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Artigo de periodico
Analysis of current mirror circuits designed with line tunnel FET devices at different temperatures (2017)
Martino, Márcio Dalla Valle; Claeys, Cor ; Rooyackers, Rita; Simoen, Eddy ; Agopian, Paula Ghedini Der ; Vandooren, A; Martino, João Antonio
Source: Semiconductor Science and Technology. Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES
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ABNT
MARTINO, Márcio Dalla Valle et al. Analysis of current mirror circuits designed with line tunnel FET devices at different temperatures. Semiconductor Science and Technology, v. 32, n. 5, p. 055015, 2017Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/1361-6641/aa6764. Acesso em: 07 maio 2024.
APA
Martino, M. D. V., Claeys, C., Rooyackers, R., Simoen, E., Agopian, P. G. D., Vandooren, A., & Martino, J. A. (2017). Analysis of current mirror circuits designed with line tunnel FET devices at different temperatures. Semiconductor Science and Technology, 32( 5), 055015. doi:10.1088/1361-6641/aa6764
NLM
Martino MDV, Claeys C, Rooyackers R, Simoen E, Agopian PGD, Vandooren A, Martino JA. Analysis of current mirror circuits designed with line tunnel FET devices at different temperatures [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2017 ; 32( 5): 055015.[citado 2024 maio 07 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1361-6641/aa6764
Vancouver
Martino MDV, Claeys C, Rooyackers R, Simoen E, Agopian PGD, Vandooren A, Martino JA. Analysis of current mirror circuits designed with line tunnel FET devices at different temperatures [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2017 ; 32( 5): 055015.[citado 2024 maio 07 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1361-6641/aa6764
Artigo de periodico
Implantation of cobalt in SnO2 thin films studied by TDPAC (2017)
Schell, Juliana; Dang, Thien Thanh; Viaden, Reiner; Mansano, Ronaldo Domingues ; Lupascu, Doru C; Carbonari, Artur Wilson
Source: AIP Advances. Unidade: EP
Subjects: FILMES FINOS, SEMICONDUTORES, CRISTALOGRAFIA FÍSICA
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ABNT
SCHELL, Juliana et al. Implantation of cobalt in SnO2 thin films studied by TDPAC. AIP Advances, v. 7, n. 5, 2017Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.4983270. Acesso em: 07 maio 2024.
APA
Schell, J., Dang, T. T., Viaden, R., Mansano, R. D., Lupascu, D. C., & Carbonari, A. W. (2017). Implantation of cobalt in SnO2 thin films studied by TDPAC. AIP Advances, 7( 5). doi:10.1063/1.4983270
NLM
Schell J, Dang TT, Viaden R, Mansano RD, Lupascu DC, Carbonari AW. Implantation of cobalt in SnO2 thin films studied by TDPAC [Internet]. AIP Advances. 2017 ; 7( 5):[citado 2024 maio 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4983270
Vancouver
Schell J, Dang TT, Viaden R, Mansano RD, Lupascu DC, Carbonari AW. Implantation of cobalt in SnO2 thin films studied by TDPAC [Internet]. AIP Advances. 2017 ; 7( 5):[citado 2024 maio 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4983270
Artigo de periodico
The Influence of Oxide Thickness and Indium Amount on the Analog Parameters of InxGa1–xAs nTFETs (2017)
Bordallo, Caio Cesar Mendes ; Collaert, Nadine ; Claeys, Cor ; Simoen, Eddy ; Vandooren, A; Rooyackers, Rita; Mols, Yannick; Alian, A; Agopian, Paula Ghedini Der ; Martino, João Antonio
Source: IEEE Transactions on Electron Devices. Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
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ABNT
BORDALLO, Caio Cesar Mendes et al. The Influence of Oxide Thickness and Indium Amount on the Analog Parameters of InxGa1–xAs nTFETs. IEEE Transactions on Electron Devices, v. 64, n. 9, p. 3595-3600, 2017Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1109/ted.2017.2721110. Acesso em: 07 maio 2024.
APA
Bordallo, C. C. M., Collaert, N., Claeys, C., Simoen, E., Vandooren, A., Rooyackers, R., et al. (2017). The Influence of Oxide Thickness and Indium Amount on the Analog Parameters of InxGa1–xAs nTFETs. IEEE Transactions on Electron Devices, 64( 9), 3595-3600. doi:10.1109/ted.2017.2721110
NLM
Bordallo CCM, Collaert N, Claeys C, Simoen E, Vandooren A, Rooyackers R, Mols Y, Alian A, Agopian PGD, Martino JA. The Influence of Oxide Thickness and Indium Amount on the Analog Parameters of InxGa1–xAs nTFETs [Internet]. IEEE Transactions on Electron Devices. 2017 ; 64( 9): 3595-3600.[citado 2024 maio 07 ] Available from: https://doi.org/10.1109/ted.2017.2721110
Vancouver
Bordallo CCM, Collaert N, Claeys C, Simoen E, Vandooren A, Rooyackers R, Mols Y, Alian A, Agopian PGD, Martino JA. The Influence of Oxide Thickness and Indium Amount on the Analog Parameters of InxGa1–xAs nTFETs [Internet]. IEEE Transactions on Electron Devices. 2017 ; 64( 9): 3595-3600.[citado 2024 maio 07 ] Available from: https://doi.org/10.1109/ted.2017.2721110
Trabalho de evento-anais periodico
Study of line-TFET analog performance comparing with other TFET and MOSFET architectures (2017)
Agopian, Paula Ghedini Der ; Simoen, Eddy ; Vandooren, Anne; Rooyackers, Rita; Thean, Aaron; Claeys, Cor ; Martino, João Antonio
Source: Solid-State Electronics Volume 128, February 2017, Pages 43-47. Conference titles: EUROSOI-ULIS 2016. Unidade: EP
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
AGOPIAN, Paula Ghedini Der et al. Study of line-TFET analog performance comparing with other TFET and MOSFET architectures. Solid-State Electronics Volume 128, February 2017, Pages 43-47. [S.l.]: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2016.10.021. Acesso em: 07 maio 2024. , 2017
APA
Agopian, P. G. D., Simoen, E., Vandooren, A., Rooyackers, R., Thean, A., Claeys, C., & Martino, J. A. (2017). Study of line-TFET analog performance comparing with other TFET and MOSFET architectures. Solid-State Electronics Volume 128, February 2017, Pages 43-47. Escola Politécnica, Universidade de São Paulo. doi:10.1016/j.sse.2016.10.021
NLM
Agopian PGD, Simoen E, Vandooren A, Rooyackers R, Thean A, Claeys C, Martino JA. Study of line-TFET analog performance comparing with other TFET and MOSFET architectures [Internet]. Solid-State Electronics Volume 128, February 2017, Pages 43-47. 2017 ; 128 43-47.[citado 2024 maio 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2016.10.021
Vancouver
Agopian PGD, Simoen E, Vandooren A, Rooyackers R, Thean A, Claeys C, Martino JA. Study of line-TFET analog performance comparing with other TFET and MOSFET architectures [Internet]. Solid-State Electronics Volume 128, February 2017, Pages 43-47. 2017 ; 128 43-47.[citado 2024 maio 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2016.10.021
Trabalho de evento-resumo
Morphological and superficial study of thin films based on conjugated semiconductor polymer PBTTT-C14 (2016)
Eirez Izquierdo, José Enrique ; Cavallari, Marco Roberto ; Silva, Marcelo de Assumpção Pereira da ; Fonseca, Fernando Josepetti
Source: Program Book. Conference titles: Brazilian MRS Meeting. Unidades: IFSC, EP
Subjects: SEMICONDUTORES, POLÍMEROS (MATERIAIS), FILMES FINOS
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ABNT
EIREZ IZQUIERDO, José Enrique et al. Morphological and superficial study of thin films based on conjugated semiconductor polymer PBTTT-C14. 2016, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2016. Disponível em: http://www.eventweb.com.br/xvsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=B6HB. Acesso em: 07 maio 2024.
APA
Eirez Izquierdo, J. E., Cavallari, M. R., Silva, M. de A. P. da, & Fonseca, F. J. (2016). Morphological and superficial study of thin films based on conjugated semiconductor polymer PBTTT-C14. In Program Book. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Recuperado de http://www.eventweb.com.br/xvsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=B6HB
NLM
Eirez Izquierdo JE, Cavallari MR, Silva M de AP da, Fonseca FJ. Morphological and superficial study of thin films based on conjugated semiconductor polymer PBTTT-C14 [Internet]. Program Book. 2016 ;[citado 2024 maio 07 ] Available from: http://www.eventweb.com.br/xvsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=B6HB
Vancouver
Eirez Izquierdo JE, Cavallari MR, Silva M de AP da, Fonseca FJ. Morphological and superficial study of thin films based on conjugated semiconductor polymer PBTTT-C14 [Internet]. Program Book. 2016 ;[citado 2024 maio 07 ] Available from: http://www.eventweb.com.br/xvsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=B6HB
Artigo de periodico
Analog parameters of solid source Zn diffusion In X Ga1−X As nTFETs down to 10 K (2016)
Bordallo, Caio Cesar Mendes ; Vandooren, A; Rooyackers, Rita; Mols, Yannick; Alian, A; Agopian, Paula Ghedini Der ; Martino, João Antonio
Source: Semiconductor Science and Technology. Unidade: EP
Subjects: SEMICONDUTORES, MICROELETRÔNICA
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ABNT
BORDALLO, Caio Cesar Mendes et al. Analog parameters of solid source Zn diffusion In X Ga1−X As nTFETs down to 10 K. Semiconductor Science and Technology, v. 31, n. 12, p. 124001, 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0268-1242/31/12/124001. Acesso em: 07 maio 2024.
APA
Bordallo, C. C. M., Vandooren, A., Rooyackers, R., Mols, Y., Alian, A., Agopian, P. G. D., & Martino, J. A. (2016). Analog parameters of solid source Zn diffusion In X Ga1−X As nTFETs down to 10 K. Semiconductor Science and Technology, 31( 12), 124001. doi:10.1088/0268-1242/31/12/124001
NLM
Bordallo CCM, Vandooren A, Rooyackers R, Mols Y, Alian A, Agopian PGD, Martino JA. Analog parameters of solid source Zn diffusion In X Ga1−X As nTFETs down to 10 K [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2016 ; 31( 12): 124001.[citado 2024 maio 07 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/31/12/124001
Vancouver
Bordallo CCM, Vandooren A, Rooyackers R, Mols Y, Alian A, Agopian PGD, Martino JA. Analog parameters of solid source Zn diffusion In X Ga1−X As nTFETs down to 10 K [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2016 ; 31( 12): 124001.[citado 2024 maio 07 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/31/12/124001
Artigo de periodico
Improved operation of graded-channel SOI nMOSFETs down to liquid helium temperature (2016)
Pavanello, Marcelo Antonio ; Souza, Michelly de; Ribeiro, Thales Augusto; Martino, João Antonio ; Flandre, Denis
Source: Semiconductor Science and Technology. Unidade: EP
Subjects: SILÍCIO, SEMICONDUTORES
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ABNT
PAVANELLO, Marcelo Antonio et al. Improved operation of graded-channel SOI nMOSFETs down to liquid helium temperature. Semiconductor Science and Technology, v. 31, n. 11, p. 114005, 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0268-1242/31/11/114005. Acesso em: 07 maio 2024.
APA
Pavanello, M. A., Souza, M. de, Ribeiro, T. A., Martino, J. A., & Flandre, D. (2016). Improved operation of graded-channel SOI nMOSFETs down to liquid helium temperature. Semiconductor Science and Technology, 31( 11), 114005. doi:10.1088/0268-1242/31/11/114005
NLM
Pavanello MA, Souza M de, Ribeiro TA, Martino JA, Flandre D. Improved operation of graded-channel SOI nMOSFETs down to liquid helium temperature [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2016 ; 31( 11): 114005.[citado 2024 maio 07 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/31/11/114005
Vancouver
Pavanello MA, Souza M de, Ribeiro TA, Martino JA, Flandre D. Improved operation of graded-channel SOI nMOSFETs down to liquid helium temperature [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2016 ; 31( 11): 114005.[citado 2024 maio 07 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/31/11/114005
Artigo de periodico
Split CV mobility at low temperature operation of Ge pFinFETs fabricated with STI first and last processes (2016)
Oliveira, Alberto Vinicius de; Agopian, Paula Ghedini Der ; Simoen, Eddy ; Langer, Robert; Collaert, Nadine ; Thean, Aaron; Claeys, Cor ; Martino, João Antonio
Source: Semiconductor Science and Technology. Unidade: EP
Subjects: SEMICONDUTORES, MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OLIVEIRA, Alberto Vinicius de et al. Split CV mobility at low temperature operation of Ge pFinFETs fabricated with STI first and last processes. Semiconductor Science and Technology, v. 31, n. 11, p. 114002 , 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0268-1242/31/11/114002. Acesso em: 07 maio 2024.
APA
Oliveira, A. V. de, Agopian, P. G. D., Simoen, E., Langer, R., Collaert, N., Thean, A., et al. (2016). Split CV mobility at low temperature operation of Ge pFinFETs fabricated with STI first and last processes. Semiconductor Science and Technology, 31( 11), 114002 . doi:10.1088/0268-1242/31/11/114002
NLM
Oliveira AV de, Agopian PGD, Simoen E, Langer R, Collaert N, Thean A, Claeys C, Martino JA. Split CV mobility at low temperature operation of Ge pFinFETs fabricated with STI first and last processes [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2016 ; 31( 11): 114002 .[citado 2024 maio 07 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/31/11/114002
Vancouver
Oliveira AV de, Agopian PGD, Simoen E, Langer R, Collaert N, Thean A, Claeys C, Martino JA. Split CV mobility at low temperature operation of Ge pFinFETs fabricated with STI first and last processes [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2016 ; 31( 11): 114002 .[citado 2024 maio 07 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/31/11/114002
Artigo de periodico
Analytical Model for Threshold Voltage in UTBB SOI MOSFET in Dynamic Threshold Voltage Operation (2016)
Itocazu, Vitor Tatsuo ; Martino, João Antonio ; Sasaki, Kátia Regina Akemi; Simoen, Eddy ; Claeys, Cor ; Sonnenberg, Victor
Source: Journal of Integrated Circuits and Systems. Unidade: EP
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
ITOCAZU, Vitor Tatsuo et al. Analytical Model for Threshold Voltage in UTBB SOI MOSFET in Dynamic Threshold Voltage Operation. Journal of Integrated Circuits and Systems, v. 12, n. 2, p. 101-106, 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.29292/jics.v12i2.458. Acesso em: 07 maio 2024.
APA
Itocazu, V. T., Martino, J. A., Sasaki, K. R. A., Simoen, E., Claeys, C., & Sonnenberg, V. (2016). Analytical Model for Threshold Voltage in UTBB SOI MOSFET in Dynamic Threshold Voltage Operation. Journal of Integrated Circuits and Systems, 12( 2), 101-106. doi:10.29292/jics.v12i2.458
NLM
Itocazu VT, Martino JA, Sasaki KRA, Simoen E, Claeys C, Sonnenberg V. Analytical Model for Threshold Voltage in UTBB SOI MOSFET in Dynamic Threshold Voltage Operation [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2016 ; 12( 2): 101-106.[citado 2024 maio 07 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v12i2.458
Vancouver
Itocazu VT, Martino JA, Sasaki KRA, Simoen E, Claeys C, Sonnenberg V. Analytical Model for Threshold Voltage in UTBB SOI MOSFET in Dynamic Threshold Voltage Operation [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2016 ; 12( 2): 101-106.[citado 2024 maio 07 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v12i2.458
Artigo de periodico
Low-Frequency Noise Analysis and Modeling in Vertical Tunnel FETs With Ge Source (2016)
Neves, Felipe S; Agopian, Paula Ghedini Der ; Cretu, B; Rooyackers, Rita; Vandooren, A; Simoen, Eddy ; Thean, Aaron; Martino, João Antonio
Source: IEEE Transactions on Electron Devices. Unidade: EP
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NEVES, Felipe S et al. Low-Frequency Noise Analysis and Modeling in Vertical Tunnel FETs With Ge Source. IEEE Transactions on Electron Devices, v. 63, n. 4, p. 1658-1665, 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1109/ted.2016.2533360. Acesso em: 07 maio 2024.
APA
Neves, F. S., Agopian, P. G. D., Cretu, B., Rooyackers, R., Vandooren, A., Simoen, E., et al. (2016). Low-Frequency Noise Analysis and Modeling in Vertical Tunnel FETs With Ge Source. IEEE Transactions on Electron Devices, 63( 4), 1658-1665. doi:10.1109/ted.2016.2533360
NLM
Neves FS, Agopian PGD, Cretu B, Rooyackers R, Vandooren A, Simoen E, Thean A, Martino JA. Low-Frequency Noise Analysis and Modeling in Vertical Tunnel FETs With Ge Source [Internet]. IEEE Transactions on Electron Devices. 2016 ; 63( 4): 1658-1665.[citado 2024 maio 07 ] Available from: https://doi.org/10.1109/ted.2016.2533360
Vancouver
Neves FS, Agopian PGD, Cretu B, Rooyackers R, Vandooren A, Simoen E, Thean A, Martino JA. Low-Frequency Noise Analysis and Modeling in Vertical Tunnel FETs With Ge Source [Internet]. IEEE Transactions on Electron Devices. 2016 ; 63( 4): 1658-1665.[citado 2024 maio 07 ] Available from: https://doi.org/10.1109/ted.2016.2533360
Artigo de periodico
GR-Noise Characterization of Ge pFinFETs With STI First and STI Last Processes (2016)
Oliveira, Alberto Vinicius de; Simoen, Eddy ; Mitard, Jerome; Agopian, Paula Ghedini Der ; Langer, Robert; Witters, Liesbeth J; Martino, João Antonio
Source: IEEE Electron Device Letters. Unidade: EP
Subjects: SEMICONDUTORES, SILÍCIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OLIVEIRA, Alberto Vinicius de et al. GR-Noise Characterization of Ge pFinFETs With STI First and STI Last Processes. IEEE Electron Device Letters, v. 37, n. 9, p. 1092-1095, 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1109/led.2016.2595398. Acesso em: 07 maio 2024.
APA
Oliveira, A. V. de, Simoen, E., Mitard, J., Agopian, P. G. D., Langer, R., Witters, L. J., & Martino, J. A. (2016). GR-Noise Characterization of Ge pFinFETs With STI First and STI Last Processes. IEEE Electron Device Letters, 37( 9), 1092-1095. doi:10.1109/led.2016.2595398
NLM
Oliveira AV de, Simoen E, Mitard J, Agopian PGD, Langer R, Witters LJ, Martino JA. GR-Noise Characterization of Ge pFinFETs With STI First and STI Last Processes [Internet]. IEEE Electron Device Letters. 2016 ; 37( 9): 1092-1095.[citado 2024 maio 07 ] Available from: https://doi.org/10.1109/led.2016.2595398
Vancouver
Oliveira AV de, Simoen E, Mitard J, Agopian PGD, Langer R, Witters LJ, Martino JA. GR-Noise Characterization of Ge pFinFETs With STI First and STI Last Processes [Internet]. IEEE Electron Device Letters. 2016 ; 37( 9): 1092-1095.[citado 2024 maio 07 ] Available from: https://doi.org/10.1109/led.2016.2595398
Dissertação (Mestrado)
Estudo de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) construídos em nanofio (2016)
Sivieri, Victor de Bodt; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SIVIERI, Victor de Bodt. Estudo de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) construídos em nanofio. 2016. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2016. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062016-074906/. Acesso em: 07 maio 2024.
APA
Sivieri, V. de B. (2016). Estudo de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) construídos em nanofio (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062016-074906/
NLM
Sivieri V de B. Estudo de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) construídos em nanofio [Internet]. 2016 ;[citado 2024 maio 07 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062016-074906/
Vancouver
Sivieri V de B. Estudo de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) construídos em nanofio [Internet]. 2016 ;[citado 2024 maio 07 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062016-074906/
Dissertação (Mestrado)
Fabricação e caracterização experimental de diodos tunel MOS Al/SiOxNy/Si(p) e TiN/SiOxNy/Si(p) (2016)
Alandia, Bárbara Siano; Santos Filho, Sebastião Gomes dos (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: DIODOS, OXIDAÇÃO, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ALANDIA, Bárbara Siano. Fabricação e caracterização experimental de diodos tunel MOS Al/SiOxNy/Si(p) e TiN/SiOxNy/Si(p). 2016. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2016. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18082016-142744/. Acesso em: 07 maio 2024.
APA
Alandia, B. S. (2016). Fabricação e caracterização experimental de diodos tunel MOS Al/SiOxNy/Si(p) e TiN/SiOxNy/Si(p) (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18082016-142744/
NLM
Alandia BS. Fabricação e caracterização experimental de diodos tunel MOS Al/SiOxNy/Si(p) e TiN/SiOxNy/Si(p) [Internet]. 2016 ;[citado 2024 maio 07 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18082016-142744/
Vancouver
Alandia BS. Fabricação e caracterização experimental de diodos tunel MOS Al/SiOxNy/Si(p) e TiN/SiOxNy/Si(p) [Internet]. 2016 ;[citado 2024 maio 07 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18082016-142744/
Artigo de periodico
Performance of TFET and FinFET devices applied to current mirrors for different dimensions and temperatures (2016)
Martino, Márcio Dalla Valle; Martino, João Antonio ; Agopian, Paula Ghedini Der ; Vandooren, A; Rooyackers, Rita; Simoen, Eddy ; Claeys, Cor
Source: Semiconductor Science and Technology. Unidade: EP
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARTINO, Márcio Dalla Valle et al. Performance of TFET and FinFET devices applied to current mirrors for different dimensions and temperatures. Semiconductor Science and Technology, v. 31, n. 5, 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0268-1242/31/5/055001. Acesso em: 07 maio 2024.
APA
Martino, M. D. V., Martino, J. A., Agopian, P. G. D., Vandooren, A., Rooyackers, R., Simoen, E., & Claeys, C. (2016). Performance of TFET and FinFET devices applied to current mirrors for different dimensions and temperatures. Semiconductor Science and Technology, 31( 5). doi:10.1088/0268-1242/31/5/055001
NLM
Martino MDV, Martino JA, Agopian PGD, Vandooren A, Rooyackers R, Simoen E, Claeys C. Performance of TFET and FinFET devices applied to current mirrors for different dimensions and temperatures [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2016 ; 31( 5):[citado 2024 maio 07 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/31/5/055001
Vancouver
Martino MDV, Martino JA, Agopian PGD, Vandooren A, Rooyackers R, Simoen E, Claeys C. Performance of TFET and FinFET devices applied to current mirrors for different dimensions and temperatures [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2016 ; 31( 5):[citado 2024 maio 07 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/31/5/055001
Artigo de periodico
Comparative analysis of the intrinsic voltage gain and unit gain frequency between SOI and bulk FinFETs up to high temperatures (2016)
Oliveira, Alberto Vinicius de; Collaert, Nadine ; Thean, Aaron; Claeys, Cor ; Simoen, Eddy ; Agopian, Paula Ghedini Der ; Martino, João Antonio
Source: Solid-State Electronics. Unidade: EP
Subjects: SEMICONDUTORES, MICROELETRÔNICA
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ABNT
OLIVEIRA, Alberto Vinicius de et al. Comparative analysis of the intrinsic voltage gain and unit gain frequency between SOI and bulk FinFETs up to high temperatures. Solid-State Electronics, v. 123, p. 124-129, 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2016.05.004. Acesso em: 07 maio 2024.
APA
Oliveira, A. V. de, Collaert, N., Thean, A., Claeys, C., Simoen, E., Agopian, P. G. D., & Martino, J. A. (2016). Comparative analysis of the intrinsic voltage gain and unit gain frequency between SOI and bulk FinFETs up to high temperatures. Solid-State Electronics, 123, 124-129. doi:10.1016/j.sse.2016.05.004
NLM
Oliveira AV de, Collaert N, Thean A, Claeys C, Simoen E, Agopian PGD, Martino JA. Comparative analysis of the intrinsic voltage gain and unit gain frequency between SOI and bulk FinFETs up to high temperatures [Internet]. Solid-State Electronics. 2016 ; 123 124-129.[citado 2024 maio 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2016.05.004
Vancouver
Oliveira AV de, Collaert N, Thean A, Claeys C, Simoen E, Agopian PGD, Martino JA. Comparative analysis of the intrinsic voltage gain and unit gain frequency between SOI and bulk FinFETs up to high temperatures [Internet]. Solid-State Electronics. 2016 ; 123 124-129.[citado 2024 maio 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2016.05.004
Trabalho de evento-resumo
Phase transition and luminescence in sol-gel TiO2 (2015)
Ramos Júnior, Roberto ; Scalvi, Luis Vicente de Andrade; Siu Li, Máximo
Source: Proceedings. Conference titles: Brazilian MRS Meeting. Unidades: IFSC, EP
Subjects: LUMINESCÊNCIA, SEMICONDUTORES
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ABNT
RAMOS JÚNIOR, Roberto e SCALVI, Luis Vicente de Andrade e SIU LI, Máximo. Phase transition and luminescence in sol-gel TiO2. 2015, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2015. Disponível em: http://www.eventweb.com.br/xivsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=APJC. Acesso em: 07 maio 2024.
APA
Ramos Júnior, R., Scalvi, L. V. de A., & Siu Li, M. (2015). Phase transition and luminescence in sol-gel TiO2. In Proceedings. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Recuperado de http://www.eventweb.com.br/xivsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=APJC
NLM
Ramos Júnior R, Scalvi LV de A, Siu Li M. Phase transition and luminescence in sol-gel TiO2 [Internet]. Proceedings. 2015 ;[citado 2024 maio 07 ] Available from: http://www.eventweb.com.br/xivsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=APJC
Vancouver
Ramos Júnior R, Scalvi LV de A, Siu Li M. Phase transition and luminescence in sol-gel TiO2 [Internet]. Proceedings. 2015 ;[citado 2024 maio 07 ] Available from: http://www.eventweb.com.br/xivsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=APJC
Artigo de periodico
Silicon microtubes made by immersing macroporous silicon into ammonium fluoride solution (2015)
Huanca, Danilo Roque ; Kim, Hae Yong ; Salcedo, Walter Jaimes
Source: Materials chemistry and Physics. Unidade: EP
Subjects: SEMICONDUTORES, CORROSÃO DOS MATERIAIS
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ABNT
HUANCA, Danilo Roque e KIM, Hae Yong e SALCEDO, Walter Jaimes. Silicon microtubes made by immersing macroporous silicon into ammonium fluoride solution. Materials chemistry and Physics, v. 160, p. 12-19, 2015Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.matchemphys.2015.03.032. Acesso em: 07 maio 2024.
APA
Huanca, D. R., Kim, H. Y., & Salcedo, W. J. (2015). Silicon microtubes made by immersing macroporous silicon into ammonium fluoride solution. Materials chemistry and Physics, 160, 12-19. doi:10.1016/j.matchemphys.2015.03.032
NLM
Huanca DR, Kim HY, Salcedo WJ. Silicon microtubes made by immersing macroporous silicon into ammonium fluoride solution [Internet]. Materials chemistry and Physics. 2015 ; 160 12-19.[citado 2024 maio 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.matchemphys.2015.03.032
Vancouver
Huanca DR, Kim HY, Salcedo WJ. Silicon microtubes made by immersing macroporous silicon into ammonium fluoride solution [Internet]. Materials chemistry and Physics. 2015 ; 160 12-19.[citado 2024 maio 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.matchemphys.2015.03.032
Trabalho de evento-resumo
Electrical and structural properties of GaAs/SnO2 :1at%Ce3+ heterojunction (2015)
Machado, Diego Henrique de Oliveira; Ramos Júnior, Roberto ; Scalvi, Luis Vicente de Andrade; Siu Li, Máximo; Silva, José Humberto Dias da
Source: Proceedings. Conference titles: Brazilian MRS Meeting. Unidades: IFSC, EP
Subjects: PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MACHADO, Diego Henrique de Oliveira et al. Electrical and structural properties of GaAs/SnO2 :1at%Ce3+ heterojunction. 2015, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2015. Disponível em: http://www.eventweb.com.br/xivsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=APMA. Acesso em: 07 maio 2024.
APA
Machado, D. H. de O., Ramos Júnior, R., Scalvi, L. V. de A., Siu Li, M., & Silva, J. H. D. da. (2015). Electrical and structural properties of GaAs/SnO2 :1at%Ce3+ heterojunction. In Proceedings. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Recuperado de http://www.eventweb.com.br/xivsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=APMA
NLM
Machado DH de O, Ramos Júnior R, Scalvi LV de A, Siu Li M, Silva JHD da. Electrical and structural properties of GaAs/SnO2 :1at%Ce3+ heterojunction [Internet]. Proceedings. 2015 ;[citado 2024 maio 07 ] Available from: http://www.eventweb.com.br/xivsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=APMA
Vancouver
Machado DH de O, Ramos Júnior R, Scalvi LV de A, Siu Li M, Silva JHD da. Electrical and structural properties of GaAs/SnO2 :1at%Ce3+ heterojunction [Internet]. Proceedings. 2015 ;[citado 2024 maio 07 ] Available from: http://www.eventweb.com.br/xivsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=APMA
Artigo de periodico
Enhanced dynamic threshold voltage UTBB SOI nMOSFETs (2015)
Sasaki, Kátia Regina Akemi; Manini, Matheus Barros; Claeys, Cor ; Simoen, Eddy ; Martino, João Antonio
Source: Solid-State Electronics. Unidade: EP
Subjects: SEMICONDUTORES, MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SASAKI, Kátia Regina Akemi et al. Enhanced dynamic threshold voltage UTBB SOI nMOSFETs. Solid-State Electronics, v. 112, p. 19-23, 2015Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2015.02.011. Acesso em: 07 maio 2024.
APA
Sasaki, K. R. A., Manini, M. B., Claeys, C., Simoen, E., & Martino, J. A. (2015). Enhanced dynamic threshold voltage UTBB SOI nMOSFETs. Solid-State Electronics, 112, 19-23. doi:10.1016/j.sse.2015.02.011
NLM
Sasaki KRA, Manini MB, Claeys C, Simoen E, Martino JA. Enhanced dynamic threshold voltage UTBB SOI nMOSFETs [Internet]. Solid-State Electronics. 2015 ; 112 19-23.[citado 2024 maio 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2015.02.011
Vancouver
Sasaki KRA, Manini MB, Claeys C, Simoen E, Martino JA. Enhanced dynamic threshold voltage UTBB SOI nMOSFETs [Internet]. Solid-State Electronics. 2015 ; 112 19-23.[citado 2024 maio 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2015.02.011
Artigo de periodico
Synthesis and characterization of a new semiconductor oligomer having quinoline and fluorene units (2015)
Correia, Fábio Conte; Santos, Thays C. F; Garcia, Jarem Raul; Peres, Laura Oliveira; Wang, Shu Hui
Source: Journal of the Brazilian Chemistry Society. Unidade: EP
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CORREIA, Fábio Conte et al. Synthesis and characterization of a new semiconductor oligomer having quinoline and fluorene units. Journal of the Brazilian Chemistry Society, v. 26, n. 1, p. 84-91, 2015Tradução . . Disponível em: http://www.scielo.br/pdf/jbchs/v26n1/0103-5053-jbchs-26-01-0084.pdf. Acesso em: 07 maio 2024.
APA
Correia, F. C., Santos, T. C. F., Garcia, J. R., Peres, L. O., & Wang, S. H. (2015). Synthesis and characterization of a new semiconductor oligomer having quinoline and fluorene units. Journal of the Brazilian Chemistry Society, 26( 1), 84-91. Recuperado de http://www.scielo.br/pdf/jbchs/v26n1/0103-5053-jbchs-26-01-0084.pdf
NLM
Correia FC, Santos TCF, Garcia JR, Peres LO, Wang SH. Synthesis and characterization of a new semiconductor oligomer having quinoline and fluorene units [Internet]. Journal of the Brazilian Chemistry Society. 2015 ; 26( 1): 84-91.[citado 2024 maio 07 ] Available from: http://www.scielo.br/pdf/jbchs/v26n1/0103-5053-jbchs-26-01-0084.pdf
Vancouver
Correia FC, Santos TCF, Garcia JR, Peres LO, Wang SH. Synthesis and characterization of a new semiconductor oligomer having quinoline and fluorene units [Internet]. Journal of the Brazilian Chemistry Society. 2015 ; 26( 1): 84-91.[citado 2024 maio 07 ] Available from: http://www.scielo.br/pdf/jbchs/v26n1/0103-5053-jbchs-26-01-0084.pdf

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