT
OHSAKI, H et al. Structural analysis of 'SI''O IND.2' gel films by high energy electron difraction. Journal of Sol-Gel Science and Technology, v. 2 , p. 245-9, 1994Tradução . . Acesso em: 07 maio 2024.
APA
Ohsaki, H., Miura, K., Imai, A., Tada, M., & Aegerter, M. A. (1994). Structural analysis of 'SI''O IND.2' gel films by high energy electron difraction. Journal of Sol-Gel Science and Technology, 2 , 245-9.
NLM
Ohsaki H, Miura K, Imai A, Tada M, Aegerter MA. Structural analysis of 'SI''O IND.2' gel films by high energy electron difraction. Journal of Sol-Gel Science and Technology. 1994 ;2 245-9.[citado 2024 maio 07 ]
Vancouver
Ohsaki H, Miura K, Imai A, Tada M, Aegerter MA. Structural analysis of 'SI''O IND.2' gel films by high energy electron difraction. Journal of Sol-Gel Science and Technology. 1994 ;2 245-9.[citado 2024 maio 07 ]
Trabalho de evento-resumo
Electron diffraction analysis of the structure of 'SI''O IND.2' gel-film (1990)
Ohsaki, H; Aegerter, M A
Fonte: Program and Abstracts. Nome do evento: Spring Meeting of the Materials Research Society. Unidade: IFSC
Assunto: FÍSICA
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ABNT
OHSAKI, H e AEGERTER, M A. Electron diffraction analysis of the structure of 'SI''O IND.2' gel-film. 1990, Anais.. Pittsburgh: Materials Research Society, 1990. . Acesso em: 07 maio 2024.
APA
Ohsaki, H., & Aegerter, M. A. (1990). Electron diffraction analysis of the structure of 'SI''O IND.2' gel-film. In Program and Abstracts. Pittsburgh: Materials Research Society.
NLM
Ohsaki H, Aegerter MA. Electron diffraction analysis of the structure of 'SI''O IND.2' gel-film. Program and Abstracts. 1990 ;[citado 2024 maio 07 ]
Vancouver
Ohsaki H, Aegerter MA. Electron diffraction analysis of the structure of 'SI''O IND.2' gel-film. Program and Abstracts. 1990 ;[citado 2024 maio 07 ]
Artigo de periodico
Structural difference of surface and sub-surface native oxides of evaporated amorphous silicon (1990)
Tada, M; Ohsaki, H; Aegerter, M A
Fonte: Journal of Non-Crystalline Solids. Unidade: IFSC
Assunto: FÍSICA
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ABNT
TADA, M e OHSAKI, H e AEGERTER, M A. Structural difference of surface and sub-surface native oxides of evaporated amorphous silicon. Journal of Non-Crystalline Solids, v. 120, n. 1-3, p. 275-82, 1990Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/0022-3093(90)90213-6. Acesso em: 07 maio 2024.
APA
Tada, M., Ohsaki, H., & Aegerter, M. A. (1990). Structural difference of surface and sub-surface native oxides of evaporated amorphous silicon. Journal of Non-Crystalline Solids, 120( 1-3), 275-82. doi:10.1016/0022-3093(90)90213-6
NLM
Tada M, Ohsaki H, Aegerter MA. Structural difference of surface and sub-surface native oxides of evaporated amorphous silicon [Internet]. Journal of Non-Crystalline Solids. 1990 ;120( 1-3): 275-82.[citado 2024 maio 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0022-3093(90)90213-6
Vancouver
Tada M, Ohsaki H, Aegerter MA. Structural difference of surface and sub-surface native oxides of evaporated amorphous silicon [Internet]. Journal of Non-Crystalline Solids. 1990 ;120( 1-3): 275-82.[citado 2024 maio 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0022-3093(90)90213-6
Trabalho de evento-resumo periodico
Estrutura de filmes finos de a-'SI' 'O IND.2' (1989)
Ohsaki, H; Aegerter, M A; Miura, K; Tada, M
Fonte: Ceramica. Nome do evento: Congresso Brasileiro de Ceramica. Unidade: IFSC
Assuntos: FILMES FINOS, MATERIAIS
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ABNT
OHSAKI, H et al. Estrutura de filmes finos de a-'SI' 'O IND.2'. Ceramica. [S.l.]: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 07 maio 2024. , 1989
APA
Ohsaki, H., Aegerter, M. A., Miura, K., & Tada, M. (1989). Estrutura de filmes finos de a-'SI' 'O IND.2'. Ceramica. Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo.
NLM
Ohsaki H, Aegerter MA, Miura K, Tada M. Estrutura de filmes finos de a-'SI' 'O IND.2'. Ceramica. 1989 ;35( 232): 53.[citado 2024 maio 07 ]
Vancouver
Ohsaki H, Aegerter MA, Miura K, Tada M. Estrutura de filmes finos de a-'SI' 'O IND.2'. Ceramica. 1989 ;35( 232): 53.[citado 2024 maio 07 ]
Trabalho de evento-resumo
Formation mechanism of amorphous 'SI''O IND.2' during vacuum deposition (1989)
Ohsaki, H; Aegerter, M A; Tada, M
Fonte: Programa e Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IFSC
Assunto: MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OHSAKI, H e AEGERTER, M A e TADA, M. Formation mechanism of amorphous 'SI''O IND.2' during vacuum deposition. 1989, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1989. . Acesso em: 07 maio 2024.
APA
Ohsaki, H., Aegerter, M. A., & Tada, M. (1989). Formation mechanism of amorphous 'SI''O IND.2' during vacuum deposition. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Ohsaki H, Aegerter MA, Tada M. Formation mechanism of amorphous 'SI''O IND.2' during vacuum deposition. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2024 maio 07 ]
Vancouver
Ohsaki H, Aegerter MA, Tada M. Formation mechanism of amorphous 'SI''O IND.2' during vacuum deposition. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2024 maio 07 ]

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